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Transistor(860)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
PJD11N06A-AU_L2_000A1	0,5400	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD11	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	60 V	3,7 A (Ta), 11 A (Tc)	4,5 V, 10 V	75 mOhm a 6 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	9,3 nC a 10 V	±20 V	509 pF a 15 V	-	2,4 W (Ta), 30 W (Tc)
BC857BW_R1_00001	0,1900	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC857		250 mW	SOT-323	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC857BW_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0075	3.000													45 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V	200 MHz
PJQ4468AP_R2_00001	0,8700	Richiesta di offerta	4	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ4468	MOSFET (ossido di metallo)		DFN3333-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ4468AP_R2_00001CT	EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN	60 V	5A (Ta), 18A (Tc)	4,5 V, 10 V	34 mOhm a 10 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	20 nC a 10 V	±20 V	1173 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 24 W (Tc)
PJD35N06A-AU_L2_000A1	0,3178	Richiesta di offerta	4032	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD35	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD35N06A-AU_L2_000A1TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	60 V	4,7 A (Ta), 35 A (Tc)	4,5 V, 10 V	21 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	28 nC a 10 V	±20 V	1680 pF a 20 V	-	1,3 W (Ta), 75 W (Tc)
PJQ4404P-AU_R2_000A1	0,6500	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ4404	MOSFET (ossido di metallo)		DFN3333-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ4404P-AU_R2_000A1CT	EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN	30 V	15A (Ta), 60A (Tc)	4,5 V, 10 V	6 mOhm a 10 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	12 nC a 4,5 V	±20 V	1323 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 31 W (Tc)
PJQ5462A_R2_00001	0,6400	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ5462	MOSFET (ossido di metallo)		DFN5060-8	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	60 V	8,5 A (Ta), 42 A (Tc)	4,5 V, 10 V	12 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	40 nC a 10 V	±20 V	2142 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 60 W (Tc)
PJD16P06A-AU_L2_000A1	0,7100	Richiesta di offerta	4	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD16	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	60 V	5A (Ta), 16A (Tc)	4,5 V, 10 V	48 mOhm a 8 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	22 nC a 10 V	±20 V	1256 pF a 30 V	-	2 W (Ta), 25 W (Tc)
PJF4NA65H_T0_00001	0,3069	Richiesta di offerta	4553	Panjit International Inc.	-	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	PJF4NA65	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJF4NA65H_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	650 V	3A (Ta)	10 V	3,75 Ohm a 1,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	16,1 nC a 10 V	±30 V	423 pF a 25 V	-	23 W (Tc)
PJL9416_R2_00001	0,2412	Richiesta di offerta	6586	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	PJL9416	MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJL9416_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	30 V	16A (Ta)	4,5 V, 10 V	4,2 mOhm a 10 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	23 nC a 4,5 V	±20 V	2436 pF a 15 V	-	2,1 W (Ta)
PJE8402_R1_00001	0,4400	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-523	PJE8402	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-523	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	4.000		CanaleN	20 V	700mA (Ta)	1,8 V, 4,5 V	150mOhm @ 700mA, 4,5V	1 V a 250 µA	1,6 nC a 4,5 V	±8 V	92 pF a 10 V	-	300 mW (Ta)
BC847BFN3_R1_00001	0,2700	Richiesta di offerta	6	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-UFDFN	BC847		250 mW	3-DFN (0,6x1)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	8.000													45 V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	600mV a 5mA, 100mA	200 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PJA3449_R1_00001	0,4700	Richiesta di offerta	9	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3449	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	40 V	2,2A(Ta)	4,5 V, 10 V	160 mOhm a 2,2 A, 10 V	2,1 V a 250 µA	7,3 nC a 10 V	±20 V	299 pF a 20 V	-	1,25 W(Ta)
PJL9403_R2_00001	0,1247	Richiesta di offerta	3683	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	PJL9403	MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJL9403_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P	30 V	3,6A(Ta)	4,5 V, 10 V	72 mOhm a 3,6 A, 10 V	2,1 V a 250 µA	10 nC a 10 V	±20 V	417 pF a 15 V	-	2,1 W (Ta)
PJQ5844-AU_R2_000A1	0,4410	Richiesta di offerta	1751	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	PJQ5844	MOSFET (ossido di metallo)	2 W (Ta), 38,5 W (Tc)	DFN5060B-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ5844-AU_R2_000A1TR	EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)		40 V	10A (Ta), 45A (Tc)		8 mOhm a 15 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	17nC a 4,5 V		1759 pF a 25 V	-
2SC2411K-AU_R1_000A1	0,2400	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SC2411K		225 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-2SC2411K-AU_R1_000A1DKR	EAR99	8541.21.0075	3.000													32 V	500 mA	1μA (ICBO)	NPN	600mV a 50mA, 500mA	120 a 100 mA, 3 V	250 MHz
PJC7406_R1_00001	0,0987	Richiesta di offerta	1459	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	PJC7406	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJC7406_R1_00001TR	EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	20 V	1,3A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	77 mOhm a 1,3 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	4,6 nC a 4,5 V	±12V	350 pF a 10 V	-	350 mW(Ta)
PJL9836A_R2_00001	0,2987	Richiesta di offerta	5429	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	PJL9836	MOSFET (ossido di metallo)	1,7 W (Ta)	8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJL9836A_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	2.500	2 canali N (doppio)		60 V	6A (Ta)		21 mOhm a 5,5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	28nC a 10V		1680 pF a 20 V	-
PJQ2422_R1_00001	0,4500	Richiesta di offerta	157	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-WDFN Tampone esposto	PJQ2422	MOSFET (ossido di metallo)		DFN2020B-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ2422_R1_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	30 V	8A (Ta)	4,5 V, 10 V	18 mOhm a 8 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	4,3 nC a 4,5 V	±20 V	392 pF a 25 V	-	2 W (Ta)
PSMQC098N10LS2_R2_00201	1.5400	Richiesta di offerta	6363	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				PSMQC098				-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)					3.000
MMDT2907AQ_R1_00001	0,2900	Richiesta di offerta	17	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MMDT2907		150 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-MMDT2907AQ_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0075	3.000													60 V	600mA	50nA	2 PNP (doppio)	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	200 MHz
PJP4NA65H_T0_00001	0,3343	Richiesta di offerta	1288	Panjit International Inc.	-	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PJP4	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJP4NA65H_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	650 V	3A (Ta)	10 V	3,75 Ohm a 1,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	16,1 nC a 10 V	±30 V	423 pF a 25 V	-	44 W (Tc)
PJA3472B_R1_00001	0,0565	Richiesta di offerta	4400	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3472	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJA3472B_R1_00001TR	EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	60 V	300mA (Ta)	4,5 V, 10 V	3 Ohm a 600 mA, 10 V	2,5 V a 250 µA	0,82 nC a 4,5 V	±30 V	34 pF a 25 V	-	500 mW (Ta)
PJQ4401P_R2_00001	0,6700	Richiesta di offerta	4	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ4401	MOSFET (ossido di metallo)		DFN3333-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ4401P_R2_00001CT	EAR99	8541.29.0095	5.000		Canale P	30 V	10A (Ta), 50A (Tc)	4,5 V, 10 V	8,5 mOhm a 10 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	27 nC a 4,5 V	±20 V	3228 pF a 15 V	-	2 W (Ta), 60 W (Tc)
BC807-16_R1_00001	0,1900	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC807		330 mW	SOT-23	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC807-16_R1_00001CT	EAR99	8541.21.0095	3.000													45 V	500 mA	100nA (ICBO)	PNP	700mV a 50mA, 500mA	100 a 100 mA, 1 V	100 MHz
BC817-16_R1_00001	0,1900	Richiesta di offerta	1	Panjit International Inc.	BC817	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC817		330 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000													45 V	500 mA	100nA (ICBO)	NPN	700mV a 50mA, 500mA	100 a 100 mA, 1 V	100 MHz
PJS6417_S1_00001	0,4300	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	PJS6417	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJS6417_S1_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	20 V	6,5A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	35 mOhm a 6,5 A, 4,5 V	900 mV a 250 µA	18,9 nC a 4,5 V	±8 V	1760 pF a 10 V	-	2 W (Ta)
BC848BW_R1_00001	0,0189	Richiesta di offerta	9775	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC848		250 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	120.000													30 V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	600mV a 5mA, 100mA	200 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PJA3415AE_R1_00001	0,5100	Richiesta di offerta	66	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3415	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJA3415AE_R1_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	20 V	4,3A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	50 mOhm a 4,3 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	24 nC a 4,5 V	±8 V	907 pF a 10 V	-	1,25 W(Ta)
PJF4NA65A_T0_00001	0,3398	Richiesta di offerta	5214	Panjit International Inc.	-	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	PJF4NA65	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJF4NA65A_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	650 V	4A (Ta)	10 V	2,7 Ohm a 2 A, 10 V	4 V a 250 µA	18 nC a 10 V	±30 V	555 pF a 25 V	-	33 W (Tc)
PJD4NA65_L2_00001	0,8800	Richiesta di offerta	8392	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD4NA65	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD4NA65_L2_00001CT	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	650 V	4A (Ta)	10 V	2,7 Ohm a 2 A, 10 V	4 V a 250 µA	11,4 nC a 10 V	±30 V	463 pF a 25 V	-	77 W(Tc)