Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Transistor(860)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
PJA3407_R1_00001	0,4400	Richiesta di offerta	21	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3407	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	30 V	3,8A(Ta)	4,5 V, 10 V	65 mOhm a 3,8 A, 10 V	2,1 V a 250 µA	12 nC a 10 V	±20 V	528 pF a 15 V	-	1,25 W(Ta)
PJQ4465AP_R2_00001	0,2138	Richiesta di offerta	3567	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ4465	MOSFET (ossido di metallo)		DFN3333-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ4465AP_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	5.000		Canale P	60 V	5A (Ta), 16A (Tc)	4,5 V, 10 V	48 mOhm a 5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	22 nC a 10 V	±20 V	1256 pF a 30 V	-	2W (Ta), 20W (Tc)
PJX8812_R1_00001	0,3900	Richiesta di offerta	8686	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	PJX8812	MOSFET (ossido di metallo)	300 mW (Ta)	SOT-563	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJX8812_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0095	4.000	2 canali N (doppio)		30 V	350mA(Ta)		1,2 Ohm a 350 mA, 4,5 V	1,1 V a 250 µA	0,87 nC a 4,5 V		34 pF a 15 V	-
PJD6NA70_L2_00001	0,5530	Richiesta di offerta	5083	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD6N	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD6NA70_L2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	700 V	6A (Ta)	10 V	1,7 Ohm a 3 A, 10 V	4 V a 250 µA	16,5 nC a 10 V	±30 V	831 pF a 25 V	-	128 W(Tc)
PJA3404A_R1_00001	0,3700	Richiesta di offerta	17	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3404	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJA3404A_R1_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	30 V	5,6A(Ta)	4,5 V, 10 V	23 mOhm a 5,6 A, 10 V	2,1 V a 250 µA	12,8 nC a 10 V	±20 V	602 pF a 15 V	-	1,25 W(Ta)
PJF4NA50A_T0_00001	0,3042	Richiesta di offerta	9923	Panjit International Inc.	-	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	PJF4NA50	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJF4NA50A_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	500 V	4A (Ta)	10 V	2,3 Ohm a 2 A, 10 V	4 V a 250 µA	9,8 nC a 10 V	±30 V	449 pF a 25 V	-	42 W (Tc)
MMBT4401_R1_00001	0,1800	Richiesta di offerta	35	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT4401		225 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													40 V	600 mA	100 nA	NPN	750mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 1 V	250 MHz
PJD4NA50A_L2_00001	0,2302	Richiesta di offerta	7692	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD4NA50	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD4NA50A_L2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	500 V	4A (Ta)	10 V	2,3 Ohm a 2 A, 10 V	4 V a 250 µA	9,8 nC a 10 V	±30 V	449 pF a 25 V	-	78 W (Tc)
PJQ5458A_R2_00001	0,2323	Richiesta di offerta	5874	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ5458	MOSFET (ossido di metallo)		DFN5060-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ5458A_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	60 V	4,4 A (Ta), 16 A (Tc)	4,5 V, 10 V	50 mOhm a 8 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	14 nC a 10 V	±20 V	815 pF a 15 V	-	2 W (Ta), 27 W (Tc)
PJA3460-AU_R1_000A1	0,3700	Richiesta di offerta	4340	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3460	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJA3460-AU_R1_000A1DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	60 V	2,5A(Ta)	4,5 V, 10 V	75 mOhm a 2 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	9,3 nC a 10 V	±20 V	509 pF a 15 V	-	1,25 W(Ta)
PJP8NA50_T0_00001	-	Richiesta di offerta	1010	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PJP8	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3757-PJP8NA50_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	500 V	8A (Ta)	10 V	900 mOhm a 4 A, 10 V	4 V a 250 µA	16,2 nC a 10 V	±30 V	826 pF a 25 V	-	134 W(Tc)
PJD6NA40_R2_00001	0,3784	Richiesta di offerta	1127	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD6N	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD6NA40_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	400 V	6A (Ta)	10 V	950 mOhm a 3 A, 10 V	4 V a 250 µA	11,4 nC a 10 V	±30 V	553 pF a 25 V	-	-
PJA3403_R1_00001	0,4900	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3403	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	30 V	3.1A (Ta)	2,5 V, 10 V	98 mOhm a 3,1 A, 10 V	1,3 V a 250 µA	11 nC a 10 V	±12V	443 pF a 15 V	-	1,25 W(Ta)
PJQ4442P-AU_R2_000A1	0,3260	Richiesta di offerta	8578	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ4442	MOSFET (ossido di metallo)		DFN3333-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ4442P-AU_R2_000A1TR	EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN	40 V	12,7 A (Ta), 50 A (Tc)	4,5 V, 10 V	7,5 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	17 nC a 4,5 V	±20 V	1759 pF a 25 V	-	2,4 W (Ta), 53,6 W (Tc)
PJW5N06A-AU_R2_000A1	0,1953	Richiesta di offerta	6215	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	PJW5N06	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJW5N06A-AU_R2_000A1TR	EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	60 V	5A (Ta)	4,5 V, 10 V	75 mOhm a 5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	9,3 nC a 10 V	±20 V	509 pF a 15 V	-	3,72 W(Ta)
PJD60R540E_L2_00001	0,6736	Richiesta di offerta	9877	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD60R540E_L2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	600 V	1,3 A (Ta), 9 A (Tc)	10 V	535 mOhm a 2,8 A, 10 V	4 V a 250 µA	23,7 nC a 10 V	±20 V	531 pF a 25 V	-	94 W (Tc)
MMDT3906TB6_R1_00001	0,3800	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	MMDT3906		200 mW	SOT-563	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	4.000													40 V	200mA	50nA	2 PNP (doppio)	400 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 10 mA, 1 V	250 MHz
PJT7800_R1_00001	0,5100	Richiesta di offerta	7	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PJT7800	MOSFET (ossido di metallo)	350 mW(Ta)	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali N (doppio)		20 V	1A (Ta)		150 mOhm a 1 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	1,6 nC a 4,5 V		92 pF a 10 V	-
PJA3432-AU_R1_000A1	0,3300	Richiesta di offerta	101	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3432	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	30 V	1,6A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	200 mOhm a 1,6 A, 4,5 V	1,3 V a 250 µA	1,5 nC a 4,5 V	±8 V	93 pF a 15 V	-	1,25 W(Ta)
BC849CW_R1_00001	0,1900	Richiesta di offerta	1	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC849		250 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC849CW_R1_00001CT	EAR99	8541.21.0095	3.000													30 V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	600mV a 5mA, 100mA	420 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PJMB130N65EC_R2_00601	-	Richiesta di offerta	7904	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	PJMB130	MOSFET (ossido di metallo)		TO-263	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN	650 V	29A(Tc)	10 V	130 mOhm a 10,8 A, 10 V	4 V a 250 µA	51 nC a 10 V	±30 V	1920 pF a 400 V	-	235 W(Tc)
PJF6NA90_T0_00001	-	Richiesta di offerta	4651	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	PJF6NA90	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3757-PJF6NA90_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	900 V	6A (Ta)	10 V	2,3 Ohm a 3 A, 10 V	4 V a 250 µA	23,6 nC a 10 V	±30 V	915 pF a 25 V	-	56 W (Tc)
PJL9426_R2_00001	0,1787	Richiesta di offerta	4142	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	PJL9426	MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJL9426_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	40 V	10A (Ta)	4,5 V, 10 V	11 mOhm a 8 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	10 nC a 4,5 V	±20 V	1040 pF a 20 V	-	2,1 W (Ta)
BC858B-AU_R1_000A1	0,2100	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101, BC856-AU	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-50°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC858		330 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000													30 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	220 a 2 mA, 5 V	200 MHz
PJL9428_R2_00001	0,1403	Richiesta di offerta	3441	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	PJL9428	MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJL9428_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	40 V	6A (Ta)	4,5 V, 10 V	32 mOhm a 5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	4,4 nC a 4,5 V	±20 V	425 pF a 25 V	-	2,1 W (Ta)
PJW2P10A_R2_00001	0,4300	Richiesta di offerta	1	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	PJW2P10A	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P	100 V	1,5A(Ta)	4,5 V, 10 V	650 mOhm a 1,5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	8 nC a 10 V	±20 V	448 pF a 15 V	-	3,1 W (Ta)
PJA3416-AU_R1_000A1	0,5000	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3416	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJA3416-AU_R1_000A1CT	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	20 V	5,8A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	27 mOhm a 5,8 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	6,7 nC a 4,5 V	±12V	513 pF a 10 V	-	1,25 W(Ta)
PJD11N06A_L2_00001	0,1611	Richiesta di offerta	5139	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD11	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD11N06A_L2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	60 V	3,7 A (Ta), 11 A (Tc)	4,5 V, 10 V	75 mOhm a 6 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	9,3 nC a 10 V	±20 V	509 pF a 15 V	-	2 W (Ta), 25 W (Tc)
PJQ5544-AU_R2_002A1	1.5300	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ5544	MOSFET (ossido di metallo)		DFN5060-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	40 V	24A (Ta), 130A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,3 mOhm a 20 A, 10 V	2,3 V a 50 µA	41 nC a 10 V	±20 V	2851 pF a 25 V	-	3,3 W (Ta), 100 W (Tc)
PJF2NA60_T0_00001	-	Richiesta di offerta	7689	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	PJF2NA60	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3757-PJF2NA60_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	600 V	2A (Ta)	10 V	4,4 Ohm a 1 A, 10 V	4 V a 250 µA	5,7 nC a 10 V	±30 V	257 pF a 25 V	-	23 W (Tc)