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Transistor(860)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
PJD2NA60_L2_00001	-	Richiesta di offerta	5247	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD2N	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD2NA60_L2_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	600 V	2A (Ta)	10 V	4,4 Ohm a 1 A, 10 V	4 V a 250 µA	5,7 nC a 10 V	±30 V	257 pF a 25 V	-	34 W (Tc)
PJP2NA1K_T0_00001	-	Richiesta di offerta	8126	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PJP2	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3757-PJP2NA1K_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	1000 V	2A (Ta)	10 V	9 Ohm a 1 A, 10 V	4 V a 250 µA	14 nC a 10 V	±30 V	385 pF a 25 V	-	80 W (Tc)
PBHV8110DW_R2_00001	0,4300	Richiesta di offerta	520	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	PBHV8110		2,6 W	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PBHV8110DW_R2_00001CT	EAR99	8541.29.0095	2.500													100 V	1A	500nA (ICBO)	NPN	450 mV a 100 mA, 1 A	140 a 150 mA, 2 V	100 MHz
PJP5NA50_T0_00001	-	Richiesta di offerta	2097	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PJP5	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3757-PJP5NA50_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	500 V	5A (Ta)	10 V	1,55 Ohm a 2,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	11 nC a 10 V	±30 V	491 pF a 25 V	-	87,5 W(Tc)
PJA7002H_R1_00001	0,2200	Richiesta di offerta	74	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA7002	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJA7002H_R1_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	60 V	300mA (Ta)	5 V, 10 V	5 Ohm a 300 mA, 10 V	3 V a 250 µA	1,3 nC a 4,5 V	±20 V	22 pF a 25 V	-	500 mW (Ta)
BC817-40W_R1_00001	0,1900	Richiesta di offerta	365	Panjit International Inc.	BC817-16W	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC817		300 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC817-40W_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0075	3.000													45 V	500 mA	100nA (ICBO)	NPN	700mV a 50mA, 500mA	250 a 100 mA, 1 V	100 MHz
PJMP360N60EC_T0_00001	2.9700	Richiesta di offerta	1	Panjit International Inc.	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PJMP360	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB-L	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJMP360N60EC_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	600 V	11A(Tc)	10 V	360 mOhm a 5,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	18,7 nC a 10 V	±30 V	735 pF a 400 V	-	87,5 W(Tc)
PJA3438_R1_00001	0,4700	Richiesta di offerta	31	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3438	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJA3438_R1_00001TR	EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	50 V	500mA (Ta)	1,8 V, 10 V	1,45 Ohm a 500 mA, 10 V	1 V a 250 µA	0,95 nC a 4,5 V	±20 V	36 pF a 25 V	-	500 mW (Ta)
PJQ4848P_R2_00001	0,6700	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerWDFN	PJQ4848	MOSFET (ossido di metallo)	2 W (Ta), 33 W (Tc)	DFN3333B-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ4848P_R2_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	5.000	2 canali N (doppio)		40 V	9A (Ta), 37A (Tc)		15 mOhm a 8 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	10nC a 4,5 V		1040 pF a 20 V	-
PJMF900N65E1_T0_00001	1.4800	Richiesta di offerta	1	Panjit International Inc.	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata	PJMF900	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB-F	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN	650 V	4,7 A(Tc)	10 V	900 mOhm a 1,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	13 nC a 10 V	±30 V	382 pF a 400 V	-	25,5 W(Tc)
MMDT3906_R1_00001	0,2200	Richiesta di offerta	17	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MMDT3906		200 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-MMDT3906_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0095	3.000													40 V	200mA	50nA	2 PNP (doppio)	400 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 10 mA, 1 V	-
PJS6601_S2_00001	0,1333	Richiesta di offerta	1799	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	PJS6601	MOSFET (ossido di metallo)	1,25 W(Ta)	SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJS6601_S2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	10.000	Canali N e P complementari		20 V	4,1 A (Ta), 3,1 A (Ta)		56 mOhm a 4,1 A, 4,5 V, 100 mOhm a 3,1 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	4,6 nC a 4,5 V, 5,4 nC a 4,5 V		350 pF a 10 V, 416 pF a 10 V	-
PJQ4465AP-AU_R2_000A1	0,8900	Richiesta di offerta	5895	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ4465	MOSFET (ossido di metallo)		DFN3333-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		Canale P	60 V	5A (Ta), 15A (Tc)	4,5 V, 10 V	48 mOhm a 5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	22 nC a 10 V	±20 V	1256 pF a 30 V	-	2W (Ta), 20W (Tc)
PJD80N04_L2_00001	0,7200	Richiesta di offerta	1	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD80	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD80N04_L2_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	40 V	14A (Ta), 80A (Tc)	4,5 V, 10 V	5,5 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	25 nC a 4,5 V	±20 V	1258 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 66 W (Tc)
PJL9809_R2_00001	0,1992	Richiesta di offerta	5105	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	PJL9809	MOSFET (ossido di metallo)	1,25 W(Ta)	8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJL9809_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	2.500	2 canali P (doppio)		30 V	5,3A(Ta)		30 mOhm a 4 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	7,8 nC a 4,5 V		870 pF a 15 V	-
MMBT4401-AU_R1_000A1	0,2200	Richiesta di offerta	1621	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT4401		225 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-MMBT4401-AU_R1_000A1DKR	EAR99	8541.21.0075	3.000													40 V	600 mA	100 nA	NPN	750mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 1 V	250 MHz
PJA3411-AU_R2_000A1	-	Richiesta di offerta	9509	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3411	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	12.000		Canale P	20 V	3.1A (Ta)	1,8 V, 4,5 V	100 mOhm a 3,1 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	5,4 nC a 4,5 V	±12V	416 pF a 10 V	-	1,25 W(Ta)
PJX8856_R1_00001	-	Richiesta di offerta	9503	Panjit International Inc.	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				PJX8856				-	Conformità ROHS3			3757-PJX8856_R1_00001TR	OBSOLETO		1
PJQ2460_R1_00001	0,4300	Richiesta di offerta	6	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-WDFN Tampone esposto	PJQ2460	MOSFET (ossido di metallo)		DFN2020B-6	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ2460_R1_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	60 V	3,2A(Ta)	4,5 V, 10 V	75 mOhm a 3,2 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	9,3 nC a 10 V	±20 V	509 pF a 15 V	-	2 W (Ta)
BC846BW-AU_R1_000A1	0,1900	Richiesta di offerta	324	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC846		250 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC846BW-AU_R1_000A1DKR	EAR99	8541.21.0095	3.000													65 V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	600mV a 5mA, 100mA	200 a 2 mA, 5 V	-
PJA3439_R1_00001	0,3900	Richiesta di offerta	37	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3439	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJA3439_R1_00001TR	EAR99	8541.21.0095	3.000		Canale P	60 V	300mA (Ta)	2,5 V, 10 V	4 Ohm a 500 mA, 10 V	2,5 V a 250 µA	1,1 nC a 4,5 V	±20 V	51 pF a 25 V	-	500 mW (Ta)
MMBT2222AW_R1_00001	0,1900	Richiesta di offerta	42	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	MMBT2222		150 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000													40 V	600 mA	10nA	NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
PJE138K_R1_00001	0,3700	Richiesta di offerta	14	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-89, SOT-490	PJE138	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-523 Cavi piatti	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJE138K_R1_00001TR	EAR99	8541.21.0095	4.000		CanaleN	50 V	350mA(Ta)	2,5 V, 10 V	1,6 Ohm a 500 mA, 10 V	1,5 V a 250 µA	1 nC a 4,5 V	±20 V	50 pF a 25 V	-	223 mW (Ta)
MMBTA42-AU_R1_000A1	0,2900	Richiesta di offerta	4576	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBTA42		250 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000													300 V	500 mA	100nA (ICBO)	NPN	500 mV a 2 mA, 20 mA	40 a 30 mA, 10 V	50 MHz
PBHV8110DH-AU_R1_000A1	0,4100	Richiesta di offerta	8904	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	PBHV8110		1,4 W	SOT-89	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PBHV8110DH-AU_R1_000A1DKR	EAR99	8541.29.0075	1.000													100 V	1A	500nA (ICBO)	NPN	450 mV a 100 mA, 1 A	140 a 150 mA, 2 V	100 MHz
PJD50N04_L2_00001	0,6800	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD50	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD50N04_L2_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	40 V	9,6 A (Ta), 50 A (Tc)	4,5 V, 10 V	9,5 mOhm a 8 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	22 nC a 10 V	±20 V	1258 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 54 W (Tc)
PJMF380N65E1_T0_00001	2.1700	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata	PJMF380	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB-F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN	650 V	10,6 A(Tc)	10 V	380 mOhm a 3,2 A, 10 V	4 V a 250 µA	22 nC a 10 V	±30 V	769 pF a 400 V	-	33 W (Tc)
PJQ5445_R2_00001	0,3322	Richiesta di offerta	3479	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ5445	MOSFET (ossido di metallo)		DFN5060-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ5445_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	40 V	8,5 A (Ta), 45 A (Tc)	4,5 V, 10 V	17 mOhm a 15 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	19 nC a 4,5 V	±20 V	2030 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 63 W (Tc)
PJC7404_R1_00001	0,4400	Richiesta di offerta	23	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	PJC7404	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJC7404_R1_00001CT	EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	20 V	1A (Ta)	1,8 V, 4,5 V	150 mOhm a 1 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	1,6 nC a 4,5 V	±8 V	92 pF a 10 V	-	350 mW(Ta)
PJQ2800_R1_00001	0,6000	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Tampone esposto 6-VDFN	PJQ2800	MOSFET (ossido di metallo)	1,45 W(Ta)	DFN2020-6L	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ2800_R1_00001CT	EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)		20 V	5,2A(Ta)		32 mOhm a 5,2 A, 4,5 V	900 mV a 250 µA	6,3 nC a 4,5 V		515 pF a 10 V	-