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Transistor(4628)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
BC847BS/ZLX	-	Richiesta di offerta	3974	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC847		300 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	1												45 V	100mA	15nA (ICBO)	2 NPN (doppio)	300 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V	100 MHz
BUK7109-75AIE,118	-	Richiesta di offerta	6861	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-5, D²Pak (4 conduttori + lingua), TO-263BB		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800	CanaleN	75 V	75A (Tc)	10 V	9 mOhm a 50 A, 10 V	4 V a 1 mA	121 nC a 10 V	±20 V	4700 pF a 25 V	Rilevamento corrente	272 W(Tc)
PMPB10XNE,115	0,4900	Richiesta di offerta	2	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	PMPB10	MOSFET (ossido di metallo)		DFN2020MD-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN	20 V	9A (Ta)	1,8 V, 4,5 V	14 mOhm a 9 A, 4,5 V	900 mV a 250 µA	34 nC a 4,5 V	±12V	2175 pF a 10 V	-	1,7 W (Ta), 12,5 W (Tc)
MJD148J	0,5300	Richiesta di offerta	2	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			1,6 W	DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500												45 V	4A	1μA	NPN	500 mV a 200 mA, 2 A	85 a 500 mA, 1 V	3 MHz
PIMC31F	0,4000	Richiesta di offerta	10	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	PIMC31		420 mW	6-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	10.000												50 V	500mA	500nA	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 2,5 mA, 50 mA	70 a 50 mA, 5 V	-	1kOhm	10kOhm
PSMN8R5-100ESFQ	-	Richiesta di offerta	3646	Nexperia USA Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA		MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PSMN8R5-100ESFQ-1727	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	100 V	97A (Ta)	7 V, 10 V	8,8 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	44,5 nC a 10 V	±20 V	3181 pF a 50 V	-	183 W (Ta)
BUK751R8-40E,127	-	Richiesta di offerta	6633	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	40 V	120A (Tc)	10 V	1,8 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	145 nC a 10 V	±20 V	11340 pF a 25 V	-	349 W(Tc)
BC817-16.215	0,1800	Richiesta di offerta	38	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC817		250 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000												45 V	500 mA	100nA (ICBO)	NPN	700mV a 50mA, 500mA	100 a 100 mA, 1 V	100 MHz
BUK7Y2R0-40H,115	-	Richiesta di offerta	6732	Nexperia USA Inc.	*	Massa	Attivo								scaricamento						0000.00.0000	1
RQA0011DNS#G0	-	Richiesta di offerta	7516	Nexperia USA Inc.	-	Massa	Obsoleto	150°C	Montaggio superficiale	Tampone esposto 3-DFN		MOSFET (ossido di metallo)		2-HWSON (5x4)	-				2156-RQA0011DNS#G0			1	CanaleN	16 V	3,8A(Ta)	-	-	0,75 V a 1 mA		±5 V	102 pF a 0 V	-	15 W (Tc)
PSMN013-30MLC,115	0,6600	Richiesta di offerta	3	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 derivazioni)	PSMN013	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK33	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500	CanaleN	30 V	39A(Tc)	4,5 V, 10 V	13,6 mOhm a 10 A, 10 V	1,95 V a 1 mA	8 nC a 10 V	±20 V	519 pF a 15 V	-	38 W (Tc)
BUK762R0-40E,118	-	Richiesta di offerta	1005	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800	CanaleN	40 V	120A (Tc)	10 V	2 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	109,2 nC a 10 V	±20 V	8500 pF a 25 V	-	293 W(Tc)
PSMN2R2-40BS	-	Richiesta di offerta	1718	Nexperia USA Inc.	*	Massa	Attivo								scaricamento						0000.00.0000	1
PMV50EPEAR	0,4300	Richiesta di offerta	18	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMV50	MOSFET (ossido di metallo)		TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	Canale P	30 V	4,2A(Ta)	4,5 V, 10 V	45 mOhm a 4,2 A, 10 V	3 V a 250 µA	19,2 nC a 10 V	±20 V	793 pF a 15 V	-	310 mW (Ta), 455 mW (Tc)
PMV55ENEA,215	-	Richiesta di offerta	9312	Nexperia USA Inc.	*	Massa	Attivo				PMV55	-			scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito				1										-
PBSS4360PAS-QX	0,5000	Richiesta di offerta	3	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-PowerUDFN			600 mW	3-HUSON (2x2)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000												60 V	3A	100nA (ICBO)	NPN	325 mV a 300 mA, 3 A	200 a 1 A, 5 V	160 MHz
BCM857BSH-QX	0,0852	Richiesta di offerta	9396	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BCM857		270 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	1727-BCM857BSH-QX	EAR99	8541.21.0095	3.000												45 V	100mA	15nA (ICBO)	2 PNP (doppio)	300 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PBSS8510PA,115	0,4800	Richiesta di offerta	19	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-PowerUDFN	PBSS8510		2,1 W	3-HUSON (2x2)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	3.000												100 V	5,2A	100 nA	NPN	340 mV a 260 mA, 5,2 A	95 @ 2A, 2V	150 MHz
PDTA114EMB,315	0,2800	Richiesta di offerta	10	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	3-XFDFN	PDTA114		250 mW	DFN1006B-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000												50 V	100 mA	1μA	PNP - Pre-polarizzato	150 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 5 mA, 5 V	180 MHz	10 kOhm	10 kOhm
PSMN2R8-80BS,118	3.7700	Richiesta di offerta	9156	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	PSMN2R8	MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800	CanaleN	80 V	120A (Tc)	10 V	3 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	139 nC a 10 V	±20 V	9961 pF a 40 V	-	306 W(Tc)
PDTD113ZT-QR	0,0631	Richiesta di offerta	4569	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PDTD113		250 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	1727-PDTD113ZT-QRTR	EAR99	8541.21.0095	3.000												50 V	500 mA	500nA	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 2,5 mA, 50 mA	70 a 50 mA, 5 V		1 kOhm	10 kOhm
PEMB13115	0,0600	Richiesta di offerta	7554	Nexperia USA Inc.	*	Massa	Attivo								scaricamento					EAR99	8541.21.0075	3.235
PSMN1R4-30YLDX	1.5900	Richiesta di offerta	10	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	PSMN1R4	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500	CanaleN	30 V	100A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,42 mOhm a 25 A, 10 V	2,2 V a 1 mA	54,8 nC a 10 V	±20 V	3840 pF a 15 V	-	166 W(Tc)
NHUMD9F	0,3900	Richiesta di offerta	9	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	NHUMD9		350 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000												80 V	100mA	100 nA	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	100 mV a 500 µA, 10 mA	100 a 10 mA, 5 V	170 MHz, 150 MHz	10kOhm	47kOhm
PDTA124ET-QR	0,1800	Richiesta di offerta	3	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PDTA124		250 mW	SOT-23	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000												50 V	100 mA	100 nA	PNP - Pre-polarizzato	150mV a 10mA	60 a 5 mA, 5 V	180 MHz	22 kOhm	22 kOhm
BUK963R2-40B	1.0000	Richiesta di offerta	3559	Nexperia USA Inc.	*	Massa	Attivo				BUK963	-			scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	0000.00.0000	1										-
PXN010-30QLJ	0,4900	Richiesta di offerta	6	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN		MOSFET (ossido di metallo)		MLPAK33	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN	30 V	10,3 A (Ta), 28 A (Tc)	4,5 V, 10 V	10,2 mOhm a 10,3 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	12,3 nC a 10 V	±20 V	580 pF a 15 V	-	1,7 W (Ta), 12,5 W (Tc)
BCM847BSHX	-	Richiesta di offerta	9140	Nexperia USA Inc.	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BCM847		200 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		1727-BCM847BSHX	OBSOLETO		1												45 V	100mA	15nA (ICBO)	2 NPN (doppio)	400 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V	250 MHz
PSMN5R4-25YLD,115	0,8000	Richiesta di offerta	13	Nexperia USA Inc.	*	Massa	Attivo								-						0000.00.0000	1
PSMN8R7-80PS,127	2.0800	Richiesta di offerta	1	Nexperia USA Inc.	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PSMN8R7	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	80 V	90A (Tc)	10 V	8,7 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 1 mA	52 nC a 10 V	±20 V	3346 pF a 40 V	-	170 W(Tc)