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Transistor(4628)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
BUK9529-100B,127	-	Richiesta di offerta	5229	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	100 V	46A(Tc)	4,5 V, 10 V	27 mOhm a 25 A, 10 V	2 V a 1 mA	33 nC a 5 V	±15 V	4360 pF a 25 V	-	157 W(Tc)
PDTA123YMB,315	0,2800	Richiesta di offerta	10	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	3-XFDFN	PDTA123		250 mW	DFN1006B-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	10.000												50 V	100 mA	1μA	PNP - Pre-polarizzato	150 mV a 500 µA, 10 mA	35 a 5 mA, 5 V	180 MHz	2,2 kOhm	10 kOhm
BC856BS/ZLF	-	Richiesta di offerta	9720	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC856			SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	10.000
PSMN030-150P,127	1.5038	Richiesta di offerta	1805	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PSMN030	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	150 V	55,5 A(Tc)	10 V	30 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	98 nC a 10 V	±20 V	3680 pF a 25 V	-	250 W(Tc)
PHPT610030NKX	0,7500	Richiesta di offerta	78	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1205, 8-LFPAK56	PHPT610030		1,25 W	LFPAK56D	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1.500												100 V	3A	100 nA	2 NPN (doppio)	330 mV a 300 mA, 3 A	80 a 1 A, 10 V	140 MHz
PBSS5130T,215	0,4200	Richiesta di offerta	9	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PBSS5130		480 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	3.000												30 V	1A	100nA (ICBO)	PNP	225 mV a 50 mA, 1 A	260 a 500 mA, 2 V	200 MHz
2PB709ARL,235	0,1800	Richiesta di offerta	10	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2PB709		250 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	10.000												45 V	100 mA	10nA (ICBO)	PNP	500mV a 10mA, 100mA	210 a 2 mA, 10 V	70 MHz
PEMH30.115	-	Richiesta di offerta	6184	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	PEMH30		300 mW	SOT-666	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	4.000												50 V	100mA	1μA	2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	150 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 20 mA, 5 V	-	2,2 kOhm	-