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Transistor(4628)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
NX5008NBKHH	0,3800	Richiesta di offerta	8914	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-XFDFN	NX5008	MOSFET (ossido di metallo)		DFN0606-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10.000		CanaleN	50 V	350mA(Ta)		2,8 Ohm a 200 mA, 4,5 V	900 mV a 250 µA	0,7 nC a 4,5 V	±8 V	30 pF a 25 V	-	380 mW (Ta), 2,8 W (Tc)
PMDXB950UPELZ	0,4200	Richiesta di offerta	39	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-XFDFN Tampone esposto	PMDXB950	MOSFET (ossido di metallo)	380 mW	DFN1010B-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	5.000	2 canali P (doppio)		20 V	500mA		1,4 Ohm a 500 mA, 4,5 V	950 mV a 250 µA	2,1 nC a 4,5 V		43 pF a 10 V	-
PDTA114EU/ZLF	-	Richiesta di offerta	8889	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Obsoleto		Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	PDTA114		200 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO	0000.00.0000	1													50 V	100 mA	1μA	PNP - Pre-polarizzato	150 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 5 mA, 5 V	180 MHz	10 kOhm	10 kOhm
BCX56.115	0,4700	Richiesta di offerta	14	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	BCX56		1,25 W	SOT-89	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000													80 V	1A	100nA (ICBO)	NPN	500mV a 50mA, 500mA	63 a 150 mA, 2 V	180 MHz
BC856BS/DG/B4X	-	Richiesta di offerta	6429	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC856		300 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934069955115	EAR99	8541.21.0075	3.000													65 V	100mA	15nA (ICBO)	2 PNP (doppio)	300 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PMPB29XNEAX	0,1411	Richiesta di offerta	5030	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-	-	-	PMPB29	-		-	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		-		5A(Tj)	-	-	-		±8 V		-	-
PHPT61010PY,115	-	Richiesta di offerta	1381	Nexperia USA Inc.	*	Massa	Attivo								scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito				1
BUK9Y65-100E,115	0,8400	Richiesta di offerta	8549	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	BUK9Y65	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN	100 V	19A(Tc)	5 V	63,3 mOhm a 5 A, 10 V	2,1 V a 1 mA	14 nC a 5 V	±10 V	1523 pF a 25 V	-	64 W (Tc)
BUK9Y19-100E,115	1.4000	Richiesta di offerta	5355	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	BUK9Y19	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN	100 V	56A(Tc)	5 V	18 mOhm a 15 A, 10 V	2,1 V a 1 mA	39 nC a 5 V	±10 V	5085 pF a 25 V	-	167 W(Tc)
PMZ350UPEYL	0,4700	Richiesta di offerta	17	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	PMZ350	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-883	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10.000		Canale P	20 V	1A (Ta)	1,8 V, 4,5 V	450 mOhm a 300 mA, 4,5 V	950 mV a 250 µA	1,9 nC a 4,5 V	±8 V	127 pF a 10 V	-	360 mW (Ta), 3.125 W (Tc)
BUK7508-40B,127	-	Richiesta di offerta	5540	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	40 V	75A (Tc)	10 V	8 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	36 nC a 10 V	±20 V	2689 pF a 25 V	-	157 W(Tc)
MJD32CJ	0,4700	Richiesta di offerta	3	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	MJD32		1,6 W	DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500													100 V	3A	1μA	PNP	1,2 V a 375 mA, 3 A	25 a 1 A, 4 V	3 MHz
PBHV8560ZX	0,5900	Richiesta di offerta	6	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	PBHV8560		650 mW	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1.000													600 V	500mA	100 nA	NPN	100mV a 5mA, 50mA	70 a 50 mA, 10 V	-
BC856-QR	0,0163	Richiesta di offerta	1335	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC856		250 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													65 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	125 a 2 mA, 5 V	100 MHz
MMBT3904,215	0,1300	Richiesta di offerta	1	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT3904		250 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													40 V	200 mA	50nA (ICBO)	NPN	300 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 10 mA, 1 V	300 MHz
BUK4D110-20PX	0,1183	Richiesta di offerta	6	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	BUK4D	MOSFET (ossido di metallo)		DFN2020MD-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	20 V	3,4 A(Ta), 6,7 A(Tc)	2,5 V, 8 V	96 mOhm a 3,4 A, 8 V	1,3 V a 250 µA	5 nC a 4,5 V	±12V	365 pF a 10 V	-	2 W (Ta), 7,5 W (Tc)
BC807K-40VL	0,2600	Richiesta di offerta	9153	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC807		250 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	10.000													45 V	500mA	100nA (ICBO)	PNP	700mV a 50mA, 500mA	250 a 100 mA, 1 V	80 MHz
PDTD123YT/APGR	0,0300	Richiesta di offerta	39	Nexperia USA Inc.	*	Massa	Attivo								scaricamento						0000.00.0000	9.616
PSMN4R5-80YSFX	1.2994	Richiesta di offerta	1	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	PSMN4R5	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN	80 V	100A (Ta)	7 V, 10 V	4,5 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	90 nC a 10 V	±20 V	6009 pF a 40 V	-	238 W (Ta)
PMZ130UNEYL	0,4200	Richiesta di offerta	5	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	PMZ130	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-883	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10.000		CanaleN	20 V	1,8A(Ta)	1,5 V, 4,5 V	150 mOhm a 1,8 A, 4,5 V	950 mV a 250 µA	1,6 nC a 4,5 V	±8 V	93 pF a 10 V	-	350 mW (Ta), 6,25 W (Tc)
BCV46-QR	0,0906	Richiesta di offerta	7298	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	1727-BCV46-QRTR	EAR99	8541.21.0095	3.000													60 V	500mA	100 nA	PNP-Darlington	1 V a 100 µA, 100 mA	10000 a 100 mA, 5 V	-
BC817K-25R	0,2600	Richiesta di offerta	4026	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC817		250 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													45 V	500mA	100nA (ICBO)	NPN	700mV a 50mA, 500mA	160 a 100 mA, 1 V	100 MHz
BC55PA,115	0,4000	Richiesta di offerta	14	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 3-UDFN	BC55		420 mW	DFN2020D-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													60 V	1A	100nA (ICBO)	NPN	500mV a 50mA, 500mA	63 a 150 mA, 2 V	180 MHz
PSMN027-100BS,118	1.4400	Richiesta di offerta	868	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	PSMN027	MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN	100 V	37A(Tc)	10 V	26,8 mOhm a 15 A, 10 V	4 V a 1 mA	30 nC a 10 V	±20 V	1624 pF a 50 V	-	103 W(Tc)
PDTA143ZMB,315	0,0361	Richiesta di offerta	3421	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	3-XFDFN	PDTA143		250 mW	DFN1006B-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000													50 V	100 mA	1μA	PNP - Pre-polarizzato	100 mV a 250 µA, 5 mA	100 a 10 mA, 5 V	180 MHz	4,7 kOhm	47 kOhm
BF820W,115	0,3700	Richiesta di offerta	3	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BF820		200 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000													300 V	50 mA	10nA (ICBO)	NPN	600 mV a 5 mA, 30 mA	50 a 25 mA, 20 V	60 MHz
PBSS5350X,147	0,4700	Richiesta di offerta	941	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	PBSS5350		1,6 W	SOT-89	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000													50 V	3A	100nA (ICBO)	PNP	390 mV a 300 mA, 3 A	200 a 1 A, 2 V	100 MHz
BUK763R1-60E,118	3.1300	Richiesta di offerta	2	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	BUK763	MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN	60 V	120A (Tc)	10 V	3,1 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	114 nC a 10 V	±20 V	8920 pF a 25 V	-	293 W(Tc)
BUK7M27-80EX	0,8800	Richiesta di offerta	12	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 derivazioni)	BUK7M27	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK33	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN	80 V	30A (Tc)	10 V	27 mOhm a 5 A, 10 V	4 V a 1 mA	19,5 nC a 10 V	±20 V	1306 pF a 25 V	-	62 W (Tc)
BC807-25.235	0,1800	Richiesta di offerta	177	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC807		250 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	10.000													45 V	500mA	100nA (ICBO)	PNP	700mV a 50mA, 500mA	160 a 100 mA, 1 V	80 MHz