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Transistor(860)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
BC857A-AU_R1_000A1	0,2100	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101, BC856-AU	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-50°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC857		330 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC857A-AU_R1_000A1DKR	EAR99	8541.21.0095	3.000													45 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	110 a 2 mA, 5 V	200 MHz
PJS6401_S1_00001	0,1185	Richiesta di offerta	2716	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	PJS6401	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJS6401_S1_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	30 V	4,6A(Ta)	2,5 V, 10 V	71 mOhm a 4,6 A, 10 V	1,3 V a 250 µA	15,5 nC a 10 V	±12V	637 pF a 15 V	-	2 W (Ta)
PJQ5548-AU_R2_002A1	0,8700	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ5548	MOSFET (ossido di metallo)		DFN5060-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	40 V	14,5 A (Ta), 48 A (Tc)	4,5 V, 10 V	8,8 mOhm a 20 A, 10 V	2,3 V a 50 µA	13 nC a 10 V	±20 V	778 pF a 25 V	-	3,3 W (Ta), 36 W (Tc)
BC858AW_R1_00001	0,0210	Richiesta di offerta	4229	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC858		250 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	120.000													30 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	110 a 2 mA, 5 V	200 MHz
PJQ5440_R2_00001	1.2500	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ5440	MOSFET (ossido di metallo)		DFN5060-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ5440_R2_00001CT	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	40 V	17A (Ta), 100A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,8 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	50 nC a 4,5 V	±20 V	5214 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 70 W (Tc)
BC859CW_R1_00001	0,0210	Richiesta di offerta	2327	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC859		250 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	120.000													30 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	420 a 2 mA, 5 V	200 MHz
PJT7801_R1_00001	0,5100	Richiesta di offerta	5	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PJT7801	MOSFET (ossido di metallo)	350 mW(Ta)	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali P (doppio)		20 V	700mA (Ta)		325 mOhm a 700 mA, 4,5 V	1 V a 250 µA	2,2 nC a 4,5 V		165 pF a 10 V	-
PJQ4413P_R2_00001	0,1289	Richiesta di offerta	2452	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ4413	MOSFET (ossido di metallo)		DFN3333-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ4413P_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	5.000		Canale P	30 V	5A (Ta)	4,5 V, 10 V	50 mOhm a 3 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	4,8 nC a 4,5 V	±20 V	516 pF a 15 V	-	2 W (Ta)
PJA3412_R1_00001	0,4900	Richiesta di offerta	11	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3412	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJA3412_R1_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	20 V	4.1A (Ta)	1,8 V, 4,5 V	56 mOhm a 4,1 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	4,6 nC a 4,5 V	±12V	350 pF a 10 V	-	1,25 W(Ta)
PJQ2815_R1_00001	0,6700	Richiesta di offerta	7	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Tampone esposto 6-VDFN	PJQ2815	MOSFET (ossido di metallo)	1,5 W(Ta)	DFN2020-6L	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali P (doppio)		20 V	4,2A(Ta)		52 mOhm a 4,2 A, 4,5 V	900 mV a 250 µA	24nC a 4,5 V		907 pF a 10 V	-
BC850CW-AU_R1_000A1	0,2100	Richiesta di offerta	6	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC850		250 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC850CW-AU_R1_000A1DKR	EAR99	8541.21.0095	3.000													45 V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	600mV a 5mA, 100mA	420 a 2 mA, 5 V	-
PJS6412_S1_00001	0,5000	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	PJS6412	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	30 V	8A (Ta)	4,5 V, 10 V	23 mOhm a 8 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	4,3 nC a 4,5 V	±20 V	392 pF a 25 V	-	2 W (Ta)
PJF13NA50_T0_00001	-	Richiesta di offerta	7845	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	PJF13NA50	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3757-PJF13NA50_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	500 V	13A (Ta)	10 V	520 mOhm a 6,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	28 nC a 10 V	±30 V	1435 pF a 25 V	-	51 W (Tc)
PJU1NA60_T0_00001	-	Richiesta di offerta	5364	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	PJU1NA60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-251AA	-				3757-PJU1NA60_T0_00001	OBSOLETO		1		CanaleN	600 V	1A (Ta)	10 V	14 Ohm a 500 mA, 10 V	4 V a 250 µA	3,3 nC a 10 V	±30 V	95 pF a 25 V	-	27 W (Tc)
PJQ4416EP_R2_00001	0,1845	Richiesta di offerta	7153	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ4416	MOSFET (ossido di metallo)		DFN3333-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ4416EP_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN	20 V	11A (Ta), 30A (Tc)	1,8 V, 4,5 V	11 mOhm a 10 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	16 nC a 4,5 V	±10 V	1117 pF a 10 V	-	2 W (Ta), 26 W (Tc)
PJQ4548P-AU_R2_002A1	0,7500	Richiesta di offerta	5	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ4548	MOSFET (ossido di metallo)		DFN3333-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato			8541.29.0095	5.000		CanaleN	40 V	12,4 A (Ta), 43 A (Tc)	4,5 V, 10 V	9,1 mOhm a 10 A, 10 V	2,3 V a 50 µA	13 nC a 10 V	±20 V	778 pF a 25 V	-	2,5 W (Ta), 30 W (Tc)
PJD25N06A-AU_L2_000A1	0,8000	Richiesta di offerta	950	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD25	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD25N06A-AU_L2_000A1DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	60 V	5,5 A (Ta), 25 A (Tc)	4,5 V, 10 V	34 mOhm a 15 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	20 nC a 10 V	±20 V	1173 pF a 25 V	-	2,4 W (Ta), 48,4 W (Tc)
PJQ4466AP-AU_R2_000A1	0,9400	Richiesta di offerta	760	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ4466	MOSFET (ossido di metallo)		DFN3333-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ4466AP-AU_R2_000A1CT	EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN	60 V	6A (Ta), 33A (Tc)	4,5 V, 10 V	21 mOhm a 15 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	28 nC a 10 V	±20 V	1680 pF a 20 V	-	2,4 W (Ta), 53 W (Tc)
PJP2NA60_T0_00001	-	Richiesta di offerta	9832	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PJP2	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3757-PJP2NA60_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	600 V	2A (Ta)	10 V	4,4 Ohm a 1 A, 10 V	4 V a 250 µA	5,7 nC a 10 V	±30 V	257 pF a 25 V	-	44 W (Tc)
PJD4NA65_R2_00001	0,8800	Richiesta di offerta	9370	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD4NA65	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD4NA65_R2_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	650 V	4A (Ta)	10 V	2,7 Ohm a 2 A, 10 V	4 V a 250 µA	11,4 nC a 10 V	±30 V	463 pF a 25 V	-	-
BC848B-AU_R1_000A1	0,1900	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101, BC848-AU	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC848		330 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC848B-AU_R1_000A1DKR	EAR99	8541.21.0095	3.000													30 V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	600mV a 5mA, 100mA	200 a 2 mA, 5 V	-
MMBTA05-AU_R1_000A1	0,2400	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBTA05		225 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-MMBTA05-AU_R1_000A1DKR	EAR99	8541.21.0075	3.000													60 V	500 mA	100 nA	NPN	250mV a 10mA, 100mA	100 a 100 mA, 1 V	100 MHz
PJL9420_R2_00001	0,3537	Richiesta di offerta	7188	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	PJL9420	MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJL9420_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	40 V	14A (Ta)	4,5 V, 10 V	5,5 mOhm a 10 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	25 nC a 4,5 V	±20 V	1258 pF a 25 V	-	2,1 W (Ta)
BC857AW-AU_R1_000A1	0,0216	Richiesta di offerta	5316	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC857		250 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	120.000													45 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	110 a 2 mA, 5 V	200 MHz
BC857BW-AU_R1_000A1	0,2100	Richiesta di offerta	5	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC857		250 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000													45 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V	200 MHz
PJS6815_S1_00001	0,1523	Richiesta di offerta	3170	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	PJS6815	MOSFET (ossido di metallo)	1,25 W(Ta)	SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJS6815_S1_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali P (doppio)		20 V	3,6A(Ta)		57 mOhm a 3,6 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	18 nC a 4,5 V		756 pF a 10 V	-
PJC138K-AU_R1_000A1	0,3400	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	PJC138K	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJC138K-AU_R1_000A1DKR	EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	50 V	360mA(Ta)	2,5 V, 10 V	1,6 Ohm a 500 mA, 10 V	1,5 V a 250 µA	1 nC a 4,5 V	±20 V	50 pF a 25 V	-	236 mW (Ta)
PJS6835_S2_00001	0,1178	Richiesta di offerta	8235	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	PJS6835	MOSFET (ossido di metallo)	500mW (Ta)	SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJS6835_S2_00001TR	EAR99	8541.21.0095	10.000	2 canali P (doppio)		20 V	500mA (Ta)		1,2 Ohm a 500 mA, 4,5 V	1 V a 250 µA	1,4 nC a 4,5 V		38 pF a 10 V	Porta a livello logico, azionamento da 1,2 V
PJW4P06A-AU_R2_000A1	0,5400	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	PJW4P06	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJW4P06A-AU_R2_000A1CT	EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P	60 V	4A (Ta)	4,5 V, 10 V	110 mOhm a 4 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	10 nC a 10 V	±20 V	785 pF a 30 V	-	3,1 W (Ta)
PJQ5466A_R2_00001	0,6000	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ5466	MOSFET (ossido di metallo)		DFN5060-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ5466A_R2_00001CT	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	60 V	6,5 A (Ta), 40 A (Tc)	4,5 V, 10 V	21 mOhm a 15 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	28 nC a 10 V	±20 V	1680 pF a 20 V	-	2 W (Ta), 83 W (Tc)