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Transistor(836)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Condizione di prova	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
IRF642R	0,8100	Richiesta di offerta	500	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN			200 V	16A (Tc)	10 V	220 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 250 µA	64 nC a 10 V	±20 V	1275 pF a 25 V	-	125 W (Tc)
IRFP150R119	1.0000	Richiesta di offerta	5147	Harris Corporation	*	Massa	Attivo									-						0000.00.0000	1
RFM12P10	-	Richiesta di offerta	1009	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1	Canale P			100 V	12A (Tc)	10 V	300 mOhm a 6 A, 10 V	4 V a 1 mA		±20 V	1500 pF a 25 V	-	100 W (Tc)
HC55182BIM	3.3800	Richiesta di offerta	451	Harris Corporation	*	Massa	Attivo									scaricamento		Venditore non definito	Venditore non definito	2156-HC55182BIM-600026			1
HGTD7N60B3S	0,7500	Richiesta di offerta	703	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		Standard		60 W	TO-252AA	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		480 V, 7 A, 50 Ohm, 15 V												-	600 V	14A	56A	2,1 V a 15 V, 7 A	72μJ (acceso), 120μJ (spento)	37 nC	26ns/130ns
IRFD321	-	Richiesta di offerta	2713	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		4-DIP, esadecimale	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	66	CanaleN			350 V	500 mA(Tc)	10 V	1,8 Ohm a 250 mA, 10 V	4 V a 250 µA	15 nC a 10 V	±20 V	455 pF a 25 V	-	1W (Tc)
HGT4E30N60B3S	4.8000	Richiesta di offerta	450	Harris Corporation	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8542.39.0001	1
IRF822	0,4600	Richiesta di offerta	20	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN			500 V	2,2 A(Tc)	10 V	4 Ohm a 1,4 A, 10 V	4 V a 250 µA	19 nC a 10 V	±20 V	360 pF a 25 V	-	50 W (Tc)
2N6756	-	Richiesta di offerta	2844	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-204AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN			100 V	14A (Tc)	10 V	210 mOhm a 14 A, 10 V	4 V a 250 µA	35 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 75 W (Tc)
IRF614	0,4100	Richiesta di offerta	2703	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IRF614		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	695	CanaleN			250 V	2,7 A(Tc)	10 V	2 Ohm a 1,6 A, 10 V	4 V a 250 µA	8,2 nC a 10 V	±20 V	140 pF a 25 V	-	36 W (Tc)
IRF712S2497	0,4600	Richiesta di offerta	1	Harris Corporation	*	Massa	Attivo				IRF712		-			-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8542.39.0001	1												-
2N3416	0,3100	Richiesta di offerta	5588	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	2N341			625 mW	TO-92-3	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito	2156-2N3416	EAR99	8541.21.0095	1															50 V	500 mA						100nA (ICBO)	NPN	300 mV a 3 mA, 50 mA	75 a 2 mA, 4,5 V	-
IRF612	1.0000	Richiesta di offerta	1935	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN			200 V	2,6 A(Tc)	10 V	2,4 Ohm a 1,6 A, 10 V	4 V a 250 µA	8,2 nC a 10 V	±20 V	135 pF a 25 V	-	43 W (Tc)
RFM6P10	1.7000	Richiesta di offerta	3	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1	Canale P			100 V	6A (Tc)	10 V	600 mOhm a 6 A, 10 V	4 V a 250 µA		±20 V	800 pF a 25 V	-	60 W (Tc)
IRF640R	-	Richiesta di offerta	3065	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	299	CanaleN			200 V	18A (Tc)	10 V	180 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 250 µA	64 nC a 10 V	±20 V	1275 pF a 25 V	-	125 W (Tc)
RF1S530SM9AS2457	0,8800	Richiesta di offerta	800	Harris Corporation	*	Massa	Attivo				RF1S		-			-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8542.39.0001	800												-
2N6752	-	Richiesta di offerta	6629	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA				150 W	TO-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0075	26															450 V	10A						100μA	NPN	3 V a 3 A, 10 A	8 a 5 A, 3 V	60 MHz
IRF610S2497	0,1800	Richiesta di offerta	2	Harris Corporation	*	Massa	Attivo				IRF610		-			-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito				1												-
RFM10N15L	2.1800	Richiesta di offerta	1363	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	109	CanaleN			150 V	10A (Tc)	5 V	300 mOhm a 5 A, 5 V			±10 V	1200 pF a 25 V	-	75 W (Tc)
RF1S15N06	0,5700	Richiesta di offerta	2	Harris Corporation	*	Massa	Attivo				RF1S		-			-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1												-
IRF523	0,3300	Richiesta di offerta	2	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN			80 V	8A (Tc)	10 V	360 mOhm a 5,6 A, 10 V	4 V a 250 µA	15 nC a 10 V	±20 V	350 pF a 25 V	-	60 W (Tc)
BUZ41A	1.3600	Richiesta di offerta	7	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN			500 V	4,5 A(Tc)	10 V	1,5 Ohm a 2,5 A, 10 V	4 V a 1 mA		±20 V	2000 pF a 25 V	-	75 W (Tc)
RFH75N05E	-	Richiesta di offerta	5774	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	Scheda isolata TO-218-3, TO-218AC			MOSFET (ossido di metallo)		Isolamento TO-218	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	20	CanaleN			50 V	75A (Tc)	10 V	8 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	400 nC a 20 V	±20 V		-	240 W(Tc)
RFP17N06L	1.1300	Richiesta di offerta	2	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN			60 V	17A(Tc)	4V, 5V	130 mOhm a 17 A, 5 V	2 V a 1 mA	45 nC a 30 V	±10 V		-	60 W (Tc)
HUF75321S3S	0,4300	Richiesta di offerta	991	Harris Corporation	UltraFET™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK (TO-263)	scaricamento	RoHS non conforme				EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN			55 V	35A (Tc)	10 V	34 mOhm a 35 A, 10 V	4 V a 250 µA	44 nC a 20 V	±20 V	680 pF a 25 V	-	93 W (Tc)
RF1S17N06LSM	0,6500	Richiesta di offerta	4	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		TO-263AB	scaricamento	Non applicabile	3 (168 ore)	Venditore non definito		EAR99	8542.39.0001	1	CanaleN			60 V	17A	-	-	-		-		-	-
BD277	-	Richiesta di offerta	6598	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3				70 W	TO-220	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	903															45 V	7A						1mA	PNP	500 mV a 100 mA, 1,75 A	30 a 1,75 A, 2 V	10 MHz
HFA3127MJ/883	26.7200	Richiesta di offerta	1	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 125°C (TJ)	Foro passante	16 CDIP (0,300", 7,62 mm)				150 mW	16-CERDIP	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	0000.00.0000	1			-												12V	65 mA							5PNP		40 a 10 mA, 2 V	8GHz	3,5 dB a 1 GHz
HP4936DY	0,4600	Richiesta di offerta	1	Harris Corporation	*	Massa	Attivo									scaricamento		Venditore non definito	RAGGIUNGERE Interessato	2156-HP4936DY-600026			1
2N5490	1.0200	Richiesta di offerta	565	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3				50 W	TO-220-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0075	1															40 V	7A						2mA	NPN	1 V a 200 mA, 2 A	20 a 2 A, 4 V	800kHz