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Transistor(2)

Immagine	Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	ECAD	Quantità disponibile	Peso(Kg)	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)
	XR46000ESE	-	Richiesta di offerta		9006	0.00000000	MaxLinear, Inc.	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA		MOSFET (ossido di metallo)	SOT-223-3	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN	600 V	1,5 A(Tc)	10 V	8 Ohm a 750 mA, 10 V	4 V a 250 µA	7,5 nC a 10 V	±30 V	170 pF a 25 V	-	20 W (Tc)
	XR46000ESETR	-	Richiesta di offerta		3215	0.00000000	MaxLinear, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	XR46000	MOSFET (ossido di metallo)	SOT-223-3	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN	600 V	1,5 A(Tc)	10 V	8 Ohm a 750 mA, 10 V	4 V a 250 µA	7,5 nC a 10 V	±30 V	170 pF a 25 V	-	20 W (Tc)