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Transistor(4628)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
PSMN1R6-30BL,118	-	Richiesta di offerta	6623	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	PSMN1R6	MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN	30 V	100A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,9 mOhm a 25 A, 10 V	2,15 V a 1 mA	212 nC a 10 V	±20 V	12493 pF a 15 V	-	306 W(Tc)
PSMN038-100K,518	-	Richiesta di offerta	8639	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)		MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	2 (1 anno)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	100 V	6,3 A(Tj)	10 V	38 mOhm a 5,2 A, 10 V	4 V a 1 mA	43 nC a 10 V	±20 V	1740 pF a 25 V	-	3,5 W(Tc)
BC847BQAZ	0,0478	Richiesta di offerta	1801	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-XDFN Tampone esposto	BC847		280 mW	DFN1010D-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	5.000													45 V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	400 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PMPB48EP,115	0,1455	Richiesta di offerta	4323	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	PMPB48	MOSFET (ossido di metallo)		DFN2020MD-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	30 V	4,7A(Ta)	4,5 V, 10 V	50 mOhm a 4,7 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	26 nC a 10 V	±20 V	860 pF a 15 V	-	1,7 W (Ta), 12,5 W (Tc)
BUK7C08-55AITE,118	-	Richiesta di offerta	2415	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta)		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK-7	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN	55 V	75A (Tc)	10 V	8 mOhm a 50 A, 10 V	4 V a 1 mA	116 nC a 10 V	±20 V	4200 pF a 25 V	Rilevamento corrente	272 W(Tc)
PBSS4041SP,115	-	Richiesta di offerta	8841	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	PBSS4041SP		2,3 W	8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000													60 V	5,9 A	100 nA	2 PNP (doppio)	275 mV a 400 mA, 4 A	150 a 2 A, 2 V	110 MHz
BUK7227-100B,118	1.7400	Richiesta di offerta	16	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 185°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	BUK7227	MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	100 V	48A(Tc)	10 V	27 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	37 nC a 10 V	±20 V	2789 pF a 25 V	-	167 W(Tc)
PMPB85ENEA/FX	0,1547	Richiesta di offerta	1957	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	PMPB85	MOSFET (ossido di metallo)		DFN2020MD-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	60 V	4,4A(Ta)	4,5 V, 10 V	95 mOhm a 3 A, 10 V	2,7 V a 250 µA	9,2 nC a 10 V	±20 V	305 pF a 30 V	-	1,6 W(Ta)
PHK18NQ03LT,518	-	Richiesta di offerta	5443	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)		MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	2 (1 anno)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	30 V	20,3 A(Tc)	4,5 V, 10 V	8,9 mOhm a 25 A, 10 V	2,15 V a 1 mA	10,6 nC a 4,5 V	±20 V	1380 pF a 12 V	-	6,25 W (TC)
BUK9M31-60ELX	1.2100	Richiesta di offerta	8352	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 derivazioni)		MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK33	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN	60 V	35A (Ta)	4,5 V, 10 V	20,6 mOhm a 10 A, 10 V	2,1 V a 1 mA	37 nC a 10 V	±10 V	1867 pF a 25 V	-	62 W (Ta)
NX7002AKS,115	0,3900	Richiesta di offerta	6	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	NX7002	MOSFET (ossido di metallo)	220 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali N (doppio)		60 V	170 mA		4,5 Ohm a 100 mA, 10 V	2,1 V a 250 µA	0,43 nC a 4,5 V		17 pF a 10 V	Porta a livello logico
BCM847BS,135	0,4800	Richiesta di offerta	52	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BCM847		300 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000													45 V	100mA	15nA (ICBO)	2 coppie abbinate NPN (doppie).	400 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V	250 MHz
BUK7M6R3-40EX	1.0400	Richiesta di offerta	8	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 derivazioni)	BUK7M6	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK33	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN	40 V	70A (Tc)	10 V	6,3 mOhm a 20 A, 10 V	4 V a 1 mA	28,1 nC a 10 V	±20 V	1912 pF a 25 V	-	79 W(Tc)
BCP53-10T,115	-	Richiesta di offerta	9902	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA			600 mW	SOT-223	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0075	1													80 V	1A	100nA (ICBO)	PNP	500mV a 50mA, 500mA	63 a 150 mA, 2 V	140 MHz
BCP52-16.115	0,4700	Richiesta di offerta	36	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BCP52		1 W	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000													60 V	1A	100nA (ICBO)	PNP	500mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 2 V	145 MHz
PMBT4403,215	0,1400	Richiesta di offerta	15	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMBT4403		250 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													40 V	600 mA	50nA (ICBO)	PNP	750mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 2 V	200 MHz
PMPB50ENEAX	-	Richiesta di offerta	7025	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	PMPB50	MOSFET (ossido di metallo)		DFN2020MD-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934070701115	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	30 V	5.1A (Ta)	4,5 V, 10 V	43 mOhm a 5,1 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	10 nC a 10 V	±20 V	271 pF a 15 V	-	1,9 W(Ta)
PSMNR70-30YLHX	3.0600	Richiesta di offerta	4055	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	PSMNR70	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN	30 V	300A (Ta)	4,5 V, 10 V	0,82 mOhm a 25 A, 10 V	2,2 V a 2 mA	157 nC a 10 V	±20 V	4852 pF a 15 V	-	268 W (Ta)
PBSS4350T-QR	0,0864	Richiesta di offerta	2246	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			1,2 W	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	1727-PBSS4350T-QRTR	EAR99	8541.29.0075	3.000													50 V	2A	100nA (ICBO)	NPN	370 mV a 300 mA, 3 A	300 a 1 A, 2 V	100 MHz
PMDXB550UNEZ	0,4200	Richiesta di offerta	31	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-XFDFN Tampone esposto	PMDXB550	MOSFET (ossido di metallo)	285 mW	DFN1010B-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	5.000	2 canali N (doppio)		30 V	590mA		670 mOhm a 590 mA, 4,5 V	950 mV a 250 µA	1,05 nC a 4,5 V		30,3 pF a 15 V	-
PHB20N06T,118	-	Richiesta di offerta	1405	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	PHB20N06	MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN	55 V	20,3 A(Tc)	10 V	75 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 1 mA	11 nC a 10 V	±20 V	483 pF a 25 V	-	62 W (Tc)
2N7002F,215	-	Richiesta di offerta	4137	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2N7002	MOSFET (ossido di metallo)		TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	60 V	475mA(Ta)	4,5 V, 10 V	2 Ohm a 500 mA, 10 V	2,5 V a 250 µA	0,69 nC a 10 V	±30 V	50 pF a 10 V	-	830 mW (Ta)
BUK9K8R7-40EX	1.4800	Richiesta di offerta	5285	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1205, 8-LFPAK56	BUK9K8	MOSFET (ossido di metallo)	53 W	LFPAK56D	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500	2 canali N (doppio)		40 V	30A		8 mOhm a 10 A, 10 V	2,1 V a 1 mA	15,7 nC a 5 V		2110 pF a 25 V	Porta a livello logico
PSMN9R5-30YLC,115	0,7600	Richiesta di offerta	14	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	PSMN9R5	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN	30 V	44A(Tc)	4,5 V, 10 V	9,8 mOhm a 15 A, 10 V	1,95 V a 1 mA	10,4 nC a 10 V	±20 V	681 pF a 15 V	-	34 W (Tc)
PUMB14.115	0,0519	Richiesta di offerta	1567	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PUMB14		300 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000													50 V	100mA	1μA	2 PNP - Prepolarizzato (doppio)	150 mV a 500 µA, 10 mA	100 a 1 mA, 5 V	-	47kOhm	-
BUK7M11-40HX	0,9600	Richiesta di offerta	3	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 derivazioni)	BUK7M11	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK33	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN	40 V	35A (Ta)	10 V	11 mOhm a 10 A, 10 V	3,6 V a 1 mA	16 nC a 10 V	+20 V, -10 V	1022 pF a 25 V	-	50 W (Ta)
PH4840S,115	-	Richiesta di offerta	5714	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669		MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN	40 V	94,5 A(Tc)	7 V, 10 V	4,1 mOhm a 25 A, 10 V	3 V a 1 mA	67 nC a 10 V	±20 V	3660 pF a 10 V	-	62,5 W(Tc)
BUK9216-100EJ	-	Richiesta di offerta	8370	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto								scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934069874118	EAR99	8541.29.0095	2.500				-
PSMN057-200P,127	1.5056	Richiesta di offerta	1523	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PSMN057	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	200 V	39A(Tc)	10 V	57 mOhm a 17 A, 10 V	4 V a 1 mA	96 nC a 10 V	±20 V	3750 pF a 25 V	-	250 W(Tc)
PMV33UPE,215	0,5700	Richiesta di offerta	877	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMV33	MOSFET (ossido di metallo)		TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canale P	20 V	4,4A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	36 mOhm a 3 A, 4,5 V	950 mV a 250 µA	22,1 nC a 4,5 V	±8 V	1820 pF a 10 V	-	490 mW (Ta)