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Transistor(860)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
MMDT3904_R1_00001	0,2200	Richiesta di offerta	39	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MMDT3904		225 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-MMDT3904_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0095	3.000													40 V	200mA	50nA	2 NPN (doppio)	300 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 10 mA, 1 V	-
PJF12NA60_T0_00001	-	Richiesta di offerta	1826	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	PJF12NA60	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3757-PJF12NA60_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	600 V	12A (Ta)	10 V	700 mOhm a 6 A, 10 V	4 V a 250 µA	24 nC a 10 V	±30 V	1492 pF a 25 V	-	51 W (Tc)
BC857C_R1_00001	0,1900	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	BC856	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-50°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC857		330 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC857C_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0075	3.000													45 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	420 a 2 mA, 5 V	200 MHz
PJA3404A_R1_00001	0,3700	Richiesta di offerta	17	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3404	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJA3404A_R1_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	30 V	5,6A(Ta)	4,5 V, 10 V	23 mOhm a 5,6 A, 10 V	2,1 V a 250 µA	12,8 nC a 10 V	±20 V	602 pF a 15 V	-	1,25 W(Ta)
PJF4NA50A_T0_00001	0,3042	Richiesta di offerta	9923	Panjit International Inc.	-	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	PJF4NA50	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJF4NA50A_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	500 V	4A (Ta)	10 V	2,3 Ohm a 2 A, 10 V	4 V a 250 µA	9,8 nC a 10 V	±30 V	449 pF a 25 V	-	42 W (Tc)
PJX8812_R1_00001	0,3900	Richiesta di offerta	8686	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	PJX8812	MOSFET (ossido di metallo)	300 mW (Ta)	SOT-563	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJX8812_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0095	4.000	2 canali N (doppio)		30 V	350mA(Ta)		1,2 Ohm a 350 mA, 4,5 V	1,1 V a 250 µA	0,87 nC a 4,5 V		34 pF a 15 V	-
PJA3407_R1_00001	0,4400	Richiesta di offerta	21	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3407	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	30 V	3,8A(Ta)	4,5 V, 10 V	65 mOhm a 3,8 A, 10 V	2,1 V a 250 µA	12 nC a 10 V	±20 V	528 pF a 15 V	-	1,25 W(Ta)
PJQ5465A-AU_R2_000A1	0,3712	Richiesta di offerta	9039	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ5465	MOSFET (ossido di metallo)		DFN5060-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ5465A-AU_R2_000A1TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	60 V	5A (Ta), 16A (Tc)	4,5 V, 10 V	48 mOhm a 8 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	22 nC a 10 V	±20 V	1256 pF a 30 V	-	2 W (Ta), 25 W (Tc)
PJE8401_R1_00001	0,4400	Richiesta di offerta	7	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-523	PJE8401	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-523	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	4.000		Canale P	20 V	900mA (Ta)	1,8 V, 4,5 V	130 mOhm a 900 mA, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	5,4 nC a 4,5 V	±12V	416 pF a 10 V	-	300 mW (Ta)
PJD7NA60_L2_00001	-	Richiesta di offerta	7794	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD7N	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD7NA60_L2_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	600 V	7A (Ta)	10 V	1,2 Ohm a 3,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	15,2 nC a 10 V	±30 V	723 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
MMBT4401_R1_00001	0,1800	Richiesta di offerta	35	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT4401		225 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													40 V	600 mA	100 nA	NPN	750mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 1 V	250 MHz
PJW3P06A-AU_R2_000A1	0,6400	Richiesta di offerta	4	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	PJW3P06A	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P	60 V	3A (Ta)	4,5 V, 10 V	170 mOhm a 2 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	8,3 nC a 10 V	±20 V	430 pF a 30 V	-	3,1 W (Ta)
PJMF360N60EC_T0_00001	6.8300	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata	PJMF360	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB-F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJMF360N60EC_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN	600 V	11A(Tc)	10 V	360 mOhm a 5,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	18,7 nC a 10 V	±30 V	735 pF a 400 V	-	30 W (Tc)
PJQ4465AP_R2_00001	0,2138	Richiesta di offerta	3567	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ4465	MOSFET (ossido di metallo)		DFN3333-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ4465AP_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	5.000		Canale P	60 V	5A (Ta), 16A (Tc)	4,5 V, 10 V	48 mOhm a 5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	22 nC a 10 V	±20 V	1256 pF a 30 V	-	2W (Ta), 20W (Tc)
PJD6NA70_L2_00001	0,5530	Richiesta di offerta	5083	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD6N	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD6NA70_L2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	700 V	6A (Ta)	10 V	1,7 Ohm a 3 A, 10 V	4 V a 250 µA	16,5 nC a 10 V	±30 V	831 pF a 25 V	-	128 W(Tc)
BC859B_R1_00001	0,0189	Richiesta di offerta	6356	Panjit International Inc.	BC856	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-50°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC859		330 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	120.000													30 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	220 a 2 mA, 5 V	200 MHz
PJS6833_S2_00001	0,0967	Richiesta di offerta	4913	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	PJS6833	MOSFET (ossido di metallo)	1,25 W(Ta)	SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJS6833_S2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	10.000	2 canali P (doppio)		30 V	1,1 A (Ta)		370 mOhm a 1,1 A, 4,5 V	1,3 V a 250 µA	1,6 nC a 4,5 V		125 pF a 15 V	-
PJ2301_R1_00001	0,4100	Richiesta di offerta	1888	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJ2301	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJ2301_R1_00001CT	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	20 V	3.1A (Ta)	1,8 V, 4,5 V	100 mOhm a 3,1 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	5,4 nC a 4,5 V	±12V	416 pF a 10 V	-	1,25 W(Ta)
PJQ5442-AU_R2_000A1	0,9500	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ5442	MOSFET (ossido di metallo)		DFN5060-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ5442-AU_R2_000A1CT	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	40 V	14A (Ta), 90A (Tc)	4,5 V, 10 V	5,5 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	25 nC a 4,5 V	±20 V	1258 pF a 25 V	-	2,4 W (Ta), 99,3 W (Tc)
PJX8804_R1_00001	0,1185	Richiesta di offerta	7507	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	PJX8804	MOSFET (ossido di metallo)	300 mW (Ta)	SOT-563	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJX8804_R1_00001TR	EAR99	8541.21.0095	4.000	2 canali N (doppio)		30 V	600mA (Ta)		220mOhm @ 600mA, 4,5V	1,3 V a 250 µA	1,5 nC a 4,5 V		93 pF a 15 V	-
BC846B-AU_R1_000A1	0,1900	Richiesta di offerta	5	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101, BC846-AU	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC846		330 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000													65 V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	600mV a 5mA, 100mA	200 a 2 mA, 5 V	-
PJZ6NA90_T0_10001	-	Richiesta di offerta	3667	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3	PJZ6NA90	MOSFET (ossido di metallo)		TO-3PL	-				3757-PJZ6NA90_T0_10001	OBSOLETO		1		CanaleN	900 V	6A (Ta)	10 V	2,3 Ohm a 3 A, 10 V	4 V a 250 µA	23,6 nC a 10 V	±30 V	915 pF a 25 V	-	192 W(Tc)
PJA3436-AU_R1_000A1	0,3300	Richiesta di offerta	8	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3436	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJA3436-AU_R1_000A1DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	20 V	1,2A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	380 mOhm a 1,2 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	0,9 nC a 4,5 V	±12V	39 pF a 10 V	-	1,25 W(Ta)
PJP4NA70_T0_00001	-	Richiesta di offerta	1815	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PJP4	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3757-PJP4NA70_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	700 V	4A (Ta)	10 V	2,8 Ohm a 2 A, 10 V	4 V a 250 µA	10,5 nC a 10 V	±30 V	514 pF a 25 V	-	100 W (Tc)
PJD4NA60_R2_00001	0,8900	Richiesta di offerta	5438	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD4NA60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD4NA60_R2_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	600 V	4A (Ta)	10 V	2,4 Ohm a 2 A, 10 V	4 V a 250 µA	11,1 nC a 10 V	±30 V	450 pF a 25 V	-	-
BC847CPN-AU_R1_000A1	0,0405	Richiesta di offerta	9716	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC847		380 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	120.000													45 V	100mA	15nA (ICBO)	NPN, PNP Complementari	600mV a 5mA, 100mA	420 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PJP7NA60_T0_00001	0,6033	Richiesta di offerta	1972	Panjit International Inc.	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PJP7	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJP7NA60_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	600 V	7A (Ta)	10 V	1,2 Ohm a 3,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	15,2 nC a 10 V	±30 V	723 pF a 25 V	-	145 W(Tc)
PJA3430_R1_00001	0,3500	Richiesta di offerta	59	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3430	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJA3430_R1_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	20 V	2A (Ta)	1,8 V, 4,5 V	150 mOhm a 2 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	1,8 nC a 4,5 V	±8 V	92 pF a 10 V	-	1,25 W(Ta)
BC846BW_R1_00001	0,1900	Richiesta di offerta	5	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC846		250 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC846BW_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0095	3.000													65 V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	600mV a 5mA, 100mA	200 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PJT7601_R1_00001	0,4300	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PJT7601	MOSFET (ossido di metallo)	350 mW(Ta)	SOT-363	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJT7601_R1_00001TR	EAR99	8541.21.0095	3.000	Canali N e P complementari		20 V	500mA (Ta)		400 mOhm a 500 mA, 4,5 V, 1,2 Ohm a 500 mA, 4,5 V	1 V a 250 µA	1,4 nC a 4,5 V		67pF a 10 V, 38 pF a 10 V	Porta a livello logico, azionamento da 1,2 V