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Transistor(4628)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Resistore - Base (R1) | Resistore - Base emettitore (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PDTD143XTR | 0,3300 |  | 747 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTD143 | 320 mW | TO-236AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 500 mA | 500nA | NPN - Prepolarizzato | 100 mV a 2,5 mA, 50 mA | 70 a 50 mA, 5 V | 225 MHz | 4,7 kOhm | 10 kOhm | ||||||||||||||||
 | PSMN2R0-100SSFJ | 7.1300 | | 1464 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-1235 | PSMN2R0 | MOSFET (ossido di metallo) | LFPAK88 (SOT1235) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | CanaleN | 100 V | 267A (Ta) | 7 V, 10 V | 2,07 mOhm a 25 A, 10 V | 4 V a 1 mA | 242 nC a 10 V | ±20 V | 16140 pF a 50 V | - | 341 W (Ta) | |||||||||||||
 | PIMC31-QX | 0,1221 | | 4109 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SC-74, SOT-457 | PIMC31 | 290 mW | 6-TSOP | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1727-PIMC31-QXTR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 500mA | 500nA | 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) | 300 mV a 2,5 mA, 50 mA | 70 a 50 mA, 5 V | - | 1kOhm | 10kOhm | ||||||||||||||||
 | BUK6Y19-30PX | 0,9400 | | 18 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-100, SOT-669 | BUK6Y19 | MOSFET (ossido di metallo) | LFPAK56, Potenza-SO8 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | Canale P | 30 V | 45A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 19 mOhm a 9,5 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 35 nC a 10 V | ±20 V | 1260 pF a 15 V | - | 66 W (Ta) | |||||||||||||
 | PSMN3R3-40MLHX | 1.6800 | | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 derivazioni) | PSMN3R3 | MOSFET (ossido di metallo) | LFPAK33 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | CanaleN | 40 V | 118A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 3,3 mOhm a 25 A, 10 V | 2,15 V a 1 mA | 54 nC a 10 V | ±20 V | 3794 pF a 20 V | - | 101 W (Ta) | |||||||||||||
| BC54-10PA-QX | 0,0923 | | 5011 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-PowerUDFN | 420 mW | 3-HUSON (2x2) | - | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 1A | 100nA (ICBO) | NPN | 500mV a 50mA, 500mA | 63 a 150 mA, 2 V | 180 MHz | ||||||||||||||||||||
 | PXN018-30QLJ | 0,4700 | | 292 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | MOSFET (ossido di metallo) | MLPAK33 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 7,5 A(Ta), 19,2 A(Tc) | 4,5 V, 10 V | 18 mOhm a 7,5 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 10,8 nC a 10 V | ±20 V | 447 pF a 15 V | - | 1,7 W (Ta), 10,9 W (Tc) | ||||||||||||||
 | PDTC123EM,315 | 0,2100 | | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SC-101, SOT-883 | PDTC123 | 250 mW | SOT-883 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 V | 100 mA | 1μA | NPN - Prepolarizzato | 150 mV a 500 µA, 10 mA | 30 a 20 mA, 5 V | 2,2 kOhm | 2,2 kOhm | |||||||||||||||||
 | GAN063-650WSAQ | 21.9100 | | 473 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | GAN063 | GaNFET (FET al nitruro di gallio Cascode) | TO-247-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 650 V | 34,5A(Ta) | 10 V | 60 mOhm a 25 A, 10 V | 4,5 V a 1 mA | 15 nC a 10 V | ±20 V | 1000 pF a 400 V | - | 143 W (Ta) | |||||||||||||
| BUK9M120-100EX | 0,7500 | | 4924 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 derivazioni) | BUK9M120 | MOSFET (ossido di metallo) | LFPAK33 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | CanaleN | 100 V | 11,5 A(Tc) | 5 V | 119 mOhm a 5 A, 10 V | 2,05 V a 1 mA | 8,8 nC a 5 V | ±10 V | 882 pF a 25 V | - | 44 W (Tc) | |||||||||||||
 | PSMN5R5-100YSFX | 2.8000 | | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-100, SOT-669 | PSMN5 | MOSFET (ossido di metallo) | LFPAK56, Potenza-SO8 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | CanaleN | 100 V | 115A (Ta) | 7 V, 10 V | 5,5 mOhm a 25 A, 10 V | 4 V a 1 mA | 95 nC a 10 V | ±20 V | 6238 pF a 50 V | - | 238 W (Ta) | |||||||||||||
 | PDTC124XQB-QZ | 0,2900 | | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale, fianco bagnabile | 3-XDFN Tampone esposto | PDTC124 | 340 mW | DFN1110D-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 50 V | 100 mA | 100 nA | NPN - Prepolarizzato | 100 mV a 500 µA, 10 mA | 80 a 5 mA, 5 V | 230 MHz | 22 kOhm | 47 kOhm | ||||||||||||||||
 | BC856BW/DG/B4X | - | | 2220 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | BC856 | SOT-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 934069125115 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 15nA (ICBO) | PNP | 600mV a 5mA, 100mA | 220 a 2 mA, 5 V | 100 MHz | |||||||||||||||||||
| BC857BW/ZLF | - | | 3673 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | BC857 | SOT-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||
| PDTC143ZU/ZLX | - | | 4933 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Massa | Obsoleto | PDTC143 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BC817DPN | 1.0000 | | 1773 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Massa | Attivo | BC817 | scaricamento | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK965R8-100E,118 | 3.7800 | | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | BUK965 | MOSFET (ossido di metallo) | D2PAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 100 V | 120A (Tc) | 5 V | 5,8 mOhm a 25 A, 5 V | 2,1 V a 1 mA | 133 nC a 5 V | ±10 V | 17460 pF a 25 V | - | 357 W(Tc) | |||||||||||||
| PSMN022-30BL,118 | 0,9800 | | 9854 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | PSMN022 | MOSFET (ossido di metallo) | D2PAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 30 V | 30A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 22,6 mOhm a 5 A, 10 V | 2,15 V a 1 mA | 9 nC a 10 V | ±20 V | 447 pF a 15 V | - | 41 W (Tc) | |||||||||||||
 | BC857BQAZ | 0,0478 | | 5695 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-XDFN Tampone esposto | BC857 | 280 mW | DFN1010D-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 45 V | 100 mA | 15nA (ICBO) | PNP | 400 mV a 5 mA, 100 mA | 220 a 2 mA, 5 V | 100 MHz | |||||||||||||||||
 | PHC2300,118 | - | | 7193 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | PHC2300 | MOSFET (ossido di metallo) | 1,6 W | 8-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canali N e P | 300 V | 340 mA, 235 mA | 6 Ohm a 170 mA, 10 V | 2 V a 1 mA | 6,24 nC a 10 V | 102 pF a 50 V | Porta a livello logico | |||||||||||||||
| PDTC114EU,135 | 0,1900 | | 32 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | PDTC114 | 200 mW | SOT-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 V | 100 mA | 1μA | NPN - Prepolarizzato | 150 mV a 500 µA, 10 mA | 30 a 5 mA, 5 V | 10 kOhm | 10 kOhm | |||||||||||||||||
| BUK964R8-60E,118 | 1.6615 | | 4889 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Nastro e bobina (TR) | Acquisto per l'ultima volta | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | BUK964 | MOSFET (ossido di metallo) | D2PAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 60 V | 100A (Tc) | 5 V | 4,4 mOhm a 25 A, 10 V | 2,1 V a 1 mA | 65 nC a 5 V | ±10 V | 9710 pF a 25 V | - | 234 W(Tc) | |||||||||||||
 | 2PB1424,115 | 0,3800 | | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-243AA | 2PB1424 | 2 W | SOT-89 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 20 V | 3A | 100nA (ICBO) | PNP | 500 mV a 100 mA, 2 A | 180 a 100 mA, 2 V | 125 MHz | |||||||||||||||||
 | BC856S,125 | 0,0497 | | 9744 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC856 | 300 mW | 6-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100mA | 15nA (ICBO) | 2 PNP (doppio) | 100 mV a 500 µA, 10 mA | 110 a 2 mA, 5 V | 100 MHz | |||||||||||||||||
 | BUK7105-40AIE,118 | - | | 8293 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-5, D²Pak (4 conduttori + lingua), TO-263BB | MOSFET (ossido di metallo) | D2PAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 40 V | 75A (Tc) | 10 V | 5 mOhm a 50 A, 10 V | 4 V a 1 mA | 127 nC a 10 V | ±20 V | 5000 pF a 25 V | Rilevamento corrente | 272 W(Tc) | ||||||||||||||
 | PMCB60XNZ | 0,5200 | | 13 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-XFDFN | MOSFET (ossido di metallo) | DSN1006-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 10.000 | CanaleN | 30 V | 4A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 50 mOhm a 4 A, 4,5 V | 1,1 V a 250 µA | 2,7 nC a 4,5 V | ±12V | 241 pF a 15 V | - | 480 mW (Ta), 7 W (Tc) | ||||||||||||||
| BUK762R0-40C,118 | - | | 2232 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | MOSFET (ossido di metallo) | D2PAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 40 V | 100A (Tc) | 10 V | 2 mOhm a 25 A, 10 V | 4 V a 1 mA | 175 nC a 10 V | ±20 V | 11323 pF a 25 V | - | 333 W(Tc) | ||||||||||||||
| PBSS5360XX | 0,4700 | | 8384 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TA) | Montaggio superficiale | TO-243AA | PBSS5360 | 1,35 W | SOT-89 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 V | 3A | 100 nA | PNP | 550mV a 3A, 300mA | 80 a 3 A, 5 V | 65 MHz | |||||||||||||||||
| 2N7002BKS/ZLX | - | | 9243 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 2N7002 | MOSFET (ossido di metallo) | 1,04 W | 6-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 934070248115 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canali N (doppio) | 60 V | 300mA (Ta) | 1,6 Ohm a 500 mA, 10 V | 2,1 V a 250 µA | 0,6 nC a 4,5 V | 50 pF a 10 V | Porta a livello logico | ||||||||||||||
| BC847AW-QF | 0,0252 | | 7396 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | 200 mW | SOT-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1727-BC847AW-QFTR | EAR99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 45 V | 100 mA | 15nA (ICBO) | NPN | 400 mV a 5 mA, 100 mA | 110 a 2 mA, 5 V | 100 MHz |
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