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Transistor(860)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
BC847C-AU_R1_000A1	0,1900	Richiesta di offerta	1	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101, BC847-AU	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC847		330 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC847C-AU_R1_000A1DKR	EAR99	8541.21.0095	3.000													45 V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	600mV a 5mA, 100mA	420 a 2 mA, 5 V	-
PJQ4409P_R2_00001	0,1398	Richiesta di offerta	7329	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ4409	MOSFET (ossido di metallo)		DFN3333-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ4409P_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	5.000		Canale P	30 V	6,5 A (Ta), 24 A (Tc)	4,5 V, 10 V	30 mOhm a 4 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	7,8 nC a 4,5 V	±20 V	870 pF a 15 V	-	2 W (Ta), 30 W (Tc)
PJQ4410P_R2_00001	0,4200	Richiesta di offerta	4	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ4410	MOSFET (ossido di metallo)		DFN3333-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ4410P_R2_00001CT	EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN	30 V	10A (Ta), 35A (Tc)	4,5 V, 10 V	12 Ohm a 10 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	7,1 nC a 4,5 V	±20 V	660 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 27 W (Tc)
PJL9422_R2_00001	0,2375	Richiesta di offerta	7297	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	PJL9422	MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJL9422_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	40 V	13A (Ta)	4,5 V, 10 V	6,5 mOhm a 10 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	17 nC a 4,5 V	±20 V	1759 pF a 25 V	-	2,1 W (Ta)
PJS6800_S1_00001	0,1497	Richiesta di offerta	3960	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	PJS6800	MOSFET (ossido di metallo)	1,25 W(Ta)	SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJS6800_S1_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)		30 V	3,9A(Ta)		48 mOhm a 3,9 A, 10 V	1,2 V a 250 µA	11,3 nC a 10 V		490 pF a 15 V	-
PJD4NA65H_L2_00001	0,2357	Richiesta di offerta	7375	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD4NA65	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD4NA65H_L2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	650 V	3A (Ta)	10 V	3,75 Ohm a 1,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	16,1 nC a 10 V	±30 V	423 pF a 25 V	-	34 W (Tc)
PJL9824_R2_00001	0,4525	Richiesta di offerta	3339	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	PJL9824	MOSFET (ossido di metallo)	1,7 W (Ta)	8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJL9824_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	2.500	2 canali N (doppio)		40 V	13A (Ta)		5,5 mOhm a 10 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	25 nC a 4,5 V		1258 pF a 25 V	-
PJP8NA65A_T0_00001	0,4445	Richiesta di offerta	1776	Panjit International Inc.	-	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PJP8	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJP8NA65A_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	650 V	7,5A(Ta)	10 V	1,2 Ohm a 3,75 A, 10 V	4 V a 250 µA	29 nC a 10 V	±30 V	1245 pF a 25 V	-	145 W(Tc)
PBSS4350SA_R1_00001	0,1102	Richiesta di offerta	3872	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PBSS4350		1,25 W	SC-59	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PBSS4350SA_R1_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000													50 V	3A	100 nA	NPN	370 mV a 300 mA, 3 A	300 a 1 A, 2 V	100 MHz
PSMQC094N10NS2_R2_00201	1.6200	Richiesta di offerta	4252	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				PSMQC094				-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)					3.000
BC857AW_R1_00001	0,1900	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC857		250 mW	SOT-323	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC857AW_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0075	3.000													45 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	110 a 2 mA, 5 V	200 MHz
BC846BPN-AU_R1_000A1	0,3400	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC846		225 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC846BPN-AU_R1_000A1DKR	EAR99	8541.21.0075	3.000													65 V	100mA	15nA (ICBO)	NPN, PNP Complementari	600 mV a 5 mA, 100 mA / 650 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V / 220 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PJL9409_R2_00001	0,1494	Richiesta di offerta	4633	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	PJL9409	MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJL9409_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P	30 V	6A (Ta)	4,5 V, 10 V	30 mOhm a 4 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	7,8 nC a 4,5 V	±20 V	870 pF a 15 V	-	1,7 W (Ta)
PJW5N10A_R2_00001	0,5300	Richiesta di offerta	4291	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	PJW5N10	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	100 V	3,5 A (Ta), 5 A (Tc)	4,5 V, 10 V	115 mOhm a 4 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	20 nC a 10 V	±20 V	1413 pF a 25 V	-	3,1 W (Ta), 5,2 W (Tc)
MMDT2227A_R1_00001	0,3800	Richiesta di offerta	5	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MMDT2227		225 mW, 200 mW	SOT-363	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-MMDT2227A_R1_00001CT	EAR99	8541.21.0075	3.000													40 V, 60 V	600mA	10nA, 50nA	NPN, PNP Complementari	1 V a 50 mA, 500 mA / 1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	300 MHz, 200 MHz
PJQ4407P_R1_00001	0,2139	Richiesta di offerta	3585	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ4407	MOSFET (ossido di metallo)		DFN3333-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ4407P_R1_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	30 V	8,5 A (Ta), 30 A (Tc)	4,5 V, 10 V	20 mOhm a 8 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	11 nC a 4,5 V	±20 V	1169 pF a 15 V	-	2 W (Ta), 27 W (Tc)
BC859C_R1_00001	0,0189	Richiesta di offerta	2781	Panjit International Inc.	BC856	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-50°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC859		330 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	120.000													30 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	420 a 2 mA, 5 V	200 MHz
PJF60R540E_T0_00001	0,7272	Richiesta di offerta	7762	Panjit International Inc.	-	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	PJF60R540E	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJF60R540E_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	600 V	1,3 A (Ta), 9 A (Tc)	10 V	535 mOhm a 2,8 A, 10 V	4 V a 250 µA	23,7 nC a 10 V	±20 V	531 pF a 25 V	-	48 W(Tc)
BC857CS-AU_R1_000A1	0,2500	Richiesta di offerta	6678	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC857		225 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC857CS-AU_R1_000A1DKR	EAR99	8541.21.0075	3.000													45 V	100mA	4μA (ICBO)	2 PNP (doppio)	650 mV a 5 mA, 100 mA	420 a 2 mA, 5 V	200 MHz
PJL9407_R2_00001	0,4600	Richiesta di offerta	1	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	PJL9407	MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJL9407_R2_00001CT	EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P	30 V	5A (Ta)	4,5 V, 10 V	50 mOhm a 3 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	4,8 nC a 4,5 V	±20 V	516 pF a 15 V	-	2,1 W (Ta)
PJQ5848-AU_R2_000A1	0,4950	Richiesta di offerta	2577	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	PJQ5848	MOSFET (ossido di metallo)	2 W (Ta), 23,8 W (Tc)	DFN5060B-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ5848-AU_R2_000A1TR	EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)		40 V	8,6 A (Ta), 30 A (Tc)		12 mOhm a 12 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	10nC a 4,5 V		1040 pF a 20 V	-
BC846A-AU_R1_000A1	0,1900	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101, BC846-AU	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC846		330 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC846A-AU_R1_000A1DKR	EAR99	8541.21.0095	3.000													65 V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	600mV a 5mA, 100mA	110 a 2 mA, 5 V	-
PJL9808_R2_00001	-	Richiesta di offerta	8843	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	PJL9808	MOSFET (ossido di metallo)	1,25 W(Ta)	8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 canali N (doppio)		30 V	8A (Ta)		19 mOhm a 8 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	4,3 nC a 4,5 V		392 pF a 25 V	-
PJT138K_R1_00001	0,3000	Richiesta di offerta	8	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PJT138	MOSFET (ossido di metallo)	236 mW (Ta)	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali N (doppio)		50 V	360mA(Ta)		1,6 Ohm a 500 mA, 10 V	1,5 V a 250 µA	1nC a 4,5 V		50 pF a 25 V	-
PJQ5444-AU_R2_000A1	0,2893	Richiesta di offerta	6414	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ5444	MOSFET (ossido di metallo)		DFN5060-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ5444-AU_R2_000A1TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	40 V	12,7 A (Ta), 70 A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,5 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	17 nC a 4,5 V	±20 V	1759 pF a 25 V	-	2,4 W (Ta), 100 W (Tc)
PJP4NA50A_T0_00001	0,3261	Richiesta di offerta	4413	Panjit International Inc.	-	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PJP4	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJP4NA50A_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	500 V	4A (Ta)	10 V	2,3 Ohm a 2 A, 10 V	4 V a 250 µA	9,8 nC a 10 V	±30 V	449 pF a 25 V	-	90 W (Tc)
2SC164S_R1_00001	0,0675	Richiesta di offerta	9311	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-23-6	2SC164		1 W	SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	120.000													40 V, 30 V	150mA	50nA, 500nA (ICBO)	2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 5 mA, 50 mA / 300 mV a 1 mA, 10 mA	100 a 10 mA, 1 V / 100 a 150 mA, 5 V	300 MHz, 250 MHz	10kOhm	-
PJF10NA65_T0_00001	-	Richiesta di offerta	6870	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	PJF10NA65	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3757-PJF10NA65_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	650 V	10A (Ta)	10 V	1 Ohm a 5 A, 10 V	4 V a 250 µA	20 nC a 10 V	±30 V	1200 pF a 25 V	-	50 W (Tc)
PJP100P03_T0_00001	-	Richiesta di offerta	6694	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PJP100	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJP100P03_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		Canale P	30 V	15,8 A (Ta), 100 A (Tc)	4,5 V, 10 V	5 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	107 nC a 10 V	±20 V	6067 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 119 W (Tc)
PJX138K_R1_00001	0,4700	Richiesta di offerta	34	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	PJX138	MOSFET (ossido di metallo)	223 mW (Ta)	SOT-563	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJX138K_R1_00001TR	EAR99	8541.21.0095	4.000	2 canali N (doppio)		50 V	350mA(Ta)		1,6 Ohm a 500 mA, 10 V	1,5 V a 250 µA	1nC a 4,5 V		50 pF a 25 V	-