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Transistor(181)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Voltaggio: nominale Temperatura operativa Applicazioni Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Corrente nominale (Amp) Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Tipo di transistor
ALD110904PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110904PAL 5.6464
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 ECAD 5212 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD® Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD110904 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 8-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1036 EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). 10,6 V 12 mA, 3 mA 500 Ohm a 4,4 V 420mV a 1μA - 2,5 pF a 5 V -
ALD1108EPCL Advanced Linear Devices Inc. ALD1108EPCL -
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 ECAD 2223 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD® Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Foro passante 16 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD1108 MOSFET (ossido di metallo) 600 mW 16-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 50 4 canali N, coppia abbinata 10 V - 500 Ohm a 5 V 1,01 V a 1 µA - 25 pF a 5 V -
ALD310704PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310704PCL 8.6100
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 ECAD 7235 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD®, Soglia Zero™ Tubo Attivo 0°C ~ 70°C Foro passante 16 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD310704 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 16-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1293 EAR99 8541.21.0095 50 4 canali P, coppia abbinata 8 V - - 380mV a 1μA - 2,5 pF a 5 V -
ALD1101APAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1101APAL 9.8096
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 ECAD 3107 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. - Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD1101 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 8-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1000 EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). 10,6 V - 75 Ohm a 5 V 1 V a 10 µA - 10 pF a 5 V -
ALD310702PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310702PCL 7.1248
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 ECAD 4744 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD®, Soglia Zero™ Tubo Attivo 0°C ~ 70°C Foro passante 16 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD310702 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 16-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1289 EAR99 8541.21.0095 50 4 canali P, coppia abbinata 8 V - - 180mV a 1μA - 2,5 pF a 5 V -
ALD910028SALI Advanced Linear Devices Inc. ALD910028SALI 5.3812
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 ECAD 4378 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. SAB™ Tubo Attivo 10,6 V Bilanciamento automatico dei supercondensatori Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD910028 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 50 80 mA 2 canali N (doppio)
ALD1102SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1102SAL 6.9000
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 ECAD 54 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. - Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD1102 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1007 EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata di 2 canali P (doppi). 10,6 V - 270 Ohm a 5 V 1,2 V a 10 µA - 10 pF a 5 V -
ALD210808PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210808PCL 5.8764
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 ECAD 1991 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD®, Soglia Zero™ Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Foro passante 16 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD210808 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 16-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 50 4 canali N, coppia abbinata 10,6 V 80 mA - 20mV a 10μA - - Porta a livello logico
ALD1102ASAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1102ASAL 9.4700
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 ECAD 4188 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. - Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD1102 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1005 EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata di 2 canali P (doppi). 10,6 V - 270 Ohm a 5 V 1,2 V a 10 µA - - -
ALD212904SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212904SAL 5.6228
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 ECAD 1634 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD®, Soglia Zero™ Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD212904 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). 10,6 V 80 mA - 20mV a 10μA - - Porta a livello logico
ALD910026SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD910026SAL 5.5900
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 ECAD 111 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. SAB™ Tubo Attivo 10,6 V Bilanciamento automatico dei supercondensatori Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD910026 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 50 80 mA 2 canali N (doppio)
ALD114935PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD114935PAL 6.0054
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 ECAD 3158 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD® Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD114935 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 8-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1067 EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). 10,6 V 12 mA, 3 mA 540 Ohm a 0 V 3,45 V a 1 µA - 2,5 pF a 5 V Modalità di esaurimento
ALD114804ASCL Advanced Linear Devices Inc. ALD114804ASCL 6.8020
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 ECAD 3282 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD® Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Montaggio superficiale 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD114804 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 16-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1054 EAR99 8541.21.0095 50 4 canali N, coppia abbinata 10,6 V 12 mA, 3 mA 500 Ohm a 3,6 V 380mV a 1μA - 2,5 pF a 5 V Modalità di esaurimento
ALD910024SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD910024SAL 5.0800
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 ECAD 100 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. SAB™ Tubo Attivo 10,6 V Bilanciamento automatico dei supercondensatori Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD910024 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1264-5 EAR99 8541.21.0095 50 80 mA 2 canali N (doppio)
ALD810027SCLI Advanced Linear Devices Inc. ALD810027SCLI 5.8548
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 ECAD 2419 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. SAB™ Tubo Attivo 10,6 V Bilanciamento automatico dei supercondensatori Montaggio superficiale 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD810027 16-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 50 80 mA 4 canali N
ALD1115MAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1115MAL -
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 ECAD 4197 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. - Tubo Obsoleto 0°C ~ 70°C (TJ) Montaggio superficiale 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", larghezza 3,00 mm) ALD1115 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 8-MSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 50 Canali N e P complementari 10,6 V - 1800 Ohm a 5 V 1 V a 1 µA - 3 pF a 5 V -
ALD1101BPAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1101BPAL 8.8038
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 ECAD 6794 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. - Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD1101 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 8-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). 10,6 V - 75 Ohm a 5 V 1 V a 10 µA - - -
ALD1116PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1116PAL 5.6500
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 ECAD 102 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. - Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD1116 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 8-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1046 EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). 10,6 V - 500 Ohm a 5 V 1 V a 1 µA - 3 pF a 5 V -
ALD310700ASCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310700ASCL 7.4692
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 ECAD 7722 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD®, Soglia Zero™ Tubo Attivo 0°C ~ 70°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD310700 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 16-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1286 EAR99 8541.21.0095 50 4 canali P, coppia abbinata 8 V - - 20mV a 1μA - 2,5 pF a 5 V -
ALD1105PBL Advanced Linear Devices Inc. ALD1105PBL 6.6500
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 ECAD 76 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. - Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Foro passante 14 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD1105 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 14-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1010 EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata di canali 2 N e 2 P 10,6 V - 500 Ohm a 5 V 1 V a 1 µA - 3 pF a 5 V -
ALD910022SALI Advanced Linear Devices Inc. ALD910022SALI 5.3628
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 ECAD 8363 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. SAB™ Tubo Attivo 10,6 V Bilanciamento automatico dei supercondensatori Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD910022 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 50 80 mA 2 canali N (doppio)
ALD1101PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1101PAL 8.2700
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 ECAD 100 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. - Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD1101 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 8-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1002 EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). 10,6 V - 75 Ohm a 5 V 1 V a 10 µA - - -
ALD110908APAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110908APAL 7.8996
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 ECAD 4117 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD® Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD110908 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 8-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1038 EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). 10,6 V 12 mA, 3 mA 500 Ohm a 4,8 V 810 mV a 1 µA - 2,5 pF a 5 V -
ALD1108ESCL Advanced Linear Devices Inc. ALD1108ESCL 5.2920
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 ECAD 7993 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD® Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Montaggio superficiale 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD1108 MOSFET (ossido di metallo) 600 mW 16-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 50 4 canali N, coppia abbinata 10 V - 500 Ohm a 5 V 1,01 V a 1 µA - 25 pF a 5 V -
ALD210800SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210800SCL 7.2700
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 ECAD 48 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD®, Soglia Zero™ Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Montaggio superficiale 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD210800 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 16-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1210 EAR99 8541.21.0095 50 4 canali N, coppia abbinata 10,6 V 80 mA 25Ohm 20mV a 10μA - 15 pF a 5 V Porta a livello logico
ALD310708APCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310708APCL 10.1814
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 ECAD 2890 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD®, Soglia Zero™ Tubo Attivo 0°C ~ 70°C Foro passante 16 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD310708 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 16-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1296 EAR99 8541.21.0095 50 4 canali P, coppia abbinata 8 V - - 780mV a 1μA - 2,5 pF a 5 V -
ALD110800APCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110800APCL 9.6400
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 ECAD 38 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD®, Soglia Zero™ Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Foro passante 16 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD110800 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 16-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1016 EAR99 8541.21.0095 50 4 canali N, coppia abbinata 10,6 V - 500 Ohm a 4 V 10mV a 1μA - 2,5 pF a 5 V -
ALD110902PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110902PAL 5.6464
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 ECAD 9379 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD® Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD110902 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 8-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1034 EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). 10,6 V - 500 Ohm a 4,2 V 220mV a 1μA - 2,5 pF a 5 V -
ALD910026SALI Advanced Linear Devices Inc. ALD910026SALI 5.3812
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 ECAD 1253 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. SAB™ Tubo Attivo 10,6 V Bilanciamento automatico dei supercondensatori Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD910026 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 50 80 mA 2 canali N (doppio)
ALD210800APCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210800APCL 9.7600
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 ECAD 56 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD®, Soglia Zero™ Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Foro passante 16 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD210800 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 16-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1216 EAR99 8541.21.0095 50 4 canali N, coppia abbinata 10,6 V 80 mA 25Ohm 10mV a 10μA - 15 pF a 5 V Porta a livello logico
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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