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Transistor(4628)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
PMV50ENEAR	0,3900	Richiesta di offerta	1	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMV50	MOSFET (ossido di metallo)		TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN	30 V	3,9A(Ta)	4,5 V, 10 V	43 mOhm a 3,9 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	10 nC a 10 V	±20 V	276 pF a 15 V	-	510 mW (Ta), 3,9 W (Tc)
PBSS4160TVL	0,0820	Richiesta di offerta	3203	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PBSS4160		400 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000												60 V	1A	100 nA	NPN	250 mV a 100 mA, 1 A	250 a 1 mA, 5 V	220 MHz
BUK7J1R4-40HX	3.2100	Richiesta di offerta	1	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1023, 4-LFPAK	BUK7J1	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56; Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500	CanaleN	40 V	120A (Ta)	10 V	1,4 mOhm a 25 A, 10 V	3,6 V a 1 mA	126 nC a 10 V	+20 V, -10 V	8155 pF a 25 V	-	395 W (Ta)
PMPB215ENEA/F,115	-	Richiesta di offerta	8098	Nexperia USA Inc.	*	Massa	Attivo				PMPB215	-			scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1.692										-
PBSS5350D,115	0,4600	Richiesta di offerta	7262	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	PBSS5350		750 mW	6-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000												50 V	3A	100nA (ICBO)	PNP	300 mV a 200 mA, 2 A	100 a 2 A, 2 V	100 MHz
PSMN3R0-30YLDX	1.0500	Richiesta di offerta	34	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	PSMN3R0	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500	CanaleN	30 V	100A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,1 mOhm a 25 A, 10 V	2,2 V a 1 mA	46,4 nC a 10 V	±20 V	2939 pF a 15 V	-	91 W (Tc)
PDTA123JTVL	0,1700	Richiesta di offerta	5198	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PDTA123		250 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	10.000												50 V	100 mA	100nA (ICBO)	PNP - Pre-polarizzato	100 mV a 250 µA, 5 mA	100 a 10 mA, 5 V		2,2 kOhm	47 kOhm
2PA1576S,115	0,2100	Richiesta di offerta	158	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	2PA1576		200 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000												50 V	150 mA	100nA (ICBO)	PNP	500mV a 5mA, 50mA	270 a 1 mA, 6 V	100 MHz
PMZB600UNELYL	0,3700	Richiesta di offerta	349	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-XFDFN	PMZB600	MOSFET (ossido di metallo)		DFN1006B-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	10.000	CanaleN	20 V	600mA (Ta)	1,2 V, 4,5 V	620 mOhm a 600 mA, 4,5 V	950 mV a 250 µA	0,7 nC a 4,5 V	±8 V	21,3 pF a 10 V	-	360 mW(Ta)
PMV240SPR	0,4400	Richiesta di offerta	3	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMV240	MOSFET (ossido di metallo)		TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	Canale P	100 V	1,2A(Ta)		365 mOhm a 1,2 A, 10 V	4 V a 250 µA	15 nC a 10 V	±25 V	549 pF a 50 V	-	710 mW (Ta), 8,3 W (Tc)
PBSS5240T,215	0,4500	Richiesta di offerta	17	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PBSS5240		480 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000												40 V	2A	100nA (ICBO)	PNP	350 mV a 200 mA, 2 A	210 @ 1A, 2V	200 MHz
2PC4617RMB,315	0,3700	Richiesta di offerta	10	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-XFDFN	2PC4617		250 mW	DFN1006B-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000												50 V	100 mA	100nA (ICBO)	NPN	200 mV a 5 mA, 50 mA	180 a 1 mA, 6 V	100 MHz
BUK7210-55B,118	-	Richiesta di offerta	6537	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 185°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN	55 V	75A (Tc)	10 V	10 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	35 nC a 10 V	±20 V	2453 pF a 25 V	-	167 W(Tc)
PUMD16.115	0,2900	Richiesta di offerta	52	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PUMD16		300 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000												50 V	100mA	1μA	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	150 mV a 500 µA, 10 mA	80 a 5 mA, 5 V	-	22kOhm	47kOhm
PDTC143ZU/ZLX	-	Richiesta di offerta	4933	Nexperia USA Inc.	*	Massa	Obsoleto				PDTC143				-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO	0000.00.0000	1
2PD601ASW,115	0,0393	Richiesta di offerta	9146	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	2PD601		200 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000												50 V	100 mA	10nA (ICBO)	NPN	250mV a 10mA, 100mA	290 a 2 mA, 10 V	100 MHz
BC817DPN	1.0000	Richiesta di offerta	1773	Nexperia USA Inc.	*	Massa	Attivo				BC817				scaricamento					EAR99	8541.21.0095	1
PQMD12Z	0,0562	Richiesta di offerta	3563	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-XFDFN Tampone esposto	PQMD12		350 mW	DFN1010B-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	5.000												50 V	100mA	100nA (ICBO)	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	150 mV a 500 µA, 10 mA	80 a 5 mA, 5 V	230 MHz, 180 MHz	47kOhm	47kOhm
GAN063-650WSAQ	21.9100	Richiesta di offerta	473	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	GAN063	GaNFET (FET al nitruro di gallio Cascode)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN	650 V	34,5A(Ta)	10 V	60 mOhm a 25 A, 10 V	4,5 V a 1 mA	15 nC a 10 V	±20 V	1000 pF a 400 V	-	143 W (Ta)
BUK9M120-100EX	0,7500	Richiesta di offerta	4924	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 derivazioni)	BUK9M120	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK33	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500	CanaleN	100 V	11,5 A(Tc)	5 V	119 mOhm a 5 A, 10 V	2,05 V a 1 mA	8,8 nC a 5 V	±10 V	882 pF a 25 V	-	44 W (Tc)
BC857BQAZ	0,0478	Richiesta di offerta	5695	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-XDFN Tampone esposto	BC857		280 mW	DFN1010D-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	5.000												45 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	400 mV a 5 mA, 100 mA	220 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PDTC124XQB-QZ	0,2900	Richiesta di offerta	5	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale, fianco bagnabile	3-XDFN Tampone esposto	PDTC124		340 mW	DFN1110D-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	5.000												50 V	100 mA	100 nA	NPN - Prepolarizzato	100 mV a 500 µA, 10 mA	80 a 5 mA, 5 V	230 MHz	22 kOhm	47 kOhm
PSMN5R5-100YSFX	2.8000	Richiesta di offerta	1	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	PSMN5	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500	CanaleN	100 V	115A (Ta)	7 V, 10 V	5,5 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	95 nC a 10 V	±20 V	6238 pF a 50 V	-	238 W (Ta)
PHM4130DLX	-	Richiesta di offerta	5406	Nexperia USA Inc.	-	Massa	Obsoleto								-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	1727-PHM4130DLX	OBSOLETO		1
BC856BW/DG/B4X	-	Richiesta di offerta	2220	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC856			SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934069125115	EAR99	8541.21.0095	3.000														15nA (ICBO)	PNP	600mV a 5mA, 100mA	220 a 2 mA, 5 V	100 MHz
BCP68F	0,4000	Richiesta di offerta	7	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BCP68		650 mW	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	4.000												20 V	2A	100nA (ICBO)	NPN	600 mV a 200 mA, 2 A	85 a 500 mA, 1 V	170 MHz
BUK965R8-100E,118	3.7800	Richiesta di offerta	1	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	BUK965	MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800	CanaleN	100 V	120A (Tc)	5 V	5,8 mOhm a 25 A, 5 V	2,1 V a 1 mA	133 nC a 5 V	±10 V	17460 pF a 25 V	-	357 W(Tc)
BC857BW/ZLF	-	Richiesta di offerta	3673	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC857			SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000
PBSS4350Z,135	0,4300	Richiesta di offerta	34	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	PBSS4350		2 W	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	4.000												50 V	3A	100nA (ICBO)	NPN	290 mV a 200 mA, 2 A	100 a 2 A, 2 V	100 MHz
PSMN022-30BL,118	0,9800	Richiesta di offerta	9854	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	PSMN022	MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800	CanaleN	30 V	30A (Tc)	4,5 V, 10 V	22,6 mOhm a 5 A, 10 V	2,15 V a 1 mA	9 nC a 10 V	±20 V	447 pF a 15 V	-	41 W (Tc)