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Transistor(4628)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
BC847CQCZ	-	Richiesta di offerta	5513	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale, fianco bagnabile	3-XDFN Tampone esposto			360 mW	DFN1412D-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	5.000													45 V	100 mA	15nA (ICBO)		400 mV a 5 mA, 100 mA	420 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PSMN6R8-40HSX	1.7800	Richiesta di offerta	69	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1205, 8-LFPAK56	PSMN6R8	MOSFET (ossido di metallo)	64 W (Ta)	LFPAK56D	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500	2 canali N (doppio)		40 V	40A (Ta)		6,8 mOhm a 20 A, 10 V	4 V a 1 mA	28,9 nC a 10 V		1947 pF a 25 V	-
BCP54-16.135	0,1078	Richiesta di offerta	4406	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BCP54		960 mW	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	4.000													45 V	1A	100nA (ICBO)	NPN	500mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 2 V	180 MHz
PBLS6023D,115	0,4300	Richiesta di offerta	149	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	PBLS6023		760 mW	6-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													50 V, 60 V	100 mA, 1,5 A	1 µA, 100 nA	1 NPN prepolarizzato, 1 PNP	150 mV a 500 µA, 10 mA / 260 mV a 100 mA, 1,5 A	30 a 5 mA, 5 V / 140 a 1 A, 2 V	150 MHz	10kOhm	10kOhm
SPP21N50C3XKSA1	-	Richiesta di offerta	5942	Nexperia USA Inc.	-	Massa	Attivo								-				2156-SPP21N50C3XKSA1			1
BCX52-16TF	0,4000	Richiesta di offerta	12	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	BCX52		500 mW	SOT-89	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	4.000													60 V	1A	100nA (ICBO)	PNP	500mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 2 V	-
NHDTC143ZTVL	0,2200	Richiesta di offerta	346	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	NHDTC143		250 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000													80 V	100 mA	100 nA	NPN - Prepolarizzato	100 mV a 500 µA, 10 mA	100 a 10 mA, 5 V	170 MHz	4,7 kOhm	47 kOhm
PUMB9/ZLH	-	Richiesta di offerta	6474	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Obsoleto		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PUMB9		300 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO	0000.00.0000	1													50 V	100mA	1μA	2 PNP - Prepolarizzato (doppio)	100 mV a 250 µA, 5 mA	100 a 5 mA, 5 V	180 MHz	10kOhm	47kOhm
NX3008PBKS,115	0,5000	Richiesta di offerta	282	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	NX3008	MOSFET (ossido di metallo)	445 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali P (doppio)		30 V	200mA		4,1 Ohm a 200 mA, 4,5 V	1,1 V a 250 µA	0,75 nC a 4,5 V		46 pF a 15 V	Porta a livello logico
BSS192.115	0,5800	Richiesta di offerta	41	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	BSS192	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-89	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		Canale P	240 V	200mA (Ta)	10 V	12 Ohm a 200 mA, 10 V	2,8 V a 1 mA		±20 V	90 pF a 25 V	-	560 mW (Ta), 12,5 W (Tc)
BC857BS,115	0,2800	Richiesta di offerta	176	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC857		200 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													45 V	100mA	15nA (ICBO)	2 PNP (doppio)	400 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V	100 MHz
BC817-40QC-QZ	0,0449	Richiesta di offerta	2518	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale, fianco bagnabile	3-XDFN Tampone esposto	BC817		380 mW	DFN1412D-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	5.000													45 V	500 mA	100nA (ICBO)	NPN	700mV a 50mA, 500mA	250 a 100 mA, 1 V	100 MHz
NXV100XPR	0,4400	Richiesta di offerta	11	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canale P	30 V	1,5A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	140 mOhm a 1,5 A, 4,5 V	900 mV a 250 µA	6,4 nC a 4,5 V	±12V	354 pF a 15 V	-	340 mW (Ta), 2,1 W (Tc)
BC847C/DG/B3.235	-	Richiesta di offerta	3060	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250 mW	TO-236AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934066599235	EAR99	8541.21.0075	10.000													45 V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	400 mV a 5 mA, 100 mA	420 a 2 mA, 5 V	100 MHz
BSP62-QX	0,2674	Richiesta di offerta	6560	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA			1,25 W	SOT-223	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	1727-BSP62-QXTR	EAR99	8541.29.0075	1.000													80 V	1A	50nA	PNP-Darlington	1,3 V a 500 µA, 500 mA	2000 a 500 mA, 10 V	200 MHz
BUK7S2R0-40HJ	2.6500	Richiesta di offerta	5	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1235		MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK88 (SOT1235)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN	40 V	190A (Ta)	10 V	2 mOhm a 25 A, 10 V	3,6 V a 1 mA	70 nC a 10 V	+20 V, -10 V	5075 pF a 25 V	-	183 W (Ta)
BC846AW-QF	0,0252	Richiesta di offerta	9483	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323			200 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	1727-BC846AW-QFTR	EAR99	8541.21.0095	10.000													65 V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	400 mV a 5 mA, 100 mA	110 a 2 mA, 5 V	100 MHz
BUK7515-100A,127	-	Richiesta di offerta	7828	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	100 V	75A (Tc)	10 V	15 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA		±20 V	6000 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
BC846AQBZ	0,2400	Richiesta di offerta	4	Nexperia USA Inc.	BC846xQB	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale, fianco bagnabile	3-XDFN Tampone esposto	BC846		340 mW	DFN1110D-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	5.000													65 V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	400 mV a 5 mA, 100 mA	110 a 2 mA, 5 V	100 MHz
BC857BQBZ	-	Richiesta di offerta	5110	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale, fianco bagnabile	3-XDFN Tampone esposto	BC857		340 mW	DFN1110D-3	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	5.000													45 V	100 mA	15nA (ICBO)		400 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V
BC857BS-QX	0,0353	Richiesta di offerta	9131	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC857		200 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													45 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	400 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PZT4401,115	0,4600	Richiesta di offerta	6	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	PZT4401		1,15 W	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000													40 V	600 mA	50nA (ICBO)	NPN	750mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 1 V	250 MHz
PSMN8R5-40HSX	1.6800	Richiesta di offerta	6809	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1205, 8-LFPAK56	PSMN8R5	MOSFET (ossido di metallo)	53 W (Ta)	LFPAK56D	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500	2 canali N (doppio)		40 V	30A (Ta)		8,5 mOhm a 15 A, 10 V	4 V a 1 mA	21,8 nC a 10 V		1439 pF a 25 V	-
BUK725R0-40C,118	-	Richiesta di offerta	6477	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	40 V	75A (Tc)	10 V	5 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	60 nC a 10 V	±20 V	3820 pF a 25 V	-	157 W(Tc)
PMH550UNEH	0,4000	Richiesta di offerta	20	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-XFDFN	PMH550	MOSFET (ossido di metallo)		DFN0606-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10.000		CanaleN	30 V	770mA (Ta)	1,5 V, 4,5 V	670 mOhm a 770 mA, 4,5 V	950 mV a 250 µA	0,4 nC a 4 V	±8 V	30,3 pF a 15 V	-	380 mW (Ta), 2,8 W (Tc)
BC806-25HVL	0,2800	Richiesta di offerta	29	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC806		300 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	10.000													80 V	500 mA	100nA (ICBO)	PNP	400mV a 50mA, 500mA	160 a 100 mA, 1 V	80 MHz
BUK7E1R9-40E,127	-	Richiesta di offerta	1205	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA		MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	40 V	120A (Tc)	10 V	1,9 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	118 nC a 10 V	±20 V	9700 pF a 25 V	-	324 W(Tc)
PSMN3R3-40YS,115	1.2400	Richiesta di offerta	28	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	PSMN3R3	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN	40 V	100A (Tc)	10 V	3,3 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	49 nC a 10 V	±20 V	2754 pF a 20 V	-	117 W(Tc)
PSMN1R6-30BL,118	-	Richiesta di offerta	6623	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	PSMN1R6	MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN	30 V	100A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,9 mOhm a 25 A, 10 V	2,15 V a 1 mA	212 nC a 10 V	±20 V	12493 pF a 15 V	-	306 W(Tc)
BC53-10PASX	0,4500	Richiesta di offerta	3	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 3-UDFN	BC53		420 mW	DFN2020D-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													80 V	1A	100nA (ICBO)	PNP	500mV a 50mA, 500mA	63 a 150 mA, 2 V	145 MHz