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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Resistore - Base (R1) | Resistore - Base emettitore (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BC557C | 0,0241 | ![]() | 92 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 mW | TO-92 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | 2796-BC557CTR | 8541.21.0000 | 4.000 | 45 V | 100 mA | 15nA | PNP | 650 mV a 5 mA, 100 mA | 420 a 2 mA, 5 V | 150 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | MMFTP5618 | 0,1984 | ![]() | 105 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | Venditore non definito | 2796-MMFTP5618TR | 8541.21.0000 | 3.000 | Canale P | 60 V | 1,25A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 170 mOhm a 1,25 A, 10 V | 3 V a 1 mA | 7 nC a 10 V | ±20 V | 361 pF a 30 V | - | 500mW (Ta) | ||||||||||||||
![]() | MMFTN620KD | - | ![]() | 2140 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-74, SOT-457 | MOSFET (ossido di metallo) | 500 mW | SOT-26 | scaricamento | Non applicabile | Non applicabile | Venditore non definito | 2796-MMFTN620KDTR | 8541.21.0000 | 1 | 2 canali N | 60 V | 350mA | 1,5 Ohm a 500 mA, 10 V | 1,5 V a 250 µA | 1,3 nC a 10 V | 35 pF a 25 V | Porta a livello logico | ||||||||||||||||
![]() | BC846C-AQ | 0,0236 | ![]() | 8484 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2796-BC846C-AQTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 65 V | 100 mA | 15nA (ICBO) | NPN | 600mV a 5mA, 100mA | 420 a 2 mA, 5 V | 300 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | DI015N25D1 | 1.3889 | ![]() | 9488 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252-3, DPak | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2796-DI015N25D1TR | 8541.21.0000 | 2.500 | CanaleN | 250 V | 15A (Tc) | 10 V | 255 mOhm a 15 A, 10 V | 4,5 V a 250 µA | 8,9 nC a 10 V | ±20 V | 475 pF a 125 V | - | 140 W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | MMFTN3402 | 0,0648 | ![]() | 6325 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2796-MMFTN3402TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 1,9A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 55 mOhm a 4 A, 10 V | 1,4 V a 250 µA | ±20 V | - | 500mW (Ta) | ||||||||||||||||
![]() | BC850C | - | ![]() | 2707 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2796-BC850CTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 15nA (ICBO) | NPN | 600mV a 5mA, 100mA | 420 a 2 mA, 5 V | 300 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BC849CW | 0,0317 | ![]() | 3268 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | 200 mW | SOT-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2796-BC849CWTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 30 V | 100 mA | 15nA (ICBO) | NPN | 600mV a 5mA, 100mA | 420 a 2 mA, 5 V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BC858B | 0,0182 | ![]() | 135 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2796-BC858BTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 30 V | 100 mA | 15nA (ICBO) | PNP | 650 mV a 5 mA, 100 mA | 220 a 2 mA, 5 V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DIJ4A5N65 | 0,6653 | ![]() | 2101 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | MOSFET (ossido di metallo) | ITO-220F | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | REACH Inalterato | 2796-DIJ4A5N65 | 8541.29.0000 | 1.000 | CanaleN | 650 V | 4,5 A(Tc) | 10 V | 1,3 Ohm a 3,5 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 22 nC a 10 V | ±30 V | 1080 pF a 25 V | - | 46 W (Tc) | ||||||||||||||
![]() | DIT195N08 | 2.8404 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | 2796-DIT195N08 | 8541.21.0000 | 50 | CanaleN | 85 V | 195A(Tc) | 10 V | 4,95 mOhm a 40 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 140 nC a 10 V | ±20 V | 16880 pF a 25 V | - | 300 W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | BC858BW | 0,0317 | ![]() | 9303 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | 200 mW | SOT-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2796-BC858BWTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 30 V | 100 mA | 15nA (ICBO) | PNP | 650 mV a 5 mA, 100 mA | 220 a 2 mA, 5 V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BC847PN | - | ![]() | 8421 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BC847 | 250 mW | SOT-363 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2721-BC847PNTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 45 V | 100mA | 15nA (ICBO) | PNP, PNP | 600 mV a 5 mA, 100 mA / 650 mV a 5 mA, 100 mA | 200 a 2 mA, 5 V / 220 a 2 mA, 5 V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BC846S | 0,0482 | ![]() | 117 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BC846 | 250 mW | SOT-363 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2721-BC846STR | 8541.21.0000 | 3.000 | 65 V | 100mA | 15nA (ICBO) | 2 NPN (doppio) | 600mV a 5mA, 100mA | 200 a 2 mA, 5 V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BC857BW | 0,0317 | ![]() | 168 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | BC857 | 200 mW | SOT-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2796-BC857BWTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 15nA (ICBO) | PNP | 650 mV a 5 mA, 100 mA | 220 a 2 mA, 5 V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | MMBT2907A | 0,0230 | ![]() | 6149 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2796-MMBT2907ATR | 8541.21.0000 | 3.000 | 60 V | 600 mA | 10nA (ICBO) | PNP | 1,6 V a 50 mA, 500 mA | 100 a 150 mA, 10 V | 200 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | MMFTN2362-AQ | - | ![]() | 3953 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | Non applicabile | Non applicabile | Venditore non definito | 2796-MMFTN2362-AQTR | EAR99 | 8541.29.0000 | 1 | CanaleN | 60 V | 3A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 80 mOhm a 3 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 8,6 nC a 10 V | ±20 V | 445 pF a 30 V | - | 1,25 W(Ta) | |||||||||||||
![]() | MMBTRC105SS | 0,0298 | ![]() | 9590 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBTRC105 | 200 mW | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2796-MMBTRC105SSTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500nA | NPN - Prepolarizzato | - | 80 a 10 mA, 5 V | 200 MHz | 2,2 kOhm | 47 kOhm | |||||||||||||||||
![]() | BC547CBK | 0,1300 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Scatola | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 mW | TO-92 | scaricamento | Non applicabile | Non applicabile | Venditore non definito | 5.000 | 45 V | 100 mA | 15nA | NPN | 600mV a 5mA, 100mA | 420 a 2 mA, 5 V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | BC817-40 | 0,0252 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC817 | 310 mW | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 8541.21.0000 | 3.000 | 45 V | 800 mA | 100nA (ICBO) | NPN | 700mV a 50mA, 500mA | 250 a 100 mA, 1 V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | MMBT3906-AQ | 0,0241 | ![]() | 7917 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2796-MMBT3906-AQTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 40 V | 200 mA | 50nA | PNP | 400 mV a 5 mA, 50 mA | 100 a 10 mA, 1 V | 250 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | MMBT5551 | 0,0266 | ![]() | 336 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2796-MMBT5551TR | 8541.21.0000 | 3.000 | 160 V | 600 mA | 50nA (ICBO) | NPN | 200 mV a 5 mA, 50 mA | 80 a 10 mA, 5 V | 300 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 2N7002A | - | ![]() | 7776 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2796-2N7002ATR | 8541.21.0000 | 3.000 | CanaleN | 60 V | 280mA (Ta) | 5 V, 10 V | 2 Ohm a 500 mA, 10 V | 2,5 V a 250 µA | ±30 V | 50 pF a 25 V | - | 350 mW(Ta) | |||||||||||||||
![]() | MMDT5111W | 0,0266 | ![]() | 2007 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | MMDT5111 | 200 mW | SOT-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2796-MMDT5111WTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 100 mA | 100nA (ICBO) | PNP - Pre-polarizzato | - | 35 a 10 mA, 5 V | 250 MHz | 10 kOhm | 10 kOhm | ||||||||||||||||||
![]() | MMFTP3160-AQ | 0,1157 | ![]() | 8609 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2796-MMFTP3160-AQTR | 8541.21.0000 | 3.000 | Canale P | 30 V | 2,6 A | 4,5 V, 10 V | 90 mOhm a 2,6 A, 10 V | 2 V a 250 µA | 8,3 nC a 10 V | ±20 V | 410 pF a 10 V | - | 1,4 W | ||||||||||||||
![]() | DI050N06D1-AQ | - | ![]() | 9134 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252AA (DPAK) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2796-DI050N06D1-AQTR | 8541.29.0000 | 1 | CanaleN | 65 V | 50A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 11 mOhm a 10 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 14 nC a 10 V | ±20 V | 825 pF a 30 V | - | 42 W (Tc) | ||||||||||||||
![]() | DI001N65PTK-AQ | 0,5948 | ![]() | 7281 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | MOSFET (ossido di metallo) | 8-QFN (3x3) | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | 2796-DI001N65PTK-AQTR | 8541.29.0000 | 5.000 | CanaleN | 650 V | 1A(Tc) | 10 V | 1,6 Ohm a 1 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 5,8 nC a 10 V | ±20 V | 209 pF a 350 V | - | 31,2 W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | MMBTA42-AQ | 0,0512 | ![]() | 4830 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2796-MMBTA42-AQTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 300 V | 500 mA | 100nA (ICBO) | NPN | 500 mV a 2 mA, 20 mA | 80 a 10 mA, 10 V | 50 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | BCP55-16-AQ | 0,1499 | ![]() | 4116 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 2 W | SOT-223 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | 2796-BCP55-16-AQTR | 8541.29.0000 | 4.000 | 60 V | 1A | NPN | 500 V a 50 mA, 500 mA | 100 a 150 mA, 2 V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | MMFTN123 | 0,0602 | ![]() | 8814 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2796-MMFTN123TR | 8541.21.0000 | 3.000 | CanaleN | 100 V | 170mA (Ta) | 4,5 V, 10 V | 6 Ohm a 170 mA, 10 V | 2 V a 1 mA | ±20 V | 73 pF a 25 V | - | 360 mW |

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