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Transistor(860)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
PJU2NA60_T0_00001	-	Richiesta di offerta	4560	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	PJU2NA60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-251AA	-				3757-PJU2NA60_T0_00001	OBSOLETO		1		CanaleN	600 V	2A (Ta)	10 V	4,4 Ohm a 1 A, 10 V	4 V a 250 µA	5,7 nC a 10 V	±30 V	257 pF a 25 V	-	34 W (Tc)
PJQ4460AP_R2_00001	0,1406	Richiesta di offerta	8291	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ4460	MOSFET (ossido di metallo)		DFN3333-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ4460AP_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN	60 V	3,7 A (Ta), 11 A (Tc)	4,5 V, 10 V	72 mOhm a 6 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	9,3 nC a 10 V	±20 V	509 pF a 15 V	-	2W (Ta), 20W (Tc)
PJF6NA70_T0_00001	-	Richiesta di offerta	3254	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	PJF6NA70	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3757-PJF6NA70_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	700 V	6A (Ta)	10 V	1,7 Ohm a 3 A, 10 V	4 V a 250 µA	16,5 nC a 10 V	±30 V	831 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
PJA3400_R1_00001	0,4400	Richiesta di offerta	36	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3400	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJA3400_R1_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	30 V	4,9A(Ta)	2,5 V, 10 V	38 mOhm a 4,9 A, 10 V	1,3 V a 250 µA	5,7 nC a 10 V	±12V	490 pF a 15 V	-	1,25 W(Ta)
PJQ5850_R2_00001	0,2707	Richiesta di offerta	6250	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	PJQ5850	MOSFET (ossido di metallo)	1,7 W (Ta), 12 W (Tc)	DFN5060B-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ5850_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)		40 V	5A (Ta), 14A (Tc)		33 mOhm a 8 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	4,4 nC a 4,5 V		425 pF a 25 V	-
PJQ5866A_R2_00001	0,8700	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	PJQ5866	MOSFET (ossido di metallo)	1,7 W (Ta), 56 W (Tc)	DFN5060B-8	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)		60 V	7A (Ta), 40A (Tc)		17 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	13,5 nC a 4,5 V		1574 pF a 25 V	-
PJA3402_R1_00001	0,4900	Richiesta di offerta	5	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3402	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	30 V	4,4A(Ta)	1,8 V, 10 V	48 mOhm a 4,4 A, 10 V	1,2 V a 250 µA	11,3 nC a 10 V	±12V	447 pF a 15 V	-	1,25 W(Ta)
PJQ5606_R2_00001	0,3076	Richiesta di offerta	5400	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	PJQ5606	MOSFET (ossido di metallo)	1,7 W (Ta), 21 W (Tc)	DFN5060B-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ5606_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000	Canali N e P complementari		30 V	7A (Ta), 25A (Tc), 6,1 A (Ta), 22A (Tc)		19 mOhm a 8 A, 10 V, 30 mOhm a 4 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	4,8 nC a 4,5 V, 7,8 nC a 4,5 V		429pF a 25V, 846pF a 15V	-
PJA3433-AU_R1_000A1	0,3300	Richiesta di offerta	57	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3433	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	30 V	1,1 A (Ta)	1,8 V, 4,5 V	370 mOhm a 1,1 A, 4,5 V	1,3 V a 250 µA	1,6 nC a 4,5 V	±8 V	125 pF a 15 V	-	1,25 W(Ta)
PJA3461_R1_00001	0,4500	Richiesta di offerta	5	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3461	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	60 V	1,9A(Ta)	4,5 V, 10 V	190 mOhm a 1,9 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	8,3 nC a 10 V	±20 V	430 pF a 30 V	-	1,25 W(Ta)
BC847BS_R1_00001	0,2100	Richiesta di offerta	8	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC847		300 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													45 V	100mA	15nA (ICBO)	2 NPN (doppio)	600mV a 5mA, 100mA	200 a 2 mA, 5 V	100 MHz
BCP53-16-AU_R2_000A1	0,3600	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BCP53		2,6 W	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BCP53-16-AU_R2_000A1CT	EAR99	8541.29.0095	2.500													100 V	1A	100nA (ICBO)	PNP	600 mV a 100 mA, 1 A	100 a 150 mA, 2 V	100 MHz
PJF7NA65_T0_00001	-	Richiesta di offerta	3125	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	PJF7NA65	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3757-PJF7NA65_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	650 V	7A (Ta)	10 V	1,5 Ohm a 3,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	16,8 nC a 10 V	±30 V	754 pF a 25 V	-	46 W (Tc)
PJT138K-AU_R1_000A1	0,3800	Richiesta di offerta	380	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PJT138	MOSFET (ossido di metallo)	236 mW (Ta)	SOT-363	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali N (doppio)		50 V	360mA(Ta)		1,6 Ohm a 500 mA, 10 V	1,5 V a 250 µA	1nC a 4,5 V		50 pF a 25 V	-
PJQ2409_R1_00001	0,5200	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-WDFN Tampone esposto	PJQ2409	MOSFET (ossido di metallo)		DFN2020B-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ2409_R1_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	30 V	6,5A(Ta)	4,5 V, 10 V	30 mOhm a 4 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	7,8 nC a 4,5 V	±20 V	870 pF a 15 V	-	2 W (Ta)
PJQ4414P_R2_00001	0,4900	Richiesta di offerta	4	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ4414	MOSFET (ossido di metallo)		DFN3333-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ4414P_R2_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN	30 V	8A (Ta), 25A (Tc)	4,5 V, 10 V	18 mOhm a 9 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	4,3 nC a 4,5 V	±20 V	392 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 21 W (Tc)
BC847BPN_R1_00001	0,2100	Richiesta di offerta	117	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC847		200 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC847BPN_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0075	3.000													45 V	100mA	15nA (ICBO)	NPN, PNP Complementari	400 mV a 5 mA, 100 mA / 650 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PJT7807_R1_00001	0,1123	Richiesta di offerta	3732	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PJT7807	MOSFET (ossido di metallo)	350 mW(Ta)	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJT7807_R1_00001TR	EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali P (doppio)		20 V	500mA (Ta)		1,2 Ohm a 500 mA, 4,5 V	1 V a 250 µA	1,4 nC a 4,5 V		38 pF a 10 V	-
PJQ5444_R2_00001	0,2655	Richiesta di offerta	8132	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ5444	MOSFET (ossido di metallo)		DFN5060-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ5444_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	40 V	12,7 A (Ta), 70 A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,5 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	17 nC a 4,5 V	±20 V	1759 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 83 W (Tc)
PJF3NA50_T0_00001	-	Richiesta di offerta	4923	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	PJF3NA50	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3757-PJF3NA50_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	500 V	3A (Ta)	10 V	3,2 Ohm a 1,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	6,5 nC a 10 V	±30 V	260 pF a 25 V	-	23 W (Tc)
PJD14P06A_L2_00001	0,6300	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD14	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD14P06A_L2_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	60 V	3,2 A(Ta), 14 A(Tc)	4,5 V, 10 V	110 mOhm a 6 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	10 nC a 10 V	±20 V	785 pF a 30 V	-	3,2 W (Ta), 40 W (Tc)
PJQ5427_R2_00001	1.3700	Richiesta di offerta	1	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ5427	MOSFET (ossido di metallo)		DFN5060-8	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	30 V	19A (Ta), 100A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,3 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	68 nC a 4,5 V	±20 V	8593 pF a 15 V	-	2 W (Ta), 63 W (Tc)
PJA3416_R1_00001	0,4400	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3416	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	20 V	5,8A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	27 mOhm a 5,8 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	6,7 nC a 4,5 V	±12V	513 pF a 10 V	-	1,25 W(Ta)
PJS6811_S1_00001	0,1341	Richiesta di offerta	5699	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	PJS6811	MOSFET (ossido di metallo)	1,25 W(Ta)	SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJS6811_S1_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali P (doppio)		20 V	2,7A(Ta)		105 mOhm a 2,7 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	5,4 nC a 4,5 V		416 pF a 10 V	-
PJF4NA90_T0_00001	-	Richiesta di offerta	9837	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata	PJF4NA90	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB-F	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3757-PJF4NA90_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	900 V	4A (Ta)	10 V	3,4 Ohm a 2 A, 10 V	4 V a 250 µA	17 nC a 10 V	±30 V	710 pF a 25 V	-	44 W (Tc)
PBHV9110DA-AU_R1_000A1	0,3500	Richiesta di offerta	1	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PBHV9110		1,25 W	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	3.000													100 V	1A	500nA (ICBO)	PNP	600 mV a 100 mA, 1 A	140 a 150 mA, 2 V	100 MHz
BC807-16W_R1_00001	0,1900	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	BC807-16W	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC807		300 mW	SOT-323	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC807-16W_R1_00001CT	EAR99	8541.21.0095	3.000													45 V	500 mA	100nA (ICBO)	PNP	700mV a 50mA, 500mA	100 a 100 mA, 1 V	100 MHz
PJD30N15_L2_00001	1.0700	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD30	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD30N15_L2_00001CT	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	150 V	3,5 A (Ta), 25 A (Tc)	6 V, 10 V	65 mOhm a 5 A, 10 V	4 V a 250 µA	29,5 nC a 10 V	±25 V	1764 pF a 30 V	-	2 W (Ta), 102 W (Tc)
PJQ2407_R1_00001	0,5000	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-WDFN Tampone esposto	PJQ2407	MOSFET (ossido di metallo)		DFN2020B-6	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ2407_R1_00001CT	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	30 V	8,4A(Ta)	4,5 V, 10 V	20 mOhm a 8,4 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	11 nC a 4,5 V	±20 V	1169 pF a 15 V	-	2 W (Ta)
MMDT2222ATB6_R1_00001	0,0513	Richiesta di offerta	7422	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	MMDT2222		200 mW	SOT-563	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	120.000													40 V	600mA	10nA	2 NPN (doppio)	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	300 MHz