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Transistor(860)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
PJD16N06A-AU_L2_000A1	0,2871	Richiesta di offerta	7049	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD16	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD16N06A-AU_L2_000A1TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	60 V	4,4 A (Ta), 16 A (Tc)	4,5 V, 10 V	50 mOhm a 8 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	14 nC a 10 V	±20 V	815 pF a 15 V	-	2,4 W (Ta), 32,6 W (Tc)
PJS6603_S2_00001	0,4300	Richiesta di offerta	19	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	PJS6603	MOSFET (ossido di metallo)	1,25 W(Ta)	SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10.000	Canali N e P complementari		30 V	4,4 A (Ta), 2,9 A (Ta)		48 mOhm a 4,4 A, 10 V, 110 mOhm a 2,9 A, 10 V	2,1 V a 250 µA	5,8 nC a 10 V, 9,8 nC a 10 V		235pF a 15V, 396pF a 15V	-
PJQ4602_R1_00001	0,2922	Richiesta di offerta	4657	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerWDFN	PJQ4602	MOSFET (ossido di metallo)	2 W (Ta), 17,8 W (Tc)	DFN3030B-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ4602_R1_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000	Canali N e P complementari		30 V	6,4 A (Ta), 18,5 A (Tc), 6,4 A (Ta), 18 A (Tc)		28 mOhm a 6 A, 10 V, 31 mOhm a 4 A, 10 V	2,1 V a 250 µA, 2,5 V a 250 µA	7,8 nC a 10 V		343pF a 15V, 870pF a 15V	-
PJS6413_S1_00001	0,4200	Richiesta di offerta	5	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	PJS6413	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJS6413_S1_00001CT	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	20 V	4,4A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	82 mOhm a 4,4 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	7 nC a 10 V	±12V	522 pF a 10 V	-	2 W (Ta)
PJE8405_R1_00001	0,4400	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-523	PJE8405	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-523	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJE8405_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0095	4.000		Canale P	30 V	500mA (Ta)	1,8 V, 4,5 V	390 mOhm a 500 mA, 4,5 V	1,3 V a 250 µA	1,6 nC a 4,5 V	±8 V	137 pF a 15 V	-	300 mW (Ta)
PJMD360N60EC_L2_00001	2.9700	Richiesta di offerta	5	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJMD360	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	600 V	11A(Tc)	10 V	360 mOhm a 5,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	18,7 nC a 10 V	±30 V	735 pF a 400 V	-	87,5 W(Tc)
PJD4NA60_L2_00001	-	Richiesta di offerta	5511	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD4NA60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD4NA60_L2_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	600 V	4A (Ta)	10 V	2,4 Ohm a 2 A, 10 V	4 V a 250 µA	11,1 nC a 10 V	±30 V	450 pF a 25 V	-	77 W(Tc)
MMBT2369A_R1_00001	0,0189	Richiesta di offerta	5524	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT2369		225 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	120.000													15 V	200 mA	400nA (ICBO)	NPN	500mV a 10mA, 100mA	40 a 10 mA, 1 V	-
PJS6400_S1_00001	0,1185	Richiesta di offerta	6238	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	PJS6400	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJS6400_S1_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	30 V	6,4A(Ta)	2,5 V, 10 V	37 mOhm a 6,4 A, 10 V	1,3 V a 250 µA	6 nC a 10 V	±12V	490 pF a 15 V	-	2 W (Ta)
2SD1781A_R1_00001	0,4400	Richiesta di offerta	25	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SD1781A		1,25 W	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-2SD1781A_R1_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000													50 V	3A	100 nA	NPN	140 mV a 100 mA, 1 A	300 a 500 mA, 5 V	250 MHz
PJS6839_S1_00001	0,4100	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	PJS6839	MOSFET (ossido di metallo)	500 mW (Ta)	SOT-23-6	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali P (doppio)		60 V	300mA (Ta)		4 Ohm a 500 mA, 10 V	2,5 V a 250 µA	1,1 nC a 4,5 V		51 pF a 25 V	-
BC817-25W_R1_00001	0,1900	Richiesta di offerta	55	Panjit International Inc.	BC817-16W	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC817		300 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000													45 V	500 mA	100nA (ICBO)	NPN	700mV a 50mA, 500mA	160 a 100 mA, 1 V	100 MHz
BC846A_R1_00001	0,1900	Richiesta di offerta	1	Panjit International Inc.	BC846	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC846		330 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000													65 V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	600mV a 5mA, 100mA	110 a 2 mA, 5 V	-
MMBTA06_R1_00001	0,1900	Richiesta di offerta	14	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBTA06		225 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-MMBTA06_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0095	3.000													80 V	500 mA	100 nA	NPN	250mV a 10mA, 100mA	100 a 100 mA, 1 V	100 MHz
PJMP990N65EC_T0_00001	2.0900	Richiesta di offerta	4	Panjit International Inc.	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PJMP990	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB-L	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJMP990N65EC_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN	650 V	4,7 A(Tc)	10 V	990 mOhm a 2 A, 10 V	4 V a 250 µA	9,7 nC a 10 V	±30 V	306 pF a 400 V	-	47,5 W(Tc)
PJA3433_R1_00001	0,3500	Richiesta di offerta	35	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3433	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	30 V	1,1 A (Ta)	1,8 V, 4,5 V	370 mOhm a 1,1 A, 4,5 V	1,3 V a 250 µA	1,6 nC a 4,5 V	±8 V	125 pF a 15 V	-	1,25 W(Ta)
BC847CPN_R1_00001	0,3200	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC847		380 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													45 V	100mA	15nA (ICBO)	PNP, PNP	600 mV a 5 mA, 100 mA / 650 mV a 5 mA, 100 mA	420 a 2 mA, 5 V	100 MHz
BC856B_R1_00001	0,1900	Richiesta di offerta	10	Panjit International Inc.	BC856	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-50°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC856		330 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													65 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	220 a 2 mA, 5 V	200 MHz
BC847CW_R1_00001	0,0189	Richiesta di offerta	3409	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC847		250 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	120.000													45 V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	600mV a 5mA, 100mA	420 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PJD2NA90_L2_00001	-	Richiesta di offerta	2089	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD2N	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD2NA90_L2_00001CT	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	900 V	2A (Ta)	10 V	6,4 Ohm a 1 A, 10 V	4 V a 250 µA	11,1 nC a 10 V	±30 V	396 pF a 25 V	-	50 W (Tc)
PJS6415A_S2_00001	0,0967	Richiesta di offerta	3854	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	PJS6415	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJS6415A_S2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	10.000		Canale P	20 V	5,2A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	46 mOhm a 5,2 A, 4,5 V	1,3 V a 250 µA	10 nC a 4,5 V	±12V	980 pF a 10 V	-	2 W (Ta)
MMBT2907AW_R1_00001	0,1900	Richiesta di offerta	828	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	MMBT2907		225 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-MMBT2907AW_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0095	3.000													60 V	600 mA	50nA	PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	200 MHz
PJQ5411_R2_00001	0,6000	Richiesta di offerta	8	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ5411	MOSFET (ossido di metallo)		DFN5060-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	30 V	10A (Ta), 45A (Tc)	4,5 V, 10 V	15,5 mOhm a 10 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	14 nC a 4,5 V	±20 V	1556 pF a 15 V	-	2 W (Ta), 40 W (Tc)
PJQ4464AP-AU_R2_000A1	0,8000	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ4464	MOSFET (ossido di metallo)		DFN3333-8	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ4464AP-AU_R2_000A1CT	EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN	60 V	7,3 A (Ta), 33 A (Tc)	4,5 V, 10 V	17 mOhm a 16 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	13,5 nC a 4,5 V	±20 V	1574 pF a 25 V	-	2,4 W (Ta), 48 W (Tc)
PJA3411-AU_R1_000A1	0,3900	Richiesta di offerta	66	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3411	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJA3411-AU_R1_000A1DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	20 V	3.1A (Ta)	1,8 V, 4,5 V	100 mOhm a 3,1 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	5,4 nC a 4,5 V	±12V	416 pF a 10 V	-	1,25 W(Ta)
PJL9802_R2_00001	0,1497	Richiesta di offerta	4082	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	PJL9802	MOSFET (ossido di metallo)	1,7 W (Ta)	8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJL9802_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	2.500	2 canali N (doppio)		30 V	5A (Ta)		48 mOhm a 5 A, 10 V	2,1 V a 250 µA	5,8 nC a 10 V		235 pF a 15 V	-
PJF2NA90_T0_00001	-	Richiesta di offerta	3332	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	PJF2NA90	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3757-PJF2NA90_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	900 V	2A (Ta)	10 V	6,4 Ohm a 1 A, 10 V	4 V a 250 µA	11,1 nC a 10 V	±30 V	396 pF a 25 V	-	39 W (Tc)
PJL9412_R2_00001	0,2357	Richiesta di offerta	8588	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	PJL9412	MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJL9412_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	30 V	10A (Ta)	4,5 V, 10 V	10 mOhm a 6 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	6,9 nC a 4,5 V	±20 V	781 pF a 15 V	-	2,1 W (Ta)
PJD45N06A_L2_00001	0,7400	Richiesta di offerta	1	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD45	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD45N06A_L2_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	60 V	45A (Tc)	4,5 V, 10 V	12 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	39 nC a 10 V	±20 V	2256 pF a 25 V	-	63 W (Tc)
PJQ5546-AU_R2_002A1	1.0000	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ5546	MOSFET (ossido di metallo)		DFN5060-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	40 V	18,7 A (Ta), 85 A (Tc)	4,5 V, 10 V	5,3 mOhm a 20 A, 10 V	2,3 V a 50 µA	20 nC a 10 V	±20 V	1320 pF a 25 V	-	3,3 W (Ta), 68 W (Tc)