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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione
PJQ5428_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5428_R2_00001 0,5795
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ECAD 2339 0.00000000 Panjit International Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN PJQ5428 MOSFET (ossido di metallo) DFN5060-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 3757-PJQ5428_R2_00001TR EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 30 V 20A (Ta), 130A (Tc) 4,5 V, 10 V 1,6 mOhm a 20 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 60 nC a 4,5 V ±20 V 6771 pF a 25 V - 2 W (Ta), 83 W (Tc)
PJU6NA40_T0_00001 Panjit International Inc. PJU6NA40_T0_00001 -
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ECAD 1840 0.00000000 Panjit International Inc. - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA PJU6NA40 MOSFET (ossido di metallo) TO-251AA - 3757-PJU6NA40_T0_00001 OBSOLETO 1 CanaleN 400 V 6A (Ta) 10 V 950 mOhm a 3 A, 10 V 4 V a 250 µA 11,4 nC a 10 V ±30 V 553 pF a 25 V - 77 W(Tc)
BC807-40W-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC807-40W-AU_R1_000A1 0,2200
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ECAD 9 0.00000000 Panjit International Inc. Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 BC807 300 mW SOT-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 3757-BC807-40W-AU_R1_000A1DKR EAR99 8541.21.0095 3.000 45 V 500 mA 100nA (ICBO) PNP 700mV a 50mA, 500mA 250 a 100 mA, 1 V 100 MHz
PJQ4401P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ4401P-AU_R2_000A1 0,7400
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ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN PJQ4401 MOSFET (ossido di metallo) DFN3333-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 3757-PJQ4401P-AU_R2_000A1TR EAR99 8541.29.0095 5.000 Canale P 30 V 10A (Ta), 50A (Tc) 4,5 V, 10 V 8,5 mOhm a 10 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 27 nC a 4,5 V ±20 V 3228 pF a 15 V - 2 W (Ta), 60 W (Tc)
PJD16P04-AU_L2_000A1 Panjit International Inc. PJD16P04-AU_L2_000A1 0,8300
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ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 PJD16 MOSFET (ossido di metallo) TO-252 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 40 V 5A (Ta), 16A (Tc) 4,5 V, 10 V 45 mOhm a 10 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 8,3 nC a 4,5 V ±20 V 929 pF a 15 V - 2 W (Ta), 22 W (Tc)
PJS6801_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6801_S1_00001 0,4300
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ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 PJS6801 MOSFET (ossido di metallo) 1,25 W(Ta) SOT-23-6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canali P (doppio) 30 V 3,2A(Ta) 74 mOhm a 3,2 A, 10 V 1,3 V a 250 µA 15nC a 10V 633 pF a 15 V -
PJF7NA60_T0_00001 Panjit International Inc. PJF7NA60_T0_00001 -
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ECAD 9238 0.00000000 Panjit International Inc. - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo PJF7NA60 MOSFET (ossido di metallo) ITO-220AB - Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3757-PJF7NA60_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 600 V 7A (Ta) 10 V 1,2 Ohm a 3,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 15,2 nC a 10 V ±30 V 723 pF a 25 V - 45 W (Tc)
BC858C_R1_00001 Panjit International Inc. BC858C_R1_00001 0,1900
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ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. BC856 Nastro e bobina (TR) Attivo -50°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 330 mW SOT-23 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 3757-BC858C_R1_00001DKR EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 15nA (ICBO) PNP 650 mV a 5 mA, 100 mA 420 a 2 mA, 5 V 200 MHz
PJL9430A_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9430A_R2_00001 0,1523
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ECAD 8642 0.00000000 Panjit International Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) PJL9430 MOSFET (ossido di metallo) 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato 3757-PJL9430A_R2_00001TR EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 60 V 4,8A(Ta) 4,5 V, 10 V 50 mOhm a 4,8 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 14 nC a 10 V ±20 V 815 pF a 15 V - 2,5 W(Ta)
BC857BS_R1_00001 Panjit International Inc. BC857BS_R1_00001 0,2400
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ECAD 585 0.00000000 Panjit International Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC857 150 mW SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 3757-BC857BS_R1_00001DKR EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100mA 15nA (ICBO) 2 PNP (doppio) 650 mV a 5 mA, 100 mA 220 a 2 mA, 5 V 100 MHz
PJMF900N60E1_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF900N60E1_T0_00001 1.3800
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ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata PJMF900 MOSFET (ossido di metallo) ITO-220AB-F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.000 CanaleN 600 V 4,4 A(Tc) 10 V 900 mOhm a 1,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 11,5 nC a 10 V ±30 V 344 pF a 400 V - 23,6 W(Tc)
PJD14P06A-AU_L2_000A1 Panjit International Inc. PJD14P06A-AU_L2_000A1 0,6400
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ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 PJD14 MOSFET (ossido di metallo) TO-252 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 3757-PJD14P06A-AU_L2_000A1DKR EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 60 V 3,2 A(Ta), 14 A(Tc) 4,5 V, 10 V 110 mOhm a 6 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 10 nC a 10 V ±20 V 785 pF a 30 V - 2 W (Ta), 40 W (Tc)
PJE138K-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJE138K-AU_R1_000A1 0,4100
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ECAD 7 0.00000000 Panjit International Inc. Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-89, SOT-490 PJE138 MOSFET (ossido di metallo) SOT-523 Cavi piatti scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 4.000 CanaleN 50 V 350mA(Ta) 2,5 V, 10 V 1,6 Ohm a 500 mA, 10 V 1,5 V a 250 µA 1 nC a 4,5 V ±20 V 50 pF a 25 V - 223 mW (Ta)
PJA3439-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJA3439-AU_R1_000A1 0,4300
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ECAD 28 0.00000000 Panjit International Inc. Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3439 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 3757-PJA3439-AU_R1_000A1DKR EAR99 8541.21.0095 3.000 Canale P 60 V 300mA (Ta) 2,5 V, 10 V 4 Ohm a 500 mA, 10 V 2,5 V a 250 µA 1,1 nC a 4,5 V ±20 V 51 pF a 25 V - 500mW (Ta)
BC817DPN_R1_00001 Panjit International Inc. BC817DPN_R1_00001 0,3200
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ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 BC817 330 mW SOT-23-6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 3757-BC817DPN_R1_00001TR EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 500mA 100nA (ICBO) PNP, PNP 700 mV a 500 µA, 50 mA 100 a 100 mA, 1 V 100 MHz
PJA3415_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3415_R1_00001 0,3700
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ECAD 22 0.00000000 Panjit International Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3415 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 20 V 4A (Ta) 1,8 V, 4,5 V 57 mOhm a 4 A, 4,5 V 1,2 V a 250 µA 18 nC a 4,5 V ±12V 756 pF a 10 V - 1,25 W(Ta)
PJQ5468A_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5468A_R2_00001 0,5900
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ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN PJQ5468 MOSFET (ossido di metallo) DFN5060-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 3757-PJQ5468A_R2_00001CT EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 60 V 5,5 A (Ta), 25 A (Tc) 4,5 V, 10 V 34 mOhm a 15 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 20 nC a 10 V ±20 V 1173 pF a 25 V - 2 W (Ta), 40 W (Tc)
2SB1197A_R1_00001 Panjit International Inc. 2SB1197A_R1_00001 0,4400
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ECAD 9 0.00000000 Panjit International Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SB1197A 1,25 W SOT-23 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 3757-2SB1197A_R1_00001TR EAR99 8541.29.0075 3.000 50 V 3A 100 nA PNP 500 mV a 200 mA, 2 A 100 a 1 A, 2 V 180 MHz
PJD4NA70_L2_00001 Panjit International Inc. PJD4NA70_L2_00001 0,9500
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ECAD 9638 0.00000000 Panjit International Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 PJD4NA70 MOSFET (ossido di metallo) TO-252 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 3757-PJD4NA70_L2_00001DKR EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 700 V 4A (Ta) 10 V 2,8 Ohm a 2 A, 10 V 4 V a 250 µA 10,5 nC a 10 V ±30 V 514 pF a 25 V - 77 W(Tc)
BC817-16W_R1_00001 Panjit International Inc. BC817-16W_R1_00001 0,1900
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ECAD 260 0.00000000 Panjit International Inc. BC817-16W Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 BC817 300 mW SOT-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 3757-BC817-16W_R1_00001DKR EAR99 8541.21.0095 3.000 45 V 500 mA 100nA (ICBO) NPN 700mV a 50mA, 500mA 100 a 100 mA, 1 V 100 MHz
PJT138L_R1_00001 Panjit International Inc. PJT138L_R1_00001 0,3800
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ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PJT138 MOSFET (ossido di metallo) 350 mW(Ta) SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 3757-PJT138L_R1_00001DKR EAR99 8541.21.0095 3.000 2 canali N (doppio) 60 V 200mA (Ta) 4,2 Ohm a 200 mA, 10 V 1,5 V a 250 µA 0,7 nC a 4,5 V 15 pF a 15 V -
PJQ5423_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5423_R2_00001 0,7300
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ECAD 65 0.00000000 Panjit International Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN PJQ5423 MOSFET (ossido di metallo) DFN5060-8 scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 30 V 11A (Ta), 60A (Tc) 4,5 V, 10 V 8,5 mOhm a 10 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 27 nC a 4,5 V ±20 V 3228 pF a 15 V - 2 W (Ta), 63 W (Tc)
PJQ5450-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5450-AU_R2_000A1 0,6400
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ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN PJQ5450 MOSFET (ossido di metallo) DFN5060-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 3757-PJQ5450-AU_R2_000A1DKR EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 40 V 5,9 A (Ta), 21 A (Tc) 4,5 V, 10 V 32 mOhm a 12 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 4,4 nC a 4,5 V ±20 V 425 pF a 25 V - 2,4 W (Ta), 30 W (Tc)
MMBTA42_R1_00001 Panjit International Inc. MMBTA42_R1_00001 0,1900
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ECAD 195 0.00000000 Panjit International Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA42 250 mW SOT-23 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 3757-MMBTA42_R1_00001TR EAR99 8541.21.0095 3.000 300 V 500 mA 100nA (ICBO) NPN 500 mV a 2 mA, 20 mA 40 a 30 mA, 10 V 50 MHz
PJF60R190E_T0_00001 Panjit International Inc. PJF60R190E_T0_00001 0,1728
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ECAD 4117 0.00000000 Panjit International Inc. - Tubo Design non per nuovi -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo PJF60R190E MOSFET (ossido di metallo) ITO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 3757-PJF60R190E_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 600 V 2,1 A (Ta), 20 A (Tc) 10 V 196 mOhm a 10 A, 10 V 4 V a 250 µA 62 nC a 10 V ±20 V 1421 pF a 25 V - 1,04 W (Ta), 68 W (Tc)
PJD100P03_L2_00001 Panjit International Inc. PJD100P03_L2_00001 1.0500
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ECAD 3242 0.00000000 Panjit International Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 PJD100 MOSFET (ossido di metallo) TO-252 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 3757-PJD100P03_L2_00001DKR EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 30 V 15,8 A (Ta), 100 A (Tc) 4,5 V, 10 V 4,5 mOhm a 20 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 107 nC a 10 V ±20 V 6067 pF a 25 V - 2 W (Ta), 104 W (Tc)
PJC7407_R1_00001 Panjit International Inc. PJC7407_R1_00001 0,4400
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ECAD 59 0.00000000 Panjit International Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 PJC7407 MOSFET (ossido di metallo) SOT-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 3757-PJC7407_R1_00001TR EAR99 8541.21.0095 3.000 Canale P 20 V 1,3A(Ta) 1,8 V, 4,5 V 125 mOhm a 1,3 A, 4,5 V 1,2 V a 250 µA 5,4 nC a 4,5 V ±12V 416 pF a 10 V - 350 mW(Ta)
MMBTA92-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMBTA92-AU_R1_000A1 0,2700
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ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA92 250 mW SOT-23 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 3757-MMBTA92-AU_R1_000A1TR EAR99 8541.21.0095 3.000 300 V 500 mA 250nA PNP 500 mV a 2 mA, 20 mA 40 a 10 mA, 10 V 50 MHz
PJL9402_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9402_R2_00001 0,1154
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ECAD 3507 0.00000000 Panjit International Inc. - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) PJL9402 MOSFET (ossido di metallo) 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 3757-PJL9402_R2_00001TR EAR99 8541.29.0095 2.500 - 30 V 5A (Ta) 4,5 V, 10 V 48 mOhm a 5 A, 10 V 2,1 V a 250 µA 5,8 nC a 10 V ±20 V 235 pF a 15 V - 2,1 W (Ta)
PJD25N03_L2_00001 Panjit International Inc. PJD25N03_L2_00001 0,4300
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ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 PJD25 MOSFET (ossido di metallo) TO-252 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 3757-PJD25N03_L2_00001TR EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 30 V 7A (Ta), 25A (Tc) 4,5 V, 10 V 25 mOhm a 12 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 4,3 nC a 4,5 V ±20 V 392 pF a 25 V - 2 W (Ta), 25 W (Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock