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Transistor(4628)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
2N7002,215	0,2900	Richiesta di offerta	1	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2N7002	MOSFET (ossido di metallo)		TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	CanaleN	60 V	300mA (Ta)	10 V	5 Ohm a 500 mA, 10 V	2,5 V a 250 µA		±30 V	50 pF a 10 V	-	830 mW (Ta)
PDTA144EQBZ	0,2700	Richiesta di offerta	5	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale, fianco bagnabile	3-XDFN Tampone esposto	PDTA144		340 mW	DFN1110D-3	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	5.000												50 V	100 mA	100 nA	PNP - Prepolarizzato	100 mV a 500 µA, 10 mA	80 a 5 mA, 5 V	180 MHz	47 kOhm	47 kOhm
PUMD13/1F	0,0200	Richiesta di offerta	100	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			200 mW	SOT-363	-				2156-PUMD13/1F			15.000												50 V	100mA	1μA	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato	100 mV a 250 µA, 5 mA	100 a 10 mA, 5 V	230 MHz, 180 MHz	4,7 kOhm	47kOhm
PMPB15XP	1.0000	Richiesta di offerta	2389	Nexperia USA Inc.	*	Massa	Attivo								-						0000.00.0000	1
PMPB08R6ENX	0,4200	Richiesta di offerta	5	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	PMPB08	MOSFET (ossido di metallo)		DFN2020MD-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN	30 V	11A (Ta)		10,5 mOhm a 11 A, 10 V	2 V a 250 µA	20,6 nC a 10 V	±20 V	840 pF a 15 V	-	1,9 W (Ta), 12,5 W (Tc)
PBSS304ND,115	0,4600	Richiesta di offerta	2	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	PBSS304		1,1 W	6-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	3.000												80 V	1A	100 nA	NPN	505 mV a 600 mA, 6 A	240 a 500 mA, 2 V	140 MHz
BC846BSHF	-	Richiesta di offerta	8903	Nexperia USA Inc.	-	Massa	Obsoleto	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC846		270 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1727-BC846BSHF	OBSOLETO		1												65 V	100mA	15nA (ICBO)	2 NPN (doppio)	300 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V	100 MHz
BUK7S0R7-40HJ	6.3200	Richiesta di offerta	2	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1235	BUK7S0	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK88 (SOT1235)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000	CanaleN	40 V	425A (Ta)	10 V	0,7 mOhm a 25 A, 10 V	3,6 V a 1 mA	202 nC a 10 V	+20 V, -10 V	15719 pF a 25 V	-	375 W (Ta)
BUK7Y6R0-60EX	1.6500	Richiesta di offerta	2501	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	BUK7Y6	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500	CanaleN	60 V	100A (Tc)	10 V	6 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	45,4 nC a 10 V	±20 V	4021 pF a 25 V	-	195 W(Tc)
PEMD15.115	0,1074	Richiesta di offerta	6956	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi		Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	PEMD15		300 mW	SOT-666	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	4.000												50 V	100mA	1μA	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	150 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 10 mA, 5 V	-	4,7 kOhm	4,7 kOhm
BUK9520-100B,127	-	Richiesta di offerta	6415	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	100 V	63A(Tc)	4,5 V, 10 V	18,5 mOhm a 25 A, 10 V	2 V a 1 mA	53,4 nC a 5 V	±15 V	5657 pF a 25 V	-	203 W(Tc)
BC816-25HR	0,2800	Richiesta di offerta	18	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101, BC816H	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC816		300 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000												80 V	500 mA	100nA (ICBO)	NPN	400mV a 50mA, 500mA	160 a 100 mA, 1 V	100 MHz
BSS138PW,115	0,2900	Richiesta di offerta	1	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TA)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BSS138	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	CanaleN	60 V	320mA (Ta)	10 V	1,6 Ohm a 300 mA, 10 V	1,5 V a 250 µA	0,8 nC a 4,5 V	±20 V	50 pF a 10 V	-	260 mW (Ta), 830 mW (Tc)
PXN6R2-25QLJ	0,6600	Richiesta di offerta	6222	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN		MOSFET (ossido di metallo)		MLPAK33	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN	25 V	13,1 A (Ta), 65 A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,2 mOhm a 13,1 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	25,5 nC a 10 V	±20 V	1200 pF a 12,5 V	-	1,7 W (Ta), 40,3 W (Tc)
BC53PAS-QX	0,0962	Richiesta di offerta	4933	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 3-UDFN			420 mW	DFN2020D-3	scaricamento	Conformità ROHS3			1727-BC53PAS-QXTR	EAR99	8541.21.0075	3.000												80 V	1A	100nA (ICBO)	PNP	500mV a 50mA, 500mA	63 a 150 mA, 2 V	145 MHz
BC857AQBAZ	-	Richiesta di offerta	8818	Nexperia USA Inc.	-	Nastro tagliato (CT)	Interrotto alla SIC	150°C (TJ)	Montaggio superficiale, fianco bagnabile	3-XDFN Tampone esposto	BC857		340 mW	DFN1110D-3	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	5.000												45 V	100 mA	15nA (ICBO)		400 mV a 5 mA, 100 mA	110 a 2 mA, 5 V
PUMD48/ZLH	-	Richiesta di offerta	2755	Nexperia USA Inc.	-	Massa	Obsoleto		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PUMD48		300 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO	0000.00.0000	1												50 V	100mA	1μA	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	150 mV a 500 µA, 10 mA	80 a 5 mA, 5 V / 100 a 10 mA, 5 V	230 MHz, 180 MHz	47kOhm, 2,2kOhm	47kOhm
2N7002NXAKR	0,2000	Richiesta di offerta	89	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2N7002	MOSFET (ossido di metallo)		TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN	60 V	190 mA (Ta), 300 mA (Tc)	5 V, 10 V	4,5 Ohm a 100 mA, 10 V	2,1 V a 250 µA	0,43 nC a 4,5 V	±20 V	20 pF a 10 V	-	265 mW (Ta), 1,33 W (Tc)
BC856W-QX	0,0322	Richiesta di offerta	8284	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC856		200 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	1727-BC856W-QXTR	EAR99	8541.21.0095	3.000												65 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	600mV a 5mA, 100mA	125 a 2 mA, 5 V	100 MHz
BUK6C3R3-75C,118	-	Richiesta di offerta	5798	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta)		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK-7	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800	CanaleN	75 V	181A(Tc)	10 V	3,4 mOhm a 90 A, 10 V	2,8 V a 1 mA	253 nC a 10 V	±16V	15.800 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
BC806-25WF	0,2100	Richiesta di offerta	276	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC806		500 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000												80 V	500 mA	100nA (ICBO)	PNP	500mV a 50mA, 500mA	63 a 150 mA, 2 V	155 MHz
PBSS5320X,135	0,4800	Richiesta di offerta	8	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	PBSS5320		1,6 W	SOT-89	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	4.000												20 V	3A	100 nA	PNP	300 mV a 300 mA, 3 A	150 a 2A, 2V	100 MHz
PSMN005-75P,127	1.7968	Richiesta di offerta	7176	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PSMN005	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	75 V	75A (Tc)	10 V	5 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	165 nC a 10 V	±20 V	8250 pF a 25 V	-	230 W(Tc)
PSMN015-100P,127	2.5700	Richiesta di offerta	8	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PSMN015	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	100 V	75A (Tc)	10 V	15 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	90 nC a 10 V	±20 V	4900 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
PMN27UPH	-	Richiesta di offerta	8713	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457		MOSFET (ossido di metallo)		6-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934064768125	EAR99	8541.29.0095	3.000	Canale P	20 V	5,7A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	32 mOhm a 2,4 A, 4,5 V	950 mV a 250 µA	31 nC a 4,5 V	±8 V	2340 pF a 10 V	-	540 mW (Ta), 6,25 W (Tc)
PBSS4240Y,115	0,4500	Richiesta di offerta	2	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PBSS4240		430 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000												40 V	2A	100nA (ICBO)	NPN	320 mV a 200 mA, 2 A	300 a 1 A, 2 V	230 MHz
2PD601ARL,215	0,1800	Richiesta di offerta	94	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2PD601		250 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000												50 V	100 mA	10nA (ICBO)	NPN	250mV a 10mA, 100mA	210 a 2 mA, 10 V	100 MHz
BC857BS-QF	0,0353	Richiesta di offerta	2961	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC857		200 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000												45 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	400 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V	100 MHz
BUK6D120-60PZ	0,1568	Richiesta di offerta	7048	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN		MOSFET (ossido di metallo)		DFN2020MD-6	-	Conformità ROHS3			1727-BUK6D120-60PZTR	EAR99	8541.29.0095	3.000	Canale P	60 V	3A (Ta), 8A (Tc)	4,5 V, 10 V	120 mOhm a 3 A, 10 V	3,2 V a 250 µA	18 nC a 10 V	±20 V	724 pF a 30 V	-	2,3 W (Ta), 15 W (Tc)
BUK9Y09-40B,115	1.3000	Richiesta di offerta	3	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	BUK9Y09	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500	CanaleN	40 V	75A (Tc)	5 V, 10 V	8 mOhm a 25 A, 10 V	2,15 V a 1 mA	30 nC a 5 V	±15 V	2866 pF a 25 V	-	105,3 W(Tc)