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Transistor(860)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
PJMP900N60EC_T0_00001	3.1600	Richiesta di offerta	1	Panjit International Inc.	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PJMP900	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB-L	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJMP900N60EC_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN	600 V	5A (Tc)	10 V	900 mOhm a 2,3 A, 10 V	4 V a 250 µA	8,8 nC a 10 V	±30 V	310 pF a 400 V	-	47,5 W(Tc)
PJS6407_S1_00001	0,4700	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	PJS6407	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	30 V	4,9A(Ta)	4,5 V, 10 V	64 mOhm a 4,9 A, 10 V	2,1 V a 250 µA	14 nC a 10 V	±20 V	528 pF a 15 V	-	2 W (Ta)
PJP6NA40_T0_00001	-	Richiesta di offerta	2706	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PJP6	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3757-PJP6NA40_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	400 V	6A (Ta)	10 V	950 mOhm a 3 A, 10 V	4 V a 250 µA	11,4 nC a 10 V	±30 V	553 pF a 25 V	-	100 W (Tc)
MMBT5551_R1_00001	0,2200	Richiesta di offerta	29	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT5551		250 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-MMBT5551_R1_00001TR	EAR99	8541.21.0075	3.000													160 V	600 mA	50nA (ICBO)	NPN	200 mV a 5 mA, 50 mA	80 a 10 mA, 5 V	300 MHz
PJD8NA50_R2_00001	0,5160	Richiesta di offerta	6540	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD8N	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD8NA50_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	500 V	8A (Ta)	10 V	900 mOhm a 4 A, 10 V	4 V a 250 µA	16,2 nC a 10 V	±30 V	826 pF a 25 V	-	-
PJS6816_S1_00001	0,4300	Richiesta di offerta	5	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	PJS6816	MOSFET (ossido di metallo)	1,25 W(Ta)	SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)		20 V	5,2A(Ta)		29 mOhm a 5,2 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	7nC a 4,5 V		513 pF a 10 V	-
PJF60R620E_T0_00001	0,7015	Richiesta di offerta	6738	Panjit International Inc.	-	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	PJF60R620E	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJF60R620E_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	600 V	1,2 A (Ta), 7 A (Tc)	10 V	620 mOhm a 2,4 A, 10 V	4 V a 250 µA	21 nC a 10 V	±20 V	457 pF a 25 V	-	1,04 W (Ta), 45 W (Tc)
PJD25P03_L2_00001	-	Richiesta di offerta	5501	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD25	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	30 V	6,5 A (Ta), 25 A (Tc)	4,5 V, 10 V	30 mOhm a 4 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	7,8 nC a 4,5 V	±20 V	870 pF a 15 V	-	2 W (Ta), 30 W (Tc)
PJA3419_R1_00001	0,3900	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3419	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJA3419_R1_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	20 V	4A (Ta)	1,8 V, 10 V	60 mOhm a 4 A, 10 V	1,2 V a 250 µA	6,9 nC a 4,5 V	±12V	602 pF a 10 V	-	1,25 W(Ta)
PJP18N20_T0_00001	1.0700	Richiesta di offerta	5419	Panjit International Inc.	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PJP18	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	3757-PJP18N20_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	200 V	18A (Tc)	10 V	160 mOhm a 9 A, 10 V	3 V a 250 µA	24 nC a 10 V	±20 V	1017 pF a 25 V	-	89 W(Tc)
PJQ5866A-AU_R2_000A1	0,9600	Richiesta di offerta	1	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	PJQ5866	MOSFET (ossido di metallo)	2 W (Ta), 68,2 W (Tc)	DFN5060B-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)		60 V	7A (Ta), 40A (Tc)		17 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	13,5 nC a 4,5 V		1574 pF a 25 V	-
PJQ5443_R2_00001	0,7500	Richiesta di offerta	4552	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ5443	MOSFET (ossido di metallo)		DFN5060-8	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	40 V	9A (Ta), 50A (Tc)	4,5 V, 10 V	12 mOhm a 10 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	23 nC a 4,5 V	±20 V	2767 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 63 W (Tc)
PJA3411_R1_00001	0,4900	Richiesta di offerta	138	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3411	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJA3411_R1_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	20 V	3.1A (Ta)	1,8 V, 4,5 V	100 mOhm a 3,1 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	5,4 nC a 10 V	±12V	416 pF a 10 V	-	1,25 W(Ta)
PJA3434_R2_00001	-	Richiesta di offerta	1413	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3434	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento			REACH Inalterato	3757-PJA3434_R2_00001TR	EAR99	8541.21.0095	1		CanaleN	20 V	750mA (Ta)	1,2 V, 4,5 V	400 mOhm a 600 mA, 4,5 V	1 V a 250 µA	1,4 nC a 4,5 V	±10 V	67 pF a 10 V	-	500 mW (Ta)
PJA3471_R1_00001	0,4300	Richiesta di offerta	14	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3471	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJA3471_R1_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	100 V	900mA (Ta)	4,5 V, 10 V	650 mOhm a 900 mA, 10 V	2,5 V a 250 µA	8 nC a 10 V	±20 V	448 pF a 15 V	-	1,25 W(Ta)
BC857BS-AU_R1_000A1	0,3300	Richiesta di offerta	9910	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC857		300 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC857BS-AU_R1_000A1DKR	EAR99	8541.21.0075	3.000													45 V	100mA	15nA (ICBO)	2 PNP (doppio)	650 mV a 5 mA, 100 mA	220 a 2 mA, 5 V	100 MHz
MMBT5551-AU_R1_000A2	0,2700	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT5551		250 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													160 V	600 mA	50nA (ICBO)	NPN	200 mV a 5 mA, 50 mA	80 a 10 mA, 5 V	300 MHz
2N7002KW-AU_R1_000A1	0,2600	Richiesta di offerta	7	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	2N7002	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-2N7002KW-AU_R1_000A1TR	EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	60 V	250mA (Ta)	4,5 V, 10 V	3 Ohm a 500 mA, 10 V	2,5 V a 250 µA	0,8 nC a 5 V	±20 V	24 pF a 25 V	-	350 mW(Ta)
PJW1NA60A_R2_00001	-	Richiesta di offerta	9385	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	PJW1NA60A	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	600 V	400mA (Ta)	10 V	7,9 Ohm a 500 mA, 10 V	4 V a 250 µA	3,1 nC a 10 V	±30 V	148 pF a 25 V	-	3,3 W(Tc)
PJD100N04-AU_L2_000A1	0,7127	Richiesta di offerta	2466	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD100	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD100N04-AU_L2_000A1TR	EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	40 V	17A (Ta), 100A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,8 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	50 nC a 4,5 V	±20 V	5214 pF a 25 V	-	2,4 W (Ta), 83,3 W (Tc)
PJX8603_R1_00001	0,4100	Richiesta di offerta	11	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	PJX8603	MOSFET (ossido di metallo)	300 mW (Ta)	SOT-563	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	4.000	Canali N e P complementari		50 V, 60 V	360 mA (Ta), 200 mA (Ta)		1,5 Ohm a 500 mA, 10 V, 6 Ohm a 500 mA, 10 V	1 V a 250 µA, 2,5 V a 250 µA	0,95 nC a 4,5 V, 1,1 nC a 4,5 V		36pF a 25V, 51pF a 25V	-
PJD40N04_L2_00001	0,5800	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD40	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD40N04_L2_00001CT	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	40 V	10A (Ta), 40A (Tc)	4,5 V, 10 V	12 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	10 nC a 4,5 V	±20 V	1040 pF a 20 V	-	2 W (Ta), 36 W (Tc)
PJMF580N60E1_T0_00001	1.7200	Richiesta di offerta	1	Panjit International Inc.	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata	PJMF580	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB-F	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	3757-PJMF580N60E1_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	600 V	8A (Tc)	10 V	580 mOhm a 2,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	15 nC a 10 V	±30 V	497 pF a 400 V	-	28 W (Tc)
PJQ4448P_R2_00001	0,5100	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ4448	MOSFET (ossido di metallo)		DFN3333-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN	40 V	10A (Ta), 42A (Tc)	4,5 V, 10 V	11 mOhm a 8 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	10 nC a 4,5 V	±20 V	1040 pF a 20 V	-	2 W (Ta), 35 W (Tc)
MMBTA44_R1_00001	0,1900	Richiesta di offerta	30	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBTA44		225 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000													400 V	300 mA	100nA (ICBO)	NPN	750 mV a 5 mA, 50 mA	50 a 10 mA, 10 V	50 MHz
MMBT4401W_R1_00001	0,1900	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	MMBT4401		225 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-MMBT4401W_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0075	3.000													40 V	600 mA	100 nA	NPN	750mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 1 V	250 MHz
PJD60N04-AU_L2_000A1	0,3762	Richiesta di offerta	9217	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD60N04-AU_L2_000A1TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	40 V	12,7 A (Ta), 60 A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,5 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	17 nC a 4,5 V	±20 V	1759 pF a 25 V	-	2,4 W (Ta), 75 W (Tc)
PJX8806_R1_00001	0,4200	Richiesta di offerta	9	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	PJX8806	MOSFET (ossido di metallo)	350 mW(Ta)	SOT-563	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJX8806_R1_00001CT	EAR99	8541.21.0095	4.000	2 canali N (doppio)		20 V	800mA (Ta)		400 mOhm a 500 mA, 4,5 V	1 V a 250 µA	0,92 nC a 4,5 V		50 pF a 10 V	-
PJD50P04-AU_L2_000A1	1.0500	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD50	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD50P04-AU_L2_000A1DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	40 V	9A (Ta), 50A (Tc)	4,5 V, 10 V	12 mOhm a 10 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	23 nC a 4,5 V	±20 V	2767 pF a 25 V	-	2,4 W (Ta), 75 W (Tc)
PJF2NA1K_T0_00001	-	Richiesta di offerta	7138	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	PJF2NA1K	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3757-PJF2NA1K_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	1000 V	2A (Ta)	10 V	9 Ohm a 1 A, 10 V	4 V a 250 µA	14 nC a 10 V	±30 V	385 pF a 25 V	-	39 W (Tc)