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Transistor(860)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
PJS6602_S2_00001	0,1432	Richiesta di offerta	6519	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	PJS6602	MOSFET (ossido di metallo)	1,25 W(Ta)	SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJS6602_S2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	10.000	Canali N e P complementari		20 V	5,2 A (Ta), 3,4 A (Ta)		36 mOhm a 5,2 A, 4,5 V, 82 mOhm a 3,4 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	4,1 nC a 4,5 V, 7 nC a 4,5 V		396pF a 10 V, 522pF a 10 V	-
PJT7600_R1_00001	0,4900	Richiesta di offerta	9	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PJT7600	MOSFET (ossido di metallo)	350 mW(Ta)	SOT-363	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJT7600_R1_00001TR	EAR99	8541.21.0095	3.000	Canali N e P complementari		20 V	1A (Ta), 700 mA (Ta)		150 mOhm a 1 A, 4,5 V, 325 mOhm a 700 mA, 4,5 V	1 V a 250 µA	1,6 nC a 4,5 V, 2,2 nC a 4,5 V		92 pF a 10 V, 151 pF a 10 V	-
PJD50N04-AU_L2_000A1	0,9500	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD50	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	40 V	9,6 A (Ta), 50 A (Tc)	4,5 V, 10 V	9,5 mOhm a 8 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	22 nC a 10 V	±20 V	1258 pF a 25 V	-	2,4 W (Ta), 64,9 W (Tc)
PJS6414_S1_00001	0,1185	Richiesta di offerta	4030	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	PJS6414	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJS6414_S1_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	20 V	6,6A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	36 mOhm a 6,6 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	4,1 nC a 4,5 V	±12V	400 pF a 10 V	-	2 W (Ta)
PJX8828_R1_00001	0,4000	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	PJX8828	MOSFET (ossido di metallo)	300 mW (Ta)	SOT-563	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJX8828_R1_00001CT	EAR99	8541.21.0095	4.000	2 canali N (doppio)		30 V	300mA (Ta)		1,2 Ohm a 300 mA, 4,5 V	1 V a 250 µA	0,9 nC a 4,5 V		45 pF a 10 V	-
PJL9850_R2_00001	0,5000	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	PJL9850	MOSFET (ossido di metallo)	1,7 W (Ta)	8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJL9850_R2_00001CT	EAR99	8541.29.0095	2.500	2 canali N (doppio)		40 V	5,4A(Ta)		32 mOhm a 5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	4,4 nC a 4,5 V		425 pF a 25 V	-
PJP60R190E_T0_00001	1.5046	Richiesta di offerta	5424	Panjit International Inc.	-	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PJP60R	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJP60R190E_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	600 V	2,1 A (Ta), 20 A (Tc)	10 V	196 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 250 µA	62 nC a 10 V	±20 V	1421 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 231 W (Tc)
PJD100N04-AU_L2_000A1	0,7127	Richiesta di offerta	2466	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD100	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD100N04-AU_L2_000A1TR	EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	40 V	17A (Ta), 100A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,8 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	50 nC a 4,5 V	±20 V	5214 pF a 25 V	-	2,4 W (Ta), 83,3 W (Tc)
2N7002KW-AU_R1_000A1	0,2600	Richiesta di offerta	7	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	2N7002	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-2N7002KW-AU_R1_000A1TR	EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	60 V	250mA (Ta)	4,5 V, 10 V	3 Ohm a 500 mA, 10 V	2,5 V a 250 µA	0,8 nC a 5 V	±20 V	24 pF a 25 V	-	350 mW(Ta)
MMBT4401W_R1_00001	0,1900	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	MMBT4401		225 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-MMBT4401W_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0075	3.000													40 V	600 mA	100 nA	NPN	750mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 1 V	250 MHz
PJQ4448P_R2_00001	0,5100	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ4448	MOSFET (ossido di metallo)		DFN3333-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN	40 V	10A (Ta), 42A (Tc)	4,5 V, 10 V	11 mOhm a 8 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	10 nC a 4,5 V	±20 V	1040 pF a 20 V	-	2 W (Ta), 35 W (Tc)
PJMF580N60E1_T0_00001	1.7200	Richiesta di offerta	1	Panjit International Inc.	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata	PJMF580	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB-F	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	3757-PJMF580N60E1_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	600 V	8A (Tc)	10 V	580 mOhm a 2,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	15 nC a 10 V	±30 V	497 pF a 400 V	-	28 W (Tc)
MMBTA44_R1_00001	0,1900	Richiesta di offerta	30	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBTA44		225 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000													400 V	300 mA	100nA (ICBO)	NPN	750 mV a 5 mA, 50 mA	50 a 10 mA, 10 V	50 MHz
PJD60N04-AU_L2_000A1	0,3762	Richiesta di offerta	9217	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD60N04-AU_L2_000A1TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	40 V	12,7 A (Ta), 60 A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,5 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	17 nC a 4,5 V	±20 V	1759 pF a 25 V	-	2,4 W (Ta), 75 W (Tc)
PJW1NA60A_R2_00001	-	Richiesta di offerta	9385	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	PJW1NA60A	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	600 V	400mA(Ta)	10 V	7,9 Ohm a 500 mA, 10 V	4 V a 250 µA	3,1 nC a 10 V	±30 V	148 pF a 25 V	-	3,3 W(Tc)
PJU4NA60_T0_00001	-	Richiesta di offerta	2609	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	PJU4NA60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-251AA	-				3757-PJU4NA60_T0_00001	OBSOLETO		1		CanaleN	600 V	4A (Ta)	10 V	2,4 Ohm a 2 A, 10 V	4 V a 250 µA	11,1 nC a 10 V	±30 V	450 pF a 25 V	-	77 W(Tc)
PJX8603_R1_00001	0,4100	Richiesta di offerta	11	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	PJX8603	MOSFET (ossido di metallo)	300 mW (Ta)	SOT-563	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	4.000	Canali N e P complementari		50 V, 60 V	360 mA (Ta), 200 mA (Ta)		1,5 Ohm a 500 mA, 10 V, 6 Ohm a 500 mA, 10 V	1 V a 250 µA, 2,5 V a 250 µA	0,95 nC a 4,5 V, 1,1 nC a 4,5 V		36pF a 25V, 51pF a 25V	-
PJS6407_S1_00001	0,4700	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	PJS6407	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	30 V	4,9A(Ta)	4,5 V, 10 V	64 mOhm a 4,9 A, 10 V	2,1 V a 250 µA	14 nC a 10 V	±20 V	528 pF a 15 V	-	2 W (Ta)
BC856AW_R1_00001	0,0194	Richiesta di offerta	1596	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC856		250 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	120.000													65 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	110 a 2 mA, 5 V	200 MHz
PJD50P04-AU_L2_000A1	1.0500	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD50	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD50P04-AU_L2_000A1DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	40 V	9A (Ta), 50A (Tc)	4,5 V, 10 V	12 mOhm a 10 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	23 nC a 4,5 V	±20 V	2767 pF a 25 V	-	2,4 W (Ta), 75 W (Tc)
MMBT4403W_R1_00001	0,1900	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	MMBT4403		200 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-MMBT4403W_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0075	3.000													40 V	600 mA	100 nA	PNP	750mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 2 V	200 MHz
PJS6601-AU_S1_000A1	0,4800	Richiesta di offerta	4	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	PJS6601	MOSFET (ossido di metallo)	1,25 W(Ta)	SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJS6601-AU_S1_000A1DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000	Canali N e P complementari		20 V	4,1 A (Ta), 3,1 A (Ta)		56 mOhm a 4,1 A. 4,5 V, 115 mOhm a 3,1 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	4,6 nC a 4,5 V, 5,4 nC a 4,5 V		350 pF a 10 V, 416 pF a 10 V	-
BC817-16-AU_R1_000A1	0,1900	Richiesta di offerta	703	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC817		330 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													45 V	500 mA	100nA (ICBO)	NPN	700mV a 50mA, 500mA	100 a 100 mA, 1 V	100 MHz
PJA3438_R1_00001	0,4700	Richiesta di offerta	31	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3438	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJA3438_R1_00001TR	EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	50 V	500mA (Ta)	1,8 V, 10 V	1,45 Ohm a 500 mA, 10 V	1 V a 250 µA	0,95 nC a 4,5 V	±20 V	36 pF a 25 V	-	500mW (Ta)
BCX53-16-AU_R1_000A1	0,1145	Richiesta di offerta	7292	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	BCX53		1,4 W	SOT-89	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BCX53-16-AU_R1_000A1TR	EAR99	8541.29.0075	1.000													100 V	1A	100nA (ICBO)	PNP	600 mV a 100 mA, 1 A	100 a 150 mA, 2 V	100 MHz
BC846AS-AU_R1_000A1	0,3200	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC846		150 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC846AS-AU_R1_000A1DKR	EAR99	8541.21.0095	3.000													65 V	100mA	15nA (ICBO)	2 NPN (doppio)	600mV a 5mA, 100mA	110 a 2 mA, 5 V	-
PJF60R620E_T0_00001	0,7015	Richiesta di offerta	6738	Panjit International Inc.	-	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	PJF60R620E	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJF60R620E_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	600 V	1,2 A (Ta), 7 A (Tc)	10 V	620 mOhm a 2,4 A, 10 V	4 V a 250 µA	21 nC a 10 V	±20 V	457 pF a 25 V	-	1,04 W (Ta), 45 W (Tc)
PJD25P03_L2_00001	-	Richiesta di offerta	5501	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD25	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	30 V	6,5 A (Ta), 25 A (Tc)	4,5 V, 10 V	30 mOhm a 4 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	7,8 nC a 4,5 V	±20 V	870 pF a 15 V	-	2 W (Ta), 30 W (Tc)
PJP18N20_T0_00001	1.0700	Richiesta di offerta	5419	Panjit International Inc.	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PJP18	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	3757-PJP18N20_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	200 V	18A (Tc)	10 V	160 mOhm a 9 A, 10 V	3 V a 250 µA	24 nC a 10 V	±20 V	1017 pF a 25 V	-	89 W(Tc)
PJQ5866A-AU_R2_000A1	0,9600	Richiesta di offerta	1	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	PJQ5866	MOSFET (ossido di metallo)	2 W (Ta), 68,2 W (Tc)	DFN5060B-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)		60 V	7A (Ta), 40A (Tc)		17 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	13,5 nC a 4,5 V		1574 pF a 25 V	-