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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Resistore - Base (R1) | Resistore - Base emettitore (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MMDT5211W | 0,0266 | ![]() | 3309 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | MMDT5211 | 200 mW | SOT-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2796-MMDT5211WTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 100 mA | 100nA (ICBO) | NPN - Prepolarizzato | - | 35 a 10 mA, 5 V | 250 MHz | 10 kOhm | 10 kOhm | ||||||||||||||||||
![]() | MMFTP3334K-AQ | 0,1729 | ![]() | 6624 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | Venditore non definito | 2796-MMFTP3334K-AQTR | 8541.21.0000 | 3.000 | Canale P | 30 V | 4A(Tj) | 4 V, 10 V | 71 mOhm a 3 A, 10 V | 2 V a 100 µA | 5,9 nC a 10 V | ±20 V | 280 pF a 15 V | - | 1 W (Ta) | ||||||||||||||
![]() | MMDT5114W | 0,0266 | ![]() | 8880 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | MMDT5114 | 200 mW | SOT-323 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | Venditore non definito | 2796-MMDT5114WTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100nA (ICBO) | PNP - Pre-polarizzato | 300 mV a 500 µA, 10 mA | 80 a 10 mA, 5 V | 250 MHz | 10 kOhm | 47 kOhm | ||||||||||||||||
![]() | DI064P04D1 | 1.1713 | ![]() | 3564 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | D-PAK (TO-252AA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | 2796-DI064P04D1TR | 8541.29.0000 | 2.500 | Canale P | 64A | 48,3 W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA42BK | 0,0436 | ![]() | 1160 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Scatola | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 mW | TO-92 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | 2796-MPSA42BK | 8541.21.0000 | 5.000 | 300 V | 500 mA | 100nA (ICBO) | NPN | 500 mV a 2 mA, 20 mA | 40 a 30 mA, 10 V | 50 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | BCX56-10 | 0,0911 | ![]() | 4215 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-243AA | 500 mW | SOT-89 | scaricamento | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | 2796-BCX56-10TR | 8541.21.0000 | 1.000 | 80 V | 1A | 100nA (ICBO) | NPN | 500mV a 50mA, 500mA | 63 a 150 mA, 2 V | |||||||||||||||||||
![]() | BC817-25 | 0,0220 | ![]() | 9072 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC817 | 310 mW | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2796-BC817-25TR | 8541.21.0000 | 3.000 | 45 V | 800 mA | 100nA (ICBO) | NPN | 700mV a 50mA, 500mA | 160 a 100 mA, 1 V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BC807-25 | 0,0266 | ![]() | 8189 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 310 mW | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2796-BC807-25TR | 8541.21.0000 | 3.000 | 45 V | 800 mA | 100nA (ICBO) | PNP | 700mV a 50mA, 500mA | 160 a 100 mA, 1 V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DI050P03PT-AQ | 0,5396 | ![]() | 6009 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | PowerQFN 3x3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | 2796-DI050P03PT-AQTR | 8541.29.0000 | 200.000 | Canale P | 50A | 39 W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DI030N03D1 | 0,3236 | ![]() | 8224 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252-3, DPak | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2796-DI030N03D1TR | 8541.21.0000 | 2.500 | CanaleN | 30 V | 30A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 14 mOhm a 20 A, 10 V | 2,2 V a 250 µA | 17,5 nC a 10 V | ±20 V | 940 pF a 15 V | - | 40 W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | MMBT4403-AQ | 0,0355 | ![]() | 8615 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 250 mW | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | 2796-MMBT4403-AQTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 40 V | 600 mA | PNP | 750mV a 50mA, 500mA | 100 a 10 mA, 1 V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | MMFTP2319A-AQ | 0,1542 | ![]() | 5176 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | 2796-MMFTP2319A-AQTR | 8541.21.0000 | 3.000 | Canale P | 40 V | 4,2A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 97 mOhm a 3 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 8,2 nC a 10 V | ±20 V | 432 pF a 20 V | - | 750 mW(Ta) | ||||||||||||||
![]() | BC859AW | 0,0317 | ![]() | 9905 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | 200 mW | SOT-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2796-BC859AWTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 30 V | 100 mA | 15nA (ICBO) | PNP | 650 mV a 5 mA, 100 mA | 125 a 2 mA, 5 V | 100 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | MMBT7002CK-AQ | - | ![]() | 9187 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2796-MMBT7002CK-AQTR | 8541.21.0000 | 1 | CanaleN | 60 V | 300mA (Ta) | 5 V, 10 V | 2 Ohm a 500 mA, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 1,1 nC a 10 V | ±20 V | 31 pF a 25 V | - | 350 mW(Ta) | ||||||||||||||
![]() | DI2A8N03PWK2 | 0,1699 | ![]() | 9651 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 6-UDFN | MOSFET (ossido di metallo) | 1 W (Ta) | 6-QFN (2x2) | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | 2796-DI2A8N03PWK2TR | 8541.29.0000 | 4.000 | 2 canali N | 30 V | 2,8A(Ta) | 72 mOhm a 2 A, 4,5 V | 1,2 V a 250 µA | 6,8 nC a 4,5 V | 387 pF a 15 V | Standard | ||||||||||||||||
![]() | DI020P06PT-AQ | 1.0320 | ![]() | 200 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | PowerQFN 3x3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | 2796-DI020P06PT-AQTR | 8541.29.0000 | 5.000 | Canale P | 20A | 29,7 W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DI7A6N10SQ | - | ![]() | 5916 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SO | scaricamento | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | 2796-DI7A6N10SQTR | 8541.29.0000 | 1 | CanaleN | 100 V | 7,6A(Ta) | 6 V, 10 V | 20 mOhm a 7,5 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 22 nC a 10 V | ±20 V | 1650 pF a 25 V | - | 2,5 W(Ta) | ||||||||||||||
![]() | 2N4401 | 0,0298 | ![]() | 7494 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 mW | TO-92 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | 2796-2N4401TR | 8541.21.0000 | 4.000 | 40 V | 600 mA | 100 nA | NPN | 750mV a 50mA, 500mA | 100 a 150 mA, 1 V | 250 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BC817-40R13 | 0,0328 | ![]() | 5812 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC817 | 310 mW | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2796-BC817-40R13TR | 8541.21.0000 | 10.000 | 45 V | 800 mA | 100nA (ICBO) | NPN | 700mV a 50mA, 500mA | 250 a 100 mA, 1 V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BC338-25 | 0,0328 | ![]() | 5392 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 mW | TO-92 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | 2796-BC338-25TR | 8541.21.0000 | 4.000 | 25 V | 800 mA | 100 nA | NPN | 700mV a 50mA, 500mA | 160 a 100 mA, 1 V | 100 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | BC847AW | 0,0317 | ![]() | 4558 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | 200 mW | SOT-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2796-BC847AWTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 15nA (ICBO) | NPN | 600mV a 5mA, 100mA | 110 a 2 mA, 5 V | 100 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | DIT095N08 | 2.9447 | ![]() | 6756 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | DIT095N | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2721-DIT095N08 | 10 | CanaleN | 80 V | 95A (Tc) | 10 V | 8 mOhm a 40 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 109 nC a 10 V | ±20 V | 6800 pF a 25 V | - | 170 W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | MMFTP5618-AQ | 0,1967 | ![]() | 2965 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2796-MMFTP5618-AQTR | 8541.21.0000 | 3.000 | Canale P | 60 V | 1,25A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 170 mOhm a 1,25 A, 10 V | 3 V a 1 mA | 7 nC a 10 V | ±20 V | 361 pF a 30 V | - | 500mW (Ta) | ||||||||||||||
![]() | BC856S-AQ | 0,0463 | ![]() | 3395 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | 250 mW | SOT-363 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2796-BC856S-AQTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 65 V | 100 mA | 15nA (ICBO) | 2PNP | 650 mV a 5 mA, 100 mA | 220 a 2 mA, 5 V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BC847B-AQ | 0,0236 | ![]() | 5611 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2796-BC847B-AQTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 15nA (ICBO) | NPN | 600mV a 5mA, 100mA | 200 a 2 mA, 5 V | 300 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | BC548B | 0,0241 | ![]() | 4677 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 mW | TO-92 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | 2796-BC548BTR | 8541.21.0000 | 4.000 | 30 V | 100 mA | 15nA | NPN | 600mV a 5mA, 100mA | 200 a 2 mA, 5 V | 300 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BCR08PN-AQ | 0,0786 | ![]() | 2556 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | 250 mW | SOT-363 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2796-BCR08PN-AQTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 100mA | 100nA (ICBO) | 1 NPN - Prepolarizzato, 1 PNP | 300 mV a 500 µA, 10 mA | 70 a 5 mA, 5 V | 170 MHz | 2,2 kOhm | - | ||||||||||||||||||
![]() | DIT085N10 | 1.9211 | ![]() | 4840 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | DIT085N | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220AB | scaricamento | RoHS non conforme | Non applicabile | Venditore non definito | 2796-DIT085N10 | 8541.21.0000 | 1.000 | CanaleN | 100 V | 85A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 4,8 mOhm a 50 A, 10 V | 2,4 V a 250 µA | 75 nC a 10 V | ±20 V | 3742 pF a 50 V | - | 62,5 W(Tc) | |||||||||||||
![]() | 2N7000 | 0,0648 | ![]() | 696 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | MOSFET (ossido di metallo) | TO-92 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | 2796-2N7000TR | 8541.21.0000 | 4.000 | CanaleN | 60 V | 200mA (Ta) | 4,5 V, 10 V | 5 Ohm a 500 mA, 10 V | 3 V a 1 mA | ±20 V | 60 pF a 25 V | - | 350 mW(Ta) | |||||||||||||||
![]() | MMBT3904 | 0,0190 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Semiconduttore Diotec | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT390 | 350 mW | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2796-MMBT3904TR | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 200 mA | 50nA | NPN | 300 mV a 5 mA, 50 mA | 100 a 10 mA, 1 V | 300 MHz |

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