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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Tipo FET Condizione di prova Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione
HIP2060ASE Harris Corporation HIP2060ASE 1.8300
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ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation * Massa Attivo HIP2060 - - Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8542.39.0001 1 -
RFP45N03L Harris Corporation RFP45N03L 0,6700
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ECAD 41 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-220-3 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 30 V 45A (Tc) 5 V 22 mOhm a 45 A, 5 V 2 V a 250 µA 60 nC a 10 V ±10 V 1650 pF a 25 V - 90 W (Tc)
IRFD111 Harris Corporation IRFD111 -
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ECAD 5736 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) MOSFET (ossido di metallo) 4-DIP, esadecimale scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 108 CanaleN 80 V 1A(Tc) 10 V 600 mOhm a 800 mA, 10 V 4 V a 250 µA 7 nC a 10 V ±20 V 135 pF a 25 V - 1W (Tc)
IRF830 Harris Corporation IRF830 1.4600
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ECAD 329 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-220AB scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 0000.00.0000 1 CanaleN 500 V 4,5 A(Tc) 1,5 Ohm a 2,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 32 nC a 10 V ±20 V 600 pF a 25 V - 75 W (Tc)
GSI510 Harris Corporation GSI510 -
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ECAD 5045 0.00000000 Harris Corporation * Massa Attivo - 0000.00.0000 100
RF1S17N06L Harris Corporation RF1S17N06L 0,6700
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ECAD 4 0.00000000 Harris Corporation * Massa Attivo RF1S - - Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 -
RFP23N06LE Harris Corporation RFP23N06LE 0,4100
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ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation * Massa Attivo - RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito 1
IRF631 Harris Corporation IRF631 0,7900
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ECAD 5 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-220AB scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 381 CanaleN 150 V 9A (Tc) 10 V 400 mOhm a 5 A, 10 V 4 V a 250 µA 30 nC a 10 V ±20 V 600 pF a 25 V - 75 W (Tc)
IRF623 Harris Corporation IRF623 0,3300
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ECAD 1757 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-220-3 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 737 CanaleN 150 V 4A(Tc) 10 V 1,2 Ohm a 2,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 15 nC a 10 V ±20 V 450 pF a 25 V - 40 W (Tc)
HGTP10N40C1 Harris Corporation HGTP10N40C1 1.0800
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ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Standard 60 W TO-220-3 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 - - 400 V 10A 17,5 A 3,2 V a 20 V, 17,5 A - 19 nC -
RF1S630SM9A Harris Corporation RF1S630SM9A 1.0000
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ECAD 4 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB MOSFET (ossido di metallo) TO-263AB scaricamento Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 800 CanaleN 200 V 6A (Tc) 10 V 400 mOhm a 5 A, 10 V 4 V a 250 µA 30 nC a 10 V ±20 V 600 pF a 25 V - 75 W (Tc)
HGTG40N60B3 Harris Corporation HGTG40N60B3 1.0000
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ECAD 4143 0.00000000 Harris Corporation - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 Standard 290 W TO-247 scaricamento RoHS non conforme EAR99 8541.29.0095 450 480 V, 40 A, 3 Ohm, 15 V - 600 V 70A 330A 2 V a 15 V, 40 A 1,05 mJ (acceso), 800 µJ (spento) 250 nC 47ns/170ns
RF1S540 Harris Corporation RF1S540 1.1100
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ECAD 4 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA MOSFET (ossido di metallo) I2PAK (TO-262) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 0000.00.0000 1 CanaleN 100 V 28A (Tc) 10 V 77 mOhm a 17 A, 10 V 4 V a 250 µA 59 nC a 10 V ±20 V 1450 pF a 25 V - 150 W(Tc)
2N1700 Harris Corporation 2N1700 47.2100
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ECAD 148 0.00000000 Harris Corporation * Massa Obsoleto scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 7
2N6131 Harris Corporation 2N6131 -
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ECAD 7894 0.00000000 Harris Corporation * Massa Attivo scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1
IRF9542 Harris Corporation IRF9542 1.7800
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ECAD 497 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-220-3 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 169 Canale P 100 V 15A (Tc) 10 V 300 mOhm a 10 A, 10 V 4 V a 250 µA 90 nC a 10 V ±20 V 1100 pF a 25 V - 150 W(Tc)
RFD10N05SM Harris Corporation RFD10N05SM 0,6600
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ECAD 11 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo - Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 MOSFET (ossido di metallo) TO-252, (D-Pak) scaricamento Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 50 V - - - - - - -
HGTD6N40E1S Harris Corporation HGTD6N40E1S -
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ECAD 7291 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 Standard 60 W TO-252-3 (DPAK) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 - - 400 V 7,5 A 2,5 V a 10 V, 3 A - 6,9 nC -
10N50F1D Harris Corporation 10N50F1D -
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ECAD 9713 0.00000000 Harris Corporation * Massa Attivo - 0000.00.0000 169
IGT6D10 Harris Corporation IGT6D10 2.0700
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ECAD 8868 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-204AA Logica 75 W TO-3 scaricamento Non applicabile 3 (168 ore) Venditore non definito EAR99 0000.00.0000 106 - - 400 V 10A 40A 2,7 V a 15 V, 10 A - -
IRFU420 Harris Corporation IRFU420 -
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ECAD 8809 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA MOSFET (ossido di metallo) TO-251AA scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 0000.00.0000 395 CanaleN 500 V 2,4 A(Tc) 3 Ohm a 1,4 A, 10 V 4 V a 250 µA 19 nC a 10 V ±20 V 360 pF a 25 V - 2,5 W (Ta), 42 W (Tc)
BFT28C Harris Corporation BFT28C -
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ECAD 3340 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -65°C ~ 200°C (TJ) Foro passante TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo 5 W TO-39 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 324 250 V 1A 5 µA (ICBO) PNP 5 V a 1 mA, 10 mA 20 a 10 mA, 10 V
JANSR2N7292 Harris Corporation JANSR2N7292 407.6400
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ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-254-3, TO-254AA MOSFET (ossido di metallo) TO-254AA scaricamento Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 0000.00.0000 1 CanaleN 100 V 25A (Tc) 10 V 70 mOhm a 20 A, 10 V 5 V a 1 mA 552 nC a 20 V ±20 V - 125 W (Tc)
RFH75N05 Harris Corporation RFH75N05 4.1100
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ECAD 80 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo - Foro passante Scheda isolata TO-218-3, TO-218AC MOSFET (ossido di metallo) Isolamento TO-218 scaricamento Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 80 CanaleN 50 V - - - - - - -
IRF840RU Harris Corporation IRF840RU -
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ECAD 5093 0.00000000 Harris Corporation * Massa Attivo - 0000.00.0000 150
IRFP141 Harris Corporation IRFP141 1.2500
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ECAD 288 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-247 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 80 V 31A(Tc) 10 V 77 mOhm a 19 A, 10 V 4 V a 250 µA 59 nC a 10 V ±20 V 1275 pF a 25 V - 180 W(Tc)
IRF9532 Harris Corporation IRF9532 0,6700
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ECAD 19 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-220AB scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 Canale P 100 V 10A (Tc) 10 V 400 mOhm a 6,5 ​​A, 10 V 4 V a 250 µA 45 nC a 10 V ±20 V 500 pF a 25 V - 75 W (Tc)
TIP47 Harris Corporation SUGGERIMENTO47 -
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ECAD 4518 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 2 W TO-220-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 250 V 1A 1mA NPN 1 V a 200 mA, 1 A 30 a 300 mA, 10 V 10 MHz
HGT1S15N120C3 Harris Corporation HGT1S15N120C3 3.7100
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ECAD 4 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA Standard 164 W I2PAK (TO-262) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 - - 1200 V 35A 120A 3,5 V a 15 V, 15 A - 100 nC -
HC5523IM Harris Corporation HC5523IM 3.3300
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ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation * Massa Attivo scaricamento Venditore non definito RAGGIUNGERE Interessato 2156-HC5523IM-600026 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock