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Transistor(860)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
PJX8802_R1_00001	0,4200	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	PJX8802	MOSFET (ossido di metallo)	300 mW (Ta)	SOT-563	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJX8802_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0095	4.000	2 canali N (doppio)		20 V	700mA (Ta)		150 mOhm a 700 mA, 4,5 V	1 V a 250 µA	1,6 nC a 4,5 V		92 pF a 10 V	-
PJD6N10A_L2_00001	0,1611	Richiesta di offerta	1108	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD6N	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD6N10A_L2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	100 V	1,7 A (Ta), 6 A (Tc)	4,5 V, 10 V	310 mOhm a 3 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	9,1 nC a 10 V	±20 V	508 pF a 30 V	-	2 W (Ta), 25 W (Tc)
PJQ2416_R1_00001	0,5100	Richiesta di offerta	1	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-WDFN Tampone esposto	PJQ2416	MOSFET (ossido di metallo)		DFN2020B-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ2416_R1_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	20 V	11A (Ta)	1,8 V, 4,5 V	11 mOhm a 9,5 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	16 nC a 4,5 V	±10 V	1177 pF a 10 V	-	2 W (Ta)
PJQ1917_R1_00001	0,0822	Richiesta di offerta	1405	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-UFDFN	PJQ1917	MOSFET (ossido di metallo)		DFN1006-3	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ1917_R1_00001TR	EAR99	8541.21.0095	10.000		Canale P	20 V	700mA (Ta)	1,2 V, 4,5 V	600 mOhm a 300 mA, 4,5 V	1 V a 250 µA	1,1 nC a 4,5 V	±8 V	51 pF a 10 V	-	500mW (Ta)
PJE8403_R1_00001	0,4400	Richiesta di offerta	49	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-89, SOT-490	PJE8403	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-523 Cavi piatti	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	4.000		Canale P	20 V	600mA (Ta)	1,8 V, 4,5 V	340 mOhm a 600 mA, 4,5 V	1 V a 250 µA	2,2 nC a 4,5 V	±8 V	151 pF a 10 V	-	300 mW (Ta)
PJL9434A_R2_00001	0,2604	Richiesta di offerta	2452	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	PJL9434	MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJL9434A_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	60 V	10A (Ta)	4,5 V, 10 V	12 mOhm a 10 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	39 nC a 10 V	±20 V	2256 pF a 25 V	-	2,5 W(Ta)
PJD6NA40_L2_00001	0,8900	Richiesta di offerta	1102	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD6N	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD6NA40_L2_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	400 V	6A (Ta)	10 V	950 mOhm a 3 A, 10 V	4 V a 250 µA	11,4 nC a 10 V	±30 V	553 pF a 25 V	-	77 W(Tc)
PJD40N15_L2_00001	0,6218	Richiesta di offerta	8890	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD40	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD40N15_L2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	150 V	5A (Ta), 40A (Tc)	10 V	35 mOhm a 20 A, 10 V	4 V a 250 µA	52 nC a 10 V	±20 V	2207 pF a 75 V	-	2 W (Ta), 131 W (Tc)
PJA138L_R1_00001	0,4700	Richiesta di offerta	4	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA138	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJA138L_R1_00001TR	EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	60 V	250mA (Ta)	1,8 V, 10 V	4,2 Ohm a 250 mA, 10 V	1,5 V a 250 µA	0,7 nC a 4,5 V	±20 V	15 pF a 15 V	-	500mW (Ta)
PJQ5548V-AU_R2_002A1	0,9100	Richiesta di offerta	3838	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ5548	MOSFET (ossido di metallo)		DFN5060-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	40 V	13,6 A (Ta), 45 A (Tc)	7 V, 10 V	10 mOhm a 20 A, 10 V	3,5 V a 50 µA	9,5 nC a 10 V	±20 V	673 pF a 25 V	-	3,3 W (Ta), 36 W (Tc)
PJMP210N65EC_T0_00601	2.2700	Richiesta di offerta	1	Panjit International Inc.	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PJMP210	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB-L	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJMP210N65EC_T0_00601	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	700 V	19A(Tc)	10 V	210 mOhm a 9,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	34 nC a 10 V	±30 V	1412 pF a 400 V	-	150 W(Tc)
2N7002KTB_R1_00001	0,3500	Richiesta di offerta	75	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-89, SOT-490	2N7002	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-523 Cavi piatti	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	4.000		CanaleN	60 V	115mA (Ta)	4,5 V, 10 V	3 Ohm a 500 mA, 10 V	2,5 V a 250 µA	0,8 nC a 4,5 V	±20 V	35 pF a 25 V	-	200mW (Ta)
PJT7839_R1_00001	0,3900	Richiesta di offerta	5	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PJT7839	MOSFET (ossido di metallo)	350 mW(Ta)	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJT7839_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali P (doppio)		60 V	250mA (Ta)		4 Ohm a 500 mA, 10 V	2,5 V a 250 µA	1,1 nC a 4,5 V		51 pF a 25 V	-
PJD80N03_L2_00001	0,2357	Richiesta di offerta	8481	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD80	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD80N03_L2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	30 V	15A (Ta), 80A (Tc)	4,5 V, 10 V	6 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	12 nC a 4,5 V	±20 V	1323 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 55 W (Tc)
PJD7NA65_L2_00001	-	Richiesta di offerta	6178	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD7N	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD7NA65_L2_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	650 V	7A (Ta)	10 V	1,5 Ohm a 3,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	16,8 nC a 10 V	±30 V	754 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
PJX8808_R1_00001	0,4200	Richiesta di offerta	7	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	PJX8808	MOSFET (ossido di metallo)	300 mW (Ta)	SOT-563	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	4.000	2 canali N (doppio)		20 V	500mA (Ta)		400 mOhm a 500 mA, 4,5 V	900 mV a 250 µA	1,4 nC a 4,5 V		67 pF a 10 V	Porta a livello logico, azionamento da 1,2 V
BC807-40_R1_00001	0,1900	Richiesta di offerta	9	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC807		330 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC807-40_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0075	3.000													45 V	500 mA	100nA (ICBO)	PNP	700mV a 50mA, 500mA	250 a 100 mA, 1 V	100 MHz
PSMQC042N10LS2_R2_00201	2.8700	Richiesta di offerta	6395	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				PSMQC042				-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)					3.000
PJF3NA80_T0_00001	-	Richiesta di offerta	7834	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	PJF3NA80	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3757-PJF3NA80_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	800 V	3A (Ta)	10 V	4,8 Ohm a 1,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	11 nC a 10 V	±30 V	406 pF a 25 V	-	39 W (Tc)
PJA3460_R1_00001	0,4400	Richiesta di offerta	40	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3460	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJA3460_R1_00001CT	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	60 V	2,5A(Ta)	4,5 V, 10 V	75 mOhm a 2 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	9,3 nC a 10 V	±20 V	509 pF a 15 V	-	1,25 W(Ta)
PJC138L_R1_00001	0,4900	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	PJC138L	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJC138L_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	60 V	200mA (Ta)	1,8 V, 10 V	4,2 Ohm a 200 mA, 10 V	1,5 V a 250 µA	0,7 nC a 4,5 V	±20 V	15 pF a 15 V	-	350 mW(Ta)
PJQ4476AP-AU_R2_000A1	1.0500	Richiesta di offerta	4	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ4476	MOSFET (ossido di metallo)		DFN3333-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN	100 V	6,3 A (Ta), 35 A (Tc)	4,5 V, 10 V	25 mOhm a 15 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	31 nC a 10 V	±20 V	1519 pF a 30 V	-	2 W (Ta), 62 W (Tc)
PJQ5419_R2_00001	0,2139	Richiesta di offerta	2475	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ5419	MOSFET (ossido di metallo)		DFN5060-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ5419_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	30 V	8,5 A (Ta), 30 A (Tc)	4,5 V, 10 V	20 mOhm a 8 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	11 nC a 4,5 V	±20 V	1169 pF a 15 V	-	2 W (Ta), 27 W (Tc)
BC846BS-AU_R1_000A1	0,3200	Richiesta di offerta	630	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC846		250 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC846BS-AU_R1_000A1DKR	EAR99	8541.21.0095	3.000													65 V	100mA	15nA (ICBO)	2 NPN (doppio)	300 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V	-
BC850B-AU_R1_000A1	0,0216	Richiesta di offerta	6618	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101, BC850-AU	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC850		330 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	120.000													45 V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	600mV a 5mA, 100mA	200 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PJQ5846_R2_00001	0,4603	Richiesta di offerta	9615	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	PJQ5846	MOSFET (ossido di metallo)	1,7 W (Ta), 32 W (Tc)	DFN5060B-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ5846_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)		40 V	9,5 A (Ta), 40 A (Tc)		10,5 mOhm a 8 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	22nC a 10 V		1258 pF a 25 V	-
PJD90N03_L2_00001	1.0500	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD90	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD90N03_L2_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	30 V	20A (Ta), 90A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,6 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	35 nC a 4,5 V	±20 V	4305 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 100 W (Tc)
PJF10NA60_T0_00001	-	Richiesta di offerta	9358	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	PJF10NA60	MOSFET (ossido di metallo)		ITO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3757-PJF10NA60_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	600 V	10A (Ta)	10 V	900 mOhm a 5 A, 10 V	4 V a 250 µA	23 nC a 10 V	±30 V	1192 pF a 25 V	-	50 W (Tc)
PJD15P06A_L2_00001	0,6400	Richiesta di offerta	30	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD15	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	60 V	4A (Ta), 15A (Tc)	4,5 V, 10 V	68 mOhm a 7,5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	17 nC a 10 V	±20 V	879 pF a 30 V	-	2 W (Ta), 25 W (Tc)
PJC7403_R1_00001	0,4400	Richiesta di offerta	1	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	PJC7403	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJC7403_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0095	3.000		Canale P	20 V	700mA (Ta)	1,8 V, 4,5 V	325 mOhm a 700 mA, 4,5 V	1 V a 250 µA	2,2 nC a 4,5 V	±8 V	165 pF a 10 V	-	350 mW(Ta)