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Transistor(860)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
PJL9404_R2_00001	0,1310	Richiesta di offerta	9825	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	PJL9404	MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJL9404_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	30 V	6A (Ta)	4,5 V, 10 V	28 mOhm a 6 A, 10 V	2,1 V a 250 µA	7,8 nC a 10 V	±20 V	343 pF a 15 V	-	1,7 W (Ta)
BC847CS_R1_00001	0,3200	Richiesta di offerta	1	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC847		225 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													45 V	100mA	15nA (ICBO)	2 NPN (doppio)	650 mV a 5 mA, 100 mA	420 a 2 mA, 5 V	200 MHz
PJMF360N60E1_T0_00001	-	Richiesta di offerta	4076	Panjit International Inc.	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata	PJMF360	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB-F	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN	600 V	11A(Tc)	10 V	360 mOhm a 3,8 A, 10 V	4 V a 250 µA	22 nC a 10 V	±30 V	717 pF a 400 V	-	32 W (Tc)
PJT7603_R1_00001	0,4000	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PJT7603	MOSFET (ossido di metallo)	350 mW(Ta)	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJT7603_R1_00001TR	EAR99	8541.21.0095	3.000	Canali N e P complementari		50 V	400 mA (Ta), 250 mA (Ta)		1,5 Ohm a 500 mA, 10 V, 4 Ohm a 500 mA, 10 V	1 V a 250 µA, 2,5 V a 250 µA	0,95 nC a 4,5 V, 1,1 nC a 4,5 V		36pF a 25V, 51pF a 25V	-
PJMF130N65EC_T0_00001	6.9000	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata	PJMF130	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB-F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJMF130N65EC_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN	650 V	29A(Tc)	10 V	130 mOhm a 10,8 A, 10 V	4 V a 250 µA	51 nC a 10 V	±30 V	1920 pF a 400 V	-	33 W (Tc)
PJD50P04_L2_00001	0,8000	Richiesta di offerta	5	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD50	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	40 V	9A (Ta), 50A (Tc)	4,5 V, 10 V	12 mOhm a 10 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	23 nC a 4,5 V	±20 V	2767 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 63 W (Tc)
BC849C_R1_00001	0,1900	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	BC849	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC849		330 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC849C_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0095	3.000													30 V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	600mV a 5mA, 100mA	420 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PJQ5425_R2_00001	0,4895	Richiesta di offerta	1753	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ5425	MOSFET (ossido di metallo)		DFN5060-8	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	3757-PJQ5425_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	30 V	15,8 A (Ta), 90 A (Tc)	4,5 V, 10 V	4,5 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	107 nC a 10 V	±20 V	6067 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 60 W (Tc)
PJL9436A_R2_00001	0,6300	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	PJL9436	MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJL9436A_R2_00001CT	EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	60 V	7,5A(Ta)	4,5 V, 10 V	21 mOhm a 7,5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	28 nC a 10 V	±20 V	1680 pF a 20 V	-	2,5 W(Ta)
PJS6809_S1_00001	0,5300	Richiesta di offerta	10	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	PJS6809	MOSFET (ossido di metallo)	1,25 W(Ta)	SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJS6809_S1_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali P (doppio)		30 V	2,6A(Ta)		115 mOhm a 2,6 A, 10 V	2,1 V a 250 µA	9,8 nC a 10 V		396 pF a 15 V	-
MMDT4403_R1_00001	0,4500	Richiesta di offerta	1	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MMDT4403		225 mW	SOT-363	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-MMDT4403_R1_00001CT	EAR99	8541.21.0075	3.000													40 V	600mA	100 nA	2 PNP (doppio)	750mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 2 V	200 MHz
PJD45P04_L2_00001	0,8400	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD45	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	40 V	8,5 A (Ta), 45 A (Tc)	4,5 V, 10 V	17 mOhm a 15 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	19 nC a 4,5 V	±20 V	2030 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 63 W (Tc)
PJL9854_R2_00001	0,6700	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	PJL9854	MOSFET (ossido di metallo)	1,7 W (Ta)	8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 canali N (doppio)		40 V	9A (Ta)		12 mOhm a 8 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	10nC a 4,5 V		1040 pF a 20 V	-
PJD85N03_L2_00001	0,2631	Richiesta di offerta	5420	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD85	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD85N03_L2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	30 V	16A (Ta), 85A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,8 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	23 nC a 4,5 V	±20 V	2436 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 58 W (Tc)
PJF10NA80_T0_00001	-	Richiesta di offerta	9178	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	PJF10NA80	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB	-	Conformità ROHS3	Non applicabile			EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN	800 V	10A (Ta)	10 V	1,15 Ohm a 5 A, 10 V	4 V a 250 µA	31 nC a 10 V	±30 V	1517 pF a 25 V	-	60 W (Tc)
PBHV8110DH_R1_00001	0,3800	Richiesta di offerta	197	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	PBHV8110		1,4 W	SOT-89	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PBHV8110DH_R1_00001CT	EAR99	8541.29.0075	1.000													100 V	1A	500nA (ICBO)	NPN	450 mV a 100 mA, 1 A	140 a 150 mA, 2 V	100 MHz
PJC7002H_R1_00001	0,2200	Richiesta di offerta	575	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	PJC7002	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJC7002H_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	60 V	250mA (Ta)	5 V, 10 V	5 Ohm a 300 mA, 10 V	3 V a 250 µA	1,3 nC a 4,5 V	±20 V	22 pF a 25 V	-	350 mW(Ta)
BC857CW_R1_00001	0,1900	Richiesta di offerta	6	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC857		250 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC857CW_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0075	3.000													45 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	420 a 2 mA, 5 V	200 MHz
MMBT3906W_R1_00001	0,1600	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	MMBT3906		150 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-MMBT3906W_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0075	3.000													40 V	200 mA	50nA	PNP	400 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 10 mA, 1 V	250 MHz
PJU2NA90_T0_00001	-	Richiesta di offerta	4662	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	PJU2NA90	MOSFET (ossido di metallo)		TO-251AA	-				3757-PJU2NA90_T0_00001	OBSOLETO		1		CanaleN	900 V	2A (Ta)	10 V	6,4 Ohm a 1 A, 10 V	4 V a 250 µA	11,1 nC a 10 V	±30 V	396 pF a 25 V	-	-
BC807-25W_R1_00001	0,1900	Richiesta di offerta	1	Panjit International Inc.	BC807-16W	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC807		300 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC807-25W_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0095	3.000													45 V	500 mA	100nA (ICBO)	PNP	700mV a 50mA, 500mA	160 a 100 mA, 1 V	100 MHz
PJA3416AE_R1_00001	0,3800	Richiesta di offerta	35	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3416	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJA3416AE_R1_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	20 V	6,5A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	22 mOhm a 6,5 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	8,6 nC a 4,5 V	±8 V	836 pF a 10 V	-	1,25 W(Ta)
PSMQC074N10NS2_R2_00201	1.7300	Richiesta di offerta	3044	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				PSMQC074				-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)					3.000
PJT7812_R1_00001	0,5100	Richiesta di offerta	2758	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PJT7812	MOSFET (ossido di metallo)	350 mW(Ta)	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJT7812_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali N (doppio)		30 V	500mA (Ta)		1,2 Ohm a 500 mA, 4,5 V	1,1 V a 250 µA	0,87 nC a 4,5 V		34 pF a 15 V	-
PJQ5453E-AU_R2_002A1	1.1100	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ5453	MOSFET (ossido di metallo)		DFN5060-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	40 V	12,8 A (Ta), 61 A (Tc)	4,5 V, 10 V	11,3 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	56 nC a 10 V	±25 V	2858 pF a 25 V	-	3,3 W (Ta), 75 W (Tc)
PJF8NA50_T0_00001	-	Richiesta di offerta	6263	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	PJF8NA50	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3757-PJF8NA50_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	500 V	8A (Ta)	10 V	900 mOhm a 4 A, 10 V	4 V a 250 µA	16,2 nC a 10 V	±30 V	826 pF a 25 V	-	49 W(Tc)
PJF4NA60_T0_00001	-	Richiesta di offerta	5549	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	PJF4NA60	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3757-PJF4NA60_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	600 V	4A (Ta)	10 V	2,4 Ohm a 2 A, 10 V	4 V a 250 µA	11,1 nC a 10 V	±30 V	450 pF a 25 V	-	33 W (Tc)
PJT7838_R1_00001	0,5100	Richiesta di offerta	1	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PJT7838	MOSFET (ossido di metallo)	350 mW(Ta)	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali N (doppio)		50 V	400mA(Ta)		1,45 Ohm a 500 mA, 10 V	1 V a 250 µA	0,95 nC a 4,5 V		36 pF a 25 V	-
PJW4N06A-AU_R2_000A1	0,4300	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	PJW4N06A	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	60 V	4A (Ta)	4,5 V, 10 V	100 mOhm a 3 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	5,1 nC a 4,5 V	±20 V	509 pF a 15 V	-	3,7 W(Ta)
PJU2NA1K_T0_00001	-	Richiesta di offerta	1024	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	PJU2NA1K	MOSFET (ossido di metallo)		TO-251AA	-				3757-PJU2NA1K_T0_00001	OBSOLETO		1		CanaleN	1000 V	2A (Ta)	10 V	9 Ohm a 1 A, 10 V	4 V a 250 µA	14 nC a 10 V	±30 V	385 pF a 25 V	-	50 W (Tc)