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Transistor(4628)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
PIMC31F	0,4000	Richiesta di offerta	10	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	PIMC31		420 mW	6-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	10.000													50 V	500mA	500nA	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 2,5 mA, 50 mA	70 a 50 mA, 5 V	-	1kOhm	10kOhm
PDTC114ET,215	0,1700	Richiesta di offerta	2	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PDTC114		250 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													50 V	100 mA	1μA	NPN - Prepolarizzato	150 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 5 mA, 5 V	230 MHz	10 kOhm	10 kOhm
PBSS5240ZX	0,1563	Richiesta di offerta	5363	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	PBSS5240		650 mW	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934068447115	EAR99	8541.21.0075	1.000													40 V	2A	100nA (ICBO)	PNP	650 mV a 200 mA, 2 A	300 a 1 mA, 5 V	150 MHz
PSMN7R0-30MLC,115	0,6700	Richiesta di offerta	19	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 derivazioni)	PSMN7R0	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK33	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN	30 V	67A(Tc)	4,5 V, 10 V	7 mOhm a 15 A, 10 V	2,15 V a 1 mA	17,9 nC a 10 V	±20 V	1076 pF a 15 V	-	57 W(Tc)
PMPB215ENEAX	0,5200	Richiesta di offerta	21	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	PMPB215	MOSFET (ossido di metallo)		DFN2020MD-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	80 V	1,9A(Ta)	4,5 V, 10 V	230 mOhm a 1,9 A, 10 V	2,7 V a 250 µA	7,2 nC a 10 V	±20 V	215 pF a 40 V	-	1,6 W (Ta), 15,6 W (Tc)
BST82.235	0,4000	Richiesta di offerta	9	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BST82	MOSFET (ossido di metallo)		TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	10.000		CanaleN	100 V	190mA(Ta)	5 V	10 Ohm a 150 mA, 5 V	2 V a 1 mA		±20 V	40 pF a 10 V	-	830 mW(Tc)
PMBT5550,235	0,3400	Richiesta di offerta	10	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMBT5550		250 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000													140 V	300mA	50nA (ICBO)	NPN	250 mV a 5 mA, 50 mA	60 a 10 mA, 5 V	300 MHz
BUK7M10-40EX	0,8900	Richiesta di offerta	2513	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 derivazioni)	BUK7M10	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK33	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN	40 V	56A(Tc)	10 V	10 mOhm a 15 A, 10 V	4 V a 1 mA	19,5 nC a 10 V	±20 V	1231 pF a 25 V	-	62 W (Tc)
PMGD280UN,115	0,4400	Richiesta di offerta	131	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PMGD280	MOSFET (ossido di metallo)	400 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali N (doppio)		20 V	870mA		340 mOhm a 200 mA, 4,5 V	1 V a 250 µA	0,89 nC a 4,5 V		45 pF a 20 V	Porta a livello logico
BSS84AK,215	0,2400	Richiesta di offerta	855	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BSS84	MOSFET (ossido di metallo)		TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	50 V	180mA (Ta)	10 V	7,5 Ohm a 100 mA, 10 V	2,1 V a 250 µA	0,35 nC a 5 V	±20 V	36 pF a 25 V	-	350 mW (Ta), 1,14 W (Tc)
PSMN2R4-30MLD/1X	-	Richiesta di offerta	5686	Nexperia USA Inc.	-	Massa	Obsoleto								scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	1727-PSMN2R4-30MLD/1X	EAR99	8541.29.0095	1
PZTA44/ZLX	-	Richiesta di offerta	5351	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA			1,35 W	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934070731115	EAR99	8541.29.0095	1													400 V	300mA	100nA (ICBO)	NPN	750 mV a 5 mA, 50 mA	50 a 10 mA, 10 V	20 MHz
PSMN4R2-30MLDX	0,9100	Richiesta di offerta	3	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 derivazioni)	PSMN4R2	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK33	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN	30 V	70A (Tc)	4,5 V, 10 V	4,3 mOhm a 25 A, 10 V	2,2 V a 1 mA	29,3 nC a 10 V	±20 V	1795 pF a 15 V	Diodo Schottky (corpo)	65 W (Tc)
BUK9540-100A,127	-	Richiesta di offerta	6316	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	100 V	39A(Tc)	4,5 V, 10 V	39 mOhm a 25 A, 10 V	2 V a 1 mA	48 nC a 5 V	±15 V	3072 pF a 25 V	-	158 W(Tc)
PBSS8110D,115	0,4700	Richiesta di offerta	50	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	PBSS8110		700 mW	6-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													100 V	1A	100 nA	NPN	200 mV a 100 mA, 1 A	150 a 250 mA, 10 V	100 MHz
BC856BSHX	-	Richiesta di offerta	5248	Nexperia USA Inc.	BC856	Massa	Obsoleto	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC856		270 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1727-BC856BSHX	OBSOLETO		1													65 V	100mA	15nA (ICBO)	PNP, PNP	300 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PSMN2R0-25MLD,115	-	Richiesta di offerta	1642	Nexperia USA Inc.	*	Massa	Attivo				PSMN2R0				-						0000.00.0000	1
BUK9K134-100EX	1.0400	Richiesta di offerta	2757	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1205, 8-LFPAK56	BUK9K134	MOSFET (ossido di metallo)	32 W	LFPAK56D	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500	2 canali N (doppio)		100 V	8,5 A		159 mOhm a 5 A, 5 V	2,1 V a 1 mA	7,4 nC a 5 V		755 pF a 25 V	Porta a livello logico
BCP51-16.135	0,5000	Richiesta di offerta	6	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BCP51		1 W	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	4.000													45 V	1A	100nA (ICBO)	PNP	500mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 2 V	145 MHz
PMV28ENEAR	0,3900	Richiesta di offerta	6	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMV28	MOSFET (ossido di metallo)		TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	30 V	4,4A(Ta)	4,5 V, 10 V	37 mOhm a 4,4 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	8 nC a 10 V	±20 V	266 pF a 15 V	-	660 mW (Ta), 8,3 W (Tc)
PSMN2R2-40YSDX	1.8400	Richiesta di offerta	1	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	PSMN2R2	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN	40 V	180A (Ta)	10 V	2,2 mOhm a 25 A, 10 V	3,6 V a 1 mA	63 nC a 10 V	±20 V	5130 pF a 20 V	-	166 W (Ta)
BUK7675-55A,118	1.2000	Richiesta di offerta	2386	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	BUK7675	MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN	55 V	20,3 A(Tc)	10 V	75 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 1 mA		±20 V	483 pF a 25 V	-	62 W (Tc)
BCP69-16F	0,4700	Richiesta di offerta	2570	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BCP69		650 mW	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	4.000													20 V	2A	100nA (ICBO)	PNP	600 mV a 200 mA, 2 A	100 a 500 mA, 1 V	140 MHz
BUK9K6R8-40EX	1.8300	Richiesta di offerta	6	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1205, 8-LFPAK56	BUK9K6	MOSFET (ossido di metallo)	64W	LFPAK56D	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500	2 canali N (doppio)		40 V	40A		6,1 mOhm a 10 A, 10 V	2,1 V a 1 mA	22,2 nC a 5 V		3000 pF a 25 V	Porta a livello logico
BSP126.115	0,6000	Richiesta di offerta	81	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BSP126	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN	250 V	375mA(Ta)	10 V	5 Ohm a 300 mA, 10 V	2 V a 1 mA		±20 V	120 pF a 25 V	-	1,5 W(Ta)
BC856SHX	-	Richiesta di offerta	5188	Nexperia USA Inc.	BC856	Massa	Obsoleto	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC856		270 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		1727-BC856SHX	OBSOLETO		1													65 V	100mA	15nA (ICBO)	2 PNP (doppio)	300 mV a 5 mA, 100 mA	110 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PEMH7.115	-	Richiesta di offerta	1169	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	PEMH7		300 mW	SOT-666	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	4.000													50 V	100mA	1μA	2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	100 mV a 250 µA, 5 mA	200 a 1 mA, 5 V	-	4,7 kOhm	-
PHPT610030NK,115	1.0000	Richiesta di offerta	4313	Nexperia USA Inc.	*	Massa	Attivo								scaricamento						0000.00.0000	1
BCW60C,235	0,0362	Richiesta di offerta	2320	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCW60		250 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000													32 V	100 mA	20nA (ICBO)	NPN	550 mV a 1,25 mA, 50 mA	250 a 2 mA, 5 V	250 MHz
BSN20BK215	-	Richiesta di offerta	2915	Nexperia USA Inc.	*	Massa	Attivo								scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0095	3.000