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Transistor(181)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Voltaggio: nominale | Temperatura operativa | Applicazioni | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Corrente nominale (Amp) | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Tipo di transistor |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ALD110914PAL | 5.7472 |  | 7987 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | EPAD® | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | ALD110914 | MOSFET (ossido di metallo) | 500 mW | 8-PDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1014-1042 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). | 10,6 V | 12 mA, 3 mA | 500 Ohm a 5,4 V | 1,42 V a 1 µA | - | 2,5 pF a 5 V | - | |||||
 | ALD111933MAL | - | | 8828 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | EPAD® | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", larghezza 3,00 mm) | ALD111933 | MOSFET (ossido di metallo) | 500 mW | 8-MSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1014-1050 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). | 10,6 V | - | 500 Ohm a 5,9 V | 3,35 V a 1 µA | - | 2,5 pF a 5 V | - | |||||
 | ALD210808SCL | 5.8118 | | 8523 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | EPAD®, Soglia Zero™ | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ALD210808 | MOSFET (ossido di metallo) | 500 mW | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 canali N, coppia abbinata | 10,6 V | 80 mA | - | 20mV a 10μA | - | - | Porta a livello logico | ||||||
 | ALD910018SALI | 5.3628 | | 3542 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | SAB™ | Tubo | Attivo | 10,6 V | Bilanciamento automatico dei supercondensatori | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ALD910018 | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80 mA | 2 canali N (doppio) | |||||||||||||
| ALD110904SAL | 4.2288 | | 7289 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | EPAD® | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ALD110904 | MOSFET (ossido di metallo) | 500 mW | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1014-1037 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). | 10,6 V | 12 mA, 3 mA | 500 Ohm a 4,4 V | 420mV a 1μA | - | 2,5 pF a 5 V | - | |||||
 | ALD310704SCL | 6.0054 | | 9339 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | EPAD®, Soglia Zero™ | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ALD310704 | MOSFET (ossido di metallo) | 500 mW | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1014-1295 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 canali P, coppia abbinata | 8 V | - | - | 380mV a 1μA | - | 2,5 pF a 5 V | - | |||||
| ALD210814SCL | 5.7256 | | 8896 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | EPAD®, Soglia Zero™ | Tubo | Attivo | - | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ALD210814 | MOSFET (ossido di metallo) | 500 mW | 16-SOIC | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 canali N, coppia abbinata | 10,6 V | 80 mA | - | 20mV a 10μA | - | - | Porta a livello logico | ||||||
| ALD212902PAL | 5.6826 | | 5658 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | EPAD®, Soglia Zero™ | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | ALD212902 | MOSFET (ossido di metallo) | 500 mW | 8-PDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). | 10,6 V | 80 mA | - | 20mV a 10μA | - | - | Porta a livello logico | ||||||
 | ALD110804PCL | 6.5006 | | 6154 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | EPAD® | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Foro passante | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | ALD110804 | MOSFET (ossido di metallo) | 500 mW | 16-PDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1014-1022 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 canali N, coppia abbinata | 10,6 V | 12 mA, 3 mA | 500 Ohm a 4,4 V | 420mV a 1μA | - | 2,5 pF a 5 V | - | |||||
| ALD810020SCL | 4.7958 | | 2200 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | SAB™ | Tubo | Attivo | 10,6 V | Bilanciamento automatico dei supercondensatori | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ALD810020 | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1014-1273-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80 mA | 4 canali N | ||||||||||||
| ALD212908SAL | 5.6228 | | 5921 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | EPAD®, Soglia Zero™ | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ALD212908 | MOSFET (ossido di metallo) | 500 mW | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). | 10,6 V | 80 mA | - | 20mV a 10μA | - | - | Porta a livello logico | ||||||
| ALD310708SCL | 6.9700 | | 72 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | EPAD®, Soglia Zero™ | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ALD310708 | MOSFET (ossido di metallo) | 500 mW | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1014-1299 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 canali P, coppia abbinata | 8 V | - | - | 780mV a 1μA | - | 2,5 pF a 5 V | - | |||||
| ALD810017SCL | 4.7958 | | 5863 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | SAB™ | Tubo | Attivo | 10,6 V | Bilanciamento automatico dei supercondensatori | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ALD810017 | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1014-1270-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80 mA | 4 canali N | ||||||||||||
 | ALD212900APAL | 7.9200 | | 1494 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | EPAD®, Soglia Zero™ | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | ALD212900 | MOSFET (ossido di metallo) | 500 mW | 8-PDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1014-1215 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). | 10,6 V | 80 mA | 14Ohm | 10mV a 20μA | - | 30 pF a 5 V | Porta a livello logico | |||||
| ALD212908PAL | 5.6826 | | 7632 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | EPAD®, Soglia Zero™ | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | ALD212908 | MOSFET (ossido di metallo) | 500 mW | 8-PDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). | 10,6 V | 80 mA | - | 20mV a 10μA | - | - | Porta a livello logico | ||||||
| ALD110908PAL | 5.7472 | | 9978 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | EPAD® | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | ALD110908 | MOSFET (ossido di metallo) | 500 mW | 8-PDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1014-1040 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). | 10,6 V | 12 mA, 3 mA | 500 Ohm a 4,8 V | 820mV a 1μA | - | 2,5 pF a 5 V | - | |||||
 | ALD111910SAL | - | | 9116 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | - | Tubo | Obsoleto | - | - | - | ALD111910 | MOSFET (ossido di metallo) | - | - | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1014-1221 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||
| ALD111910PAL | - | | 4901 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | - | Tubo | Obsoleto | - | - | - | ALD111910 | - | - | - | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1014-1220 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||
| ALD810019SCL | 4.7958 | | 3693 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | SAB™ | Tubo | Attivo | 10,6 V | Bilanciamento automatico dei supercondensatori | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ALD810019 | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1014-1272-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80 mA | 4 canali N | ||||||||||||
| ALD111933SAL | 5.1400 | | 250 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | EPAD® | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ALD111933 | MOSFET (ossido di metallo) | 500 mW | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). | 10,6 V | - | 500 Ohm a 5,9 V | 3,35 V a 1 µA | - | 2,5 pF a 5 V | - | ||||||
| ALD110908ASAL | 6.3400 | | 2357 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | EPAD® | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ALD110908 | MOSFET (ossido di metallo) | 500 mW | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1014-1039 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). | 10,6 V | 12 mA, 3 mA | 500 Ohm a 4,8 V | 810 mV a 1 µA | - | 2,5 pF a 5 V | - | |||||
| ALD110900SAL | 5.0300 | | 386 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | EPAD®, Soglia Zero™ | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ALD110900 | MOSFET (ossido di metallo) | 500 mW | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1014-1033 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). | 10,6 V | - | 500 Ohm a 4 V | 20mV a 1μA | - | 2,5 pF a 5 V | - | |||||
 | ALD1106SBL | 6.0100 | | 1 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | - | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Montaggio superficiale | 14-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ALD1106 | MOSFET (ossido di metallo) | 500 mW | 14-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1014-1013 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 canali N, coppia abbinata | 10,6 V | - | 500 Ohm a 5 V | 1 V a 1 µA | - | 3 pF a 5 V | - | |||||
| ALD212914SAL | 6.6728 | | 4033 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | EPAD®, Soglia Zero™ | Tubo | Attivo | - | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ALD212914 | MOSFET (ossido di metallo) | 500 mW | 8-SOIC | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). | 10,6 V | 80 mA | - | 20mV a 10μA | - | - | Porta a livello logico | ||||||
| ALD110900PAL | 6.4900 | | 53 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | EPAD®, Soglia Zero™ | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | ALD110900 | MOSFET (ossido di metallo) | 500 mW | 8-PDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1014-1032 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). | 10,6 V | - | 500 Ohm a 4 V | 20mV a 1μA | - | 2,5 pF a 5 V | - | |||||
| ALD1102BSAL | 6.6082 | | 7427 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | - | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ALD1102 | MOSFET (ossido di metallo) | 500 mW | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1014-1256 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Coppia abbinata di 2 canali P (doppi). | 10,6 V | - | - | - | - | - | - | |||||
| ALD1117SAL | 4.2600 | | 574 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | - | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ALD1117 | MOSFET (ossido di metallo) | 500 mW | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1014-1049 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | Coppia abbinata di 2 canali P (doppi). | 10,6 V | - | 1800 Ohm a 5 V | 1 V a 1 µA | - | 3 pF a 5 V | - | |||||
 | ALD1106PBL | 6.6500 | | 634 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | - | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Foro passante | 14 DIP (0,300", 7,62 mm) | ALD1106 | MOSFET (ossido di metallo) | 500 mW | 14-PDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1014-1012 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 canali N, coppia abbinata | 10,6 V | - | 500 Ohm a 5 V | 1 V a 1 µA | - | 3 pF a 5 V | - | |||||
| ALD210814PCL | 6.3498 | | 4240 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | EPAD®, Soglia Zero™ | Tubo | Attivo | - | Foro passante | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | ALD210814 | MOSFET (ossido di metallo) | - | 16-PDIP | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 4 canali N, coppia abbinata | 10,6 V | 80 mA | - | 20mV a 10μA | - | - | Porta a livello logico | ||||||
| ALD210804PCL | 6.3498 | | 7102 | 0.00000000 | Dispositivi lineari avanzati Inc. | EPAD®, Soglia Zero™ | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C (TJ) | Foro passante | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | ALD210804 | MOSFET (ossido di metallo) | 500 mW | 16-PDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 canali N, coppia abbinata | 10,6 V | 80 mA | - | 20mV a 10μA | - | - | Porta a livello logico |
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