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Transistor(1)

Immagine	Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	ECAD	Quantità disponibile	Peso(Kg)	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Pacchetto standard	Configurazione	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET
	WI62195	6.4200	Richiesta di offerta		2340	0.00000000	Integrazione saggia	WiseGan™	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	14-PowerLDFN	GaNFET (nitruro di gallio)	-	14-PQFN (6x8)	scaricamento	3 (168 ore)	1.500	2 canali P (mezzo ponte)	750 V	9A(Tj)	250 mOhm a 2 A, 6 V	1,75 V a 10 mA	1,9 nC a 6 V	53,5 pF a 400 V	GaNFET (nitruro di gallio)