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Transistor(4628)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
PDTA114YQCZ	0,2600	Richiesta di offerta	5	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale, fianco bagnabile	3-XDFN Tampone esposto	PDTA114		360 mW	DFN1412D-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	5.000													50 V	100 mA	100 nA	PNP - Pre-polarizzato	100 mV a 250 µA, 5 mA	100 a 5 mA, 5 V	180 MHz	10 kOhm	47 kOhm
PDTC114TU,115	0,1900	Richiesta di offerta	160	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	PDTC114		200 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000													50 V	100 mA	1μA	NPN - Prepolarizzato	150 mV a 500 µA, 10 mA	200 a 1 mA, 5 V		10 kOhm
PSMN070-200B,118	-	Richiesta di offerta	8355	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN	200 V	35A (Tc)	10 V	70 mOhm a 17 A, 10 V	4 V a 1 mA	77 nC a 10 V	±20 V	4570 pF a 25 V	-	250 W(Tc)
BUK9MFF-65PSS,518	-	Richiesta di offerta	1928	Nexperia USA Inc.	TrenchPLUS	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	20-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm)	BUK9M	MOSFET (ossido di metallo)	4,75 W(Tc)	20-SO	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934063228518	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)		65 V	13,6 A(Tc)		12,3 mOhm a 10 A, 10 V	2 V a 1 mA	40,2 nC a 5 V		3052pF a 25V	Porta a livello logico
PSMN2R2-40YSDX	1.8400	Richiesta di offerta	1	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	PSMN2R2	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN	40 V	180A (Ta)	10 V	2,2 mOhm a 25 A, 10 V	3,6 V a 1 mA	63 nC a 10 V	±20 V	5130 pF a 20 V	-	166 W (Ta)
PSMN4R8-100BSEJ	4.6000	Richiesta di offerta	9505	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	PSMN4R8	MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN	100 V	120A(Tj)	10 V	4,8 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	278 nC a 10 V	±20 V	14.400 pF a 50 V	-	405 W(Tc)
PMV30ENEAR	0,4600	Richiesta di offerta	9492	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMV30	MOSFET (ossido di metallo)		TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	40 V	4,8A(Ta)	4,5 V, 10 V	30 mOhm a 4,8 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	11,7 nC a 10 V	±20 V	440 pF a 20 V	-	710 mW (Ta), 8,3 W (Tc)
PBSS4350X,147	0,3900	Richiesta di offerta	1	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	PBSS4350		1,6 W	SOT-89	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000													50 V	3A	100nA (ICBO)	NPN	370 mV a 300 mA, 3 A	300 a 1 A, 2 V	100 MHz
BC807-40QBZ	0,2700	Richiesta di offerta	30	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale, fianco bagnabile	3-XDFN Tampone esposto			350 mW	DFN1110D-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	5.000													45 V	500 mA	100nA (ICBO)		700mV a 50mA, 500mA	250 a 100 mA, 1 V	80 MHz
BC859B,215	0,2200	Richiesta di offerta	5	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC859		250 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													30 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	220 a 2 mA, 5 V	100 MHz
BUK9K5R1-30E115	-	Richiesta di offerta	4121	Nexperia USA Inc.	*	Massa	Attivo				BUK9K5				scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1.500
ON5463,118	-	Richiesta di offerta	1016	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-	-	-		-		-	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934065694118	EAR99	8541.29.0095	1		-		-	-	-	-		-		-	-
PMDXB550UNE,147	-	Richiesta di offerta	4662	Nexperia USA Inc.	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-XFDFN Tampone esposto	PMDXB550	MOSFET (ossido di metallo)	285 mW (Ta), 4,03 W (Tc)	DFN1010B-6	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-PMDXB550UNE,147	EAR99	8541.21.0095	1	2 canali N (doppio)		30 V	590mA (Ta)		670 mOhm a 590 mA, 4,5 V	950 mV a 250 µA	1,05 nC a 4,5 V		30,3 pF a 15 V	-
PSMN070-200B,118-NEX	-	Richiesta di offerta	5061	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN	200 V	35A (Ta)		70 mOhm a 17 A, 10 V	4 V a 1 mA	77 nC a 10 V	±20 V	4570 pF a 25 V	-	250 W (Ta)
PMX400UPZ	0,4800	Richiesta di offerta	8	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	0201 (0603 metrico)		MOSFET (ossido di metallo)		DFN0603-3 (SOT8013)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	15.000		Canale P	20 V	900mA (Ta)	1,8 V, 4,5 V	500 mOhm a 1 A, 4,5 V	900 mV a 250 µA	2,4 nC a 4,5 V	±12V	146 pF a 10 V	-	500 mW (Ta), 4,7 W (Tc)
PHPT61003PY,115	1.0000	Richiesta di offerta	4426	Nexperia USA Inc.	*	Massa	Attivo								scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0075	1
PDTC124TT	-	Richiesta di offerta	1101	Nexperia USA Inc.	*	Massa	Attivo								scaricamento						0000.00.0000	1
BSR43-QX	0,2765	Richiesta di offerta	1623	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA			1,35 W	SOT-89	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	1727-BSR43-QXTR	EAR99	8541.29.0075	1.000													80 V	1A	100nA (ICBO)	NPN	500mV a 50mA, 500mA	100 a 100 mA, 5 V	100 MHz
PH2230DLSX	-	Richiesta di offerta	7753	Nexperia USA Inc.	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	PH2230			LFPAK56, Potenza-SO8	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934067978115	EAR99	8541.21.0095	1.500
PMV50XNEAR	0,4200	Richiesta di offerta	32	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMV50	MOSFET (ossido di metallo)		TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	30 V	3,4A(Ta)	2,5 V, 8 V	57 mOhm a 3,4 A, 8 V	1,25 V a 250 µA	5 nC a 4,5 V	±12V	296 pF a 15 V	-	590 mW (Ta), 5,6 W (Tc)
GAN080-650EBEZ	9.2500	Richiesta di offerta	2	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale, fianco bagnabile	Tampone esposto 8-VDFN	GAN080	GaNFET (nitruro di gallio)		DFN8080-8	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	650 V	29A (Ta)	6V	80 mOhm a 8 A, 6 V	2,5 V a 30,7 mA	6,2 nC a 6 V	+7V, -6V	225 pF a 400 V	-	240 W (Ta)
SI2304DS,215	-	Richiesta di offerta	9642	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	30 V	1,7 A(Tc)	4,5 V, 10 V	117 mOhm a 500 mA, 10 V	2 V a 1 mA	4,6 nC a 10 V	±20 V	195 pF a 10 V	-	830 mW(Tc)
PUMD6HX	-	Richiesta di offerta	4038	Nexperia USA Inc.	-	Massa	Obsoleto		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PUMD6		240 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		1727-PUMD6HX	OBSOLETO		1													50 V	100mA	100 nA	1 NPN prepolarizzato, 1 PNP	100 mV a 500 µA, 10 mA	200 a 1 mA, 5 V	230 MHz, 180 MHz	4,7 kOhm	-
PSMN3R4-30BL,118	1.6000	Richiesta di offerta	59	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	PSMN3R4	MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN	30 V	100A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,3 mOhm a 25 A, 10 V	2,15 V a 1 mA	64 nC a 10 V	±20 V	3907 pF a 15 V	-	114 W(Tc)
BSS84AKW	1.0000	Richiesta di offerta	2685	Nexperia USA Inc.	*	Massa	Attivo								-						0000.00.0000	1
BUK6D43-60EX	-	Richiesta di offerta	8540	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	BUK6D43	MOSFET (ossido di metallo)		DFN2020MD-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	60 V	5A (Ta)	4,5 V, 10 V	43 mOhm a 5 A, 10 V	2,7 V a 250 µA	18 nC a 10 V	±20 V	590 pF a 30 V	-	15 W (Tc)
PBSS5255PAPS-QX	0,2195	Richiesta di offerta	6301	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	PBSS5255		370 mW	DFN2020D-6	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	1727-PBSS5255PAPS-QXTR	EAR99	8541.21.0095	3.000													55 V	2A	100 nA	2 PNP (doppio)	450 mV a 200 mA, 2 A	170 a 100 mA, 2 V	100 MHz
PMPB23XNEZ	0,4600	Richiesta di offerta	13	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	PMPB23	MOSFET (ossido di metallo)		DFN2020MD-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	20 V	7A (Ta)	1,8 V, 4,5 V	22 mOhm a 7 A, 4,5 V	900 mV a 250 µA	17 nC a 10 V	±12V	1136 pF a 10 V	-	1,7 W (Ta)
PDTC144EU-QX	0,0286	Richiesta di offerta	1227	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	PDTC144		200 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	1727-PDTC144EU-QXTR	EAR99	8541.21.0075	3.000													50 V	100 mA	1μA	NPN - Prepolarizzato	150 mV a 500 µA, 10 mA	80 a 5 mA, 5 V	230 MHz	47 kOhm	47 kOhm
BCV27-QR	0,0692	Richiesta di offerta	1795	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250 mW	TO-236AB	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	1727-BCV27-QRTR	EAR99	8541.21.0095	3.000													30 V	500 mA	100 nA	NPN-Darlington	1 V a 100 µA, 100 mA	20000 a 100 mA, 5 V	-