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Transistor(836)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
RFP15N08L	0,5700	Richiesta di offerta	49	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		80 V	15A (Tc)	5 V	140 mOhm a 7,5 A, 5 V	2,5 V a 1 mA	80 nC a 10 V	±10 V		-	72 W (Tc)
RCA1C04	-	Richiesta di offerta	1421	Harris Corporation	*	Massa	Attivo									-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito			1
D42C11X	0,4400	Richiesta di offerta	3	Harris Corporation	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		0000.00.0000	1
RFM15N05L	-	Richiesta di offerta	3089	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		50 V	15A (Tc)	5 V	140 mOhm a 7,5 A, 5 V			±10 V	900 pF a 25 V	-	75 W (Tc)
IRFP9240	-	Richiesta di offerta	5544	Harris Corporation	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247AC	scaricamento	RoHS non conforme			EAR99	8541.29.0095	500	Canale P		200 V	12A (Tc)	10 V	500 mOhm a 7,2 A, 10 V	4 V a 250 µA	44 nC a 10 V	±20 V	1200 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
IG77E20CS	1.0000	Richiesta di offerta	9860	Harris Corporation	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	3 (168 ore)	Venditore non definito			1
IGTM20N40A	2.3100	Richiesta di offerta	6264	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-204AA, TO-3		Standard			TO-3	scaricamento	Non applicabile	3 (168 ore)	Venditore non definito	EAR99	8542.39.0001	100		-											-	400 V	20A		-	-		-
HUF75339S3	0,2200	Richiesta di offerta	7399	Harris Corporation	UltraFET™	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	0000.00.0000	1.200	CanaleN		55 V	70A (Tc)		12 mOhm a 70 A, 10 V	4 V a 250 µA	130 nC a 20 V	±20 V	2000 pF a 25 V	-	124 W(Tc)
SUGGERIMENTO117	-	Richiesta di offerta	9187	Harris Corporation	-	Tubo	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3				2 W	TO-220-3	scaricamento	RoHS non conforme			EAR99	8541.29.0095	50														100 V	2A						2mA	PNP-Darlington	2,5 V a 8 mA, 2 A	1000 a 1 A, 4 V	-
IRFU9110	0,3600	Richiesta di offerta	2	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	IRFU9		MOSFET (ossido di metallo)		TO-251AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	0000.00.0000	1	Canale P		100 V	3,1 A(Tc)	10 V	1,2 Ohm a 1,9 A, 10 V	4 V a 250 µA	8,7 nC a 10 V	±20 V	200 pF a 25 V	-	2,5 W (Ta), 25 W (Tc)
IRF512	0,4600	Richiesta di offerta	1	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		100 V	4,9 A(Tc)	10 V	740 mOhm a 3,4 A, 10 V	4 V a 250 µA	7,7 nC a 10 V	±20 V	135 pF a 25 V	-	43 W (Tc)
HUF75332S3S	0,4100	Richiesta di offerta	2	Harris Corporation	UltraFET™	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK (TO-263)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		55 V	52A(Tc)	10 V	19 mOhm a 52 A, 10 V	4 V a 250 µA	85 nC a 20 V	±20 V	1300 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
IRFR21496	0,3200	Richiesta di offerta	993	Harris Corporation	*	Massa	Attivo				IRFR214		-			-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8542.39.0001	993											-
IRFP140R	2.5400	Richiesta di offerta	6300	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.29.0095	31	CanaleN		100 V	31A(Tc)	10 V	77 mOhm a 19 A, 10 V	4 V a 250 µA	59 nC a 10 V	±20 V	1275 pF a 25 V	-	180 W(Tc)
IRF640S2497	-	Richiesta di offerta	2298	Harris Corporation	*	Massa	Attivo				IRF640		-			-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito			1											-
2N1893	28.1500	Richiesta di offerta	836	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo	2N18			800 mW	TO-5	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.21.0095	12														80 V	500 mA						10nA (ICBO)	NPN	5 V a 15 A, 150 A	-	-
IRF641	1.6000	Richiesta di offerta	14	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		150 V	18A (Tc)	10 V	180 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 250 µA	64 nC a 10 V	±20 V	1275 pF a 25 V	-	125 W (Tc)
RFD20N03SM9A	0,7800	Richiesta di offerta	4	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		TO-252-3 (DPAK)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		30 V	20A (Tc)	10 V	25 mOhm a 20 A, 10 V	4 V a 250 µA	75 nC a 20 V	±20 V	1150 pF a 25 V	-	90 W (Tc)
HGTD6N40E1S	-	Richiesta di offerta	7291	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		Standard		60 W	TO-252-3 (DPAK)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.29.0095	1		-											-	400 V	7,5 A		2,5 V a 10 V, 3 A	-	6,9 nC	-
RFD10N05SM	0,6600	Richiesta di offerta	11	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		TO-252, (D-Pak)	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		50 V	-	-	-	-		-		-	-
10N50F1D	-	Richiesta di offerta	9713	Harris Corporation	*	Massa	Attivo									-					0000.00.0000	169
RF1S630SM9A	1.0000	Richiesta di offerta	4	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		TO-263AB	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.29.0095	800	CanaleN		200 V	6A (Tc)	10 V	400 mOhm a 5 A, 10 V	4 V a 250 µA	30 nC a 10 V	±20 V	600 pF a 25 V	-	75 W (Tc)
IRF9542	1.7800	Richiesta di offerta	497	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.29.0095	169	Canale P		100 V	15A (Tc)	10 V	300 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 250 µA	90 nC a 10 V	±20 V	1100 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
HGTG40N60B3	1.0000	Richiesta di offerta	4143	Harris Corporation	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		290 W	TO-247	scaricamento	RoHS non conforme			EAR99	8541.29.0095	450		480 V, 40 A, 3 Ohm, 15 V											-	600 V	70A	330A	2 V a 15 V, 40 A	1,05 mJ (acceso), 800 µJ (spento)	250 nC	47ns/170ns
2N6131	-	Richiesta di offerta	7894	Harris Corporation	*	Massa	Attivo									scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.29.0095	1
SUGGERIMENTO47	-	Richiesta di offerta	4518	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3				2 W	TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1														250 V	1A						1mA	NPN	1 V a 200 mA, 1 A	30 a 300 mA, 10 V	10 MHz
HGTP14N0FVLR4600	-	Richiesta di offerta	9929	Harris Corporation	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	3 (168 ore)	Venditore non definito			1
RFP2N10	0,2900	Richiesta di offerta	1	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		100 V	2A(Tc)	10 V	1,05 Ohm a 2 A, 5 V	4 V a 250 µA		±20 V	200 pF a 25 V	-	25 W (Tc)
HUF76139S3	1.2200	Richiesta di offerta	800	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK (TO-262)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		30 V	75A (Tc)	4,5 V, 10 V	7,5 mOhm a 75 A, 10 V	3 V a 250 µA	78 nC a 10 V	±16V	2700 pF a 25 V	-	200 W (Tc)
HGTG2ON60C3DR	3.2100	Richiesta di offerta	302	Harris Corporation	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	3 (168 ore)	Venditore non definito	EAR99	8542.39.0001	1