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Transistor(4628)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
PSMN2R6-40YS,115	1.8700	Richiesta di offerta	134	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	PSMN2R6	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN	40 V	100A (Tc)	10 V	2,8 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	63 nC a 10 V	±20 V	3776 pF a 12 V	-	131 W(Tc)
BC859C,235	0,2200	Richiesta di offerta	9	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC859		250 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000													30 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	420 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PUMB2/DG/B3,115	-	Richiesta di offerta	6023	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PUMB2		300 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934066957115	EAR99	8541.21.0075	3.000													50 V	100mA	1μA	2 PNP - Prepolarizzato (doppio)	150 mV a 500 µA, 10 mA	80 a 5 mA, 5 V	180 MHz	47kOhm	47kOhm
PZTA42-QX	0,1728	Richiesta di offerta	8614	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	PZTA42		1,2 W	SOT-223	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	1727-PZTA42-QXTR	EAR99	8541.29.0075	1.000													300 V	100 mA	20nA (ICBO)	NPN	500 mV a 2 mA, 20 mA	40 a 30 mA, 10 V	50 MHz
BUK7Y7R2-60EX	0,6371	Richiesta di offerta	8273	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	BUK7Y7	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN	60 V	100A (Tc)	10 V	-	-		±20 V		-	167 W(Tc)
PUMD48/ZLX	-	Richiesta di offerta	6909	Nexperia USA Inc.	-	Massa	Obsoleto		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PUMD48		300 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO	0000.00.0000	1													50 V	100mA	1μA	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	150 mV a 500 µA, 10 mA	80 a 5 mA, 5 V / 100 a 10 mA, 5 V	230 MHz, 180 MHz	47kOhm, 2,2kOhm	47kOhm
NHUMD12X	0,3900	Richiesta di offerta	23	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	NHUMD12		350 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													80 V	100mA	100 nA	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	100 mV a 500 µA, 10 mA	100 a 10 mA, 5 V	170 MHz, 150 MHz	47kOhm	47kOhm
PDTD113EUX	0,0680	Richiesta di offerta	7085	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	PDTD113		300 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934068341115	EAR99	8541.21.0075	3.000													50 V	500 mA	500nA	NPN - Prepolarizzato	100 mV a 2,5 mA, 50 mA	33 a 50 mA, 5 V	225 MHz	1 kOhm	1 kOhm
PMBT3906M,315	0,2300	Richiesta di offerta	19	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	PMBT3906		590 mW	SOT-883	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000													40 V	200 mA	50nA (ICBO)	PNP	400 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 10 mA, 1 V	250 MHz
BUK9506-75B,127	-	Richiesta di offerta	6163	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	75 V	75A (Tc)	4,5 V, 10 V	5,5 mOhm a 25 A, 10 V	2 V a 1 mA	95 nC a 5 V	±15 V	11693 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
PMV28XPEAR	0,1121	Richiesta di offerta	3	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	20 V	5A (Ta)	2,5 V, 8 V	33 mOhm a 5 A, 8 V	1,3 V a 250 µA	16 nC a 4,5 V	±12V	1025 pF a 10 V	-	610 mW (Ta), 8,3 W (Tc)
BUK7905-40ATE,127	-	Richiesta di offerta	9496	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-5		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220-5	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	40 V	75A (Tc)	10 V	5 mOhm a 50 A, 10 V	4 V a 1 mA	118 nC a 10 V	±20 V	4500 pF a 25 V	Diodo di rilevamento della temperatura	272 W(Tc)
BUK9Y27-40B,115	0,8400	Richiesta di offerta	1	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	BUK9Y27	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN	40 V	34A (Tc)	5 V, 10 V	24 mOhm a 15 A, 10 V	2,3 V a 1 mA	11 nC a 5 V	±15 V	959 pF a 25 V	-	59,4 W(Tc)
PDTA123YT,215	0,1700	Richiesta di offerta	285	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PDTA123		250 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000													50 V	100 mA	1μA	PNP - Pre-polarizzato	150 mV a 500 µA, 10 mA	35 a 5 mA, 5 V		2,2 kOhm	10 kOhm
PDTC143ZQAZ	0,0501	Richiesta di offerta	2184	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	3-XDFN Tampone esposto	PDTC143		280 mW	DFN1010D-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934069141147	EAR99	8541.21.0075	5.000													50 V	100 mA	1μA	NPN - Prepolarizzato	100 mV a 250 µA, 5 mA	100 a 10 mA, 5 V	230 MHz	4,7 kOhm	47 kOhm
PSMN5R2-60YLX	1.5600	Richiesta di offerta	1	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	PSMN5R2	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN	60 V	100A (Tc)	5 V, 10 V	5,2 mOhm a 25 A, 10 V	2,1 V a 1 mA	39,4 nC a 5 V	±20 V	6319 pF a 25 V	-	195 W(Tc)
NX7002BKW/S500X	0,0200	Richiesta di offerta	48	Nexperia USA Inc.	-	Massa	Obsoleto								-				2156-NX7002BKW/S500X			15.000
BC846BM,315	0,2400	Richiesta di offerta	7	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-XFDFN	BC846		250 mW	DFN1006B-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000													65 V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	200 mV a 500 µA, 10 mA	200 a 2 mA, 5 V	100 MHz
BC846BW/DG/B4F	-	Richiesta di offerta	4166	Nexperia USA Inc.	BC846xL	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC846		250 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934069117135	EAR99	8541.21.0075	10.000													65 V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	400 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PSMN016-100PS,127	2.1600	Richiesta di offerta	5	Nexperia USA Inc.	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PSMN016	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	100 V	57A(Tj)	10 V	16 mOhm a 15 A, 10 V	4 V a 1 mA	49 nC a 10 V	±20 V	2404 pF a 50 V	-	148 W(Tc)
PUMB3.115	0,2200	Richiesta di offerta	2	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PUMB3		300 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000													50 V	100mA	1μA	2 PNP - Prepolarizzato (doppio)	100 mV a 250 µA, 5 mA	200 a 1 mA, 5 V	-	4,7 kOhm	-
PBLS4001Y,115	0,3900	Richiesta di offerta	2	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PBLS4001		300 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000													50 V, 40 V	100 mA, 500 mA	1μA	1 NPN prepolarizzato, 1 PNP	150 mV a 500 µA, 10 mA / 350 mV a 50 mA, 500 mA	30 a 20 mA, 5 V / 150 a 100 mA, 2 V	300 MHz	2,2 kOhm	2,2 kOhm
PMDPB30XNZ	0,5400	Richiesta di offerta	5	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UFDFN	PMDPB30	MOSFET (ossido di metallo)	490 mW (Ta), 8,33 W (Tc)	6-HUSON (2x2)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)		20 V	4A (Ta)		40 mOhm a 3 A, 4,5 V	900 mV a 250 µA	-		660 pF a 10 V	-
BUK7880-55/CUF	-	Richiesta di offerta	7824	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		CanaleN	55 V	3,5A(Ta)	10 V	80 mOhm a 5 A, 10 V	4 V a 1 mA		±16V	500 pF a 25 V	-	8,3 W (TC)
BUK9832-55A/CUX	0,9100	Richiesta di offerta	84	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BUK9832	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN	55 V	12A (Tc)	4,5 V, 10 V	29 mOhm a 8 A, 10 V	2 V a 1 mA		±10 V	1594 pF a 25 V	-	8 W (Tc)
PUMD10.125	0,2900	Richiesta di offerta	260	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PUMD10		200 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000													50 V	100mA	1μA	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	100 mV a 250 µA, 5 mA	100 a 10 mA, 5 V	-	2,2 kOhm	47kOhm
PBSS4250X,115	0,4200	Richiesta di offerta	14	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	PBSS4250		1 W	SOT-89	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000													50 V	2A	100 nA	NPN	320 mV a 200 mA, 2 A	300 a 1 A, 2 V	100 MHz
PMBT5551,215	0,3400	Richiesta di offerta	1	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMBT5551		250 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													160 V	300mA	50nA (ICBO)	NPN	200 mV a 5 mA, 50 mA	80 a 10 mA, 5 V	300 MHz
PBSS4540X,135	0,4300	Richiesta di offerta	301	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	PBSS4540		1,6 W	SOT-89	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	4.000													40 V	4A	100 nA	NPN	355 mV a 500 mA, 5 A	250 a 2A, 2V	70 MHz
PSMN059-150Y,115	1.1900	Richiesta di offerta	8933	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	PSMN059	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN	150 V	43A(Tc)	10 V	59 mOhm a 12 A, 10 V	4 V a 1 mA	27,9 nC a 10 V	±20 V	1529 pF a 30 V	-	113 W(Tc)