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Transistor(506)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
PMV42ENE215	-	Richiesta di offerta	1454	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		Venditore non definito	Venditore non definito	2156-PMV42ENE215-954			1
PBSS5230PAP,115	0,1600	Richiesta di offerta	3	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PBSS5230PAP,115-954			1
PDTA114YM,315	0,0200	Richiesta di offerta	92	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PDTA114YM,315-954			15.000
CLF1G0035S-100	-	Richiesta di offerta	2110	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-CLF1G0035S-100-954			1
PBSS4230QAZ	0,0700	Richiesta di offerta	335	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-XDFN Tampone esposto				325 mW	DFN1010D-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PBSS4230QAZ-954	EAR99	8541.29.0075	4.480																		30 V	2A		100nA (ICBO)	NPN	190 mV a 50 mA, 1 A	100 a 2 A, 2 V	190 MHz
BUK752R3-40E,127	0,9000	Richiesta di offerta	1	Semiconduttori NXP	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-BUK752R3-40E,127-954	EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN					40 V	120A (Ta)		2,3 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	109,2 nC a 10 V	±20 V	8500 pF a 25 V	-	293 W (Ta)
BUK9880-55/CU135	-	Richiesta di offerta	9969	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-BUK9880-55/CU135-954			1
PMCXB1000UEZ	0,0900	Richiesta di offerta	7	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo					PMCXB1000		-			scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-PMCXB1000UEZ-954			1															-
PMV40UN2R	-	Richiesta di offerta	2975	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1
PMST5550,135	0,0300	Richiesta di offerta	15	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323				200 mW	SOT-323	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PMST5550,135-954			1																		140 V	300 mA		100nA (ICBO)	NPN	250 mV a 5 mA, 50 mA	60 a 10 mA, 5 V	300 MHz
PBSS5350T,215	1.0000	Richiesta di offerta	4318	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				300 mW	SOT-23	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1																		50 V	2A		100nA (ICBO)	PNP	390 mV a 300 mA, 3 A	200 a 1 A, 2 V	100 MHz
PDTC123EMB,315	-	Richiesta di offerta	8441	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo			Montaggio superficiale	3-XFDFN	PDTC123			250 mW	DFN1006B-3	scaricamento						0000.00.0000	1																		50 V	100 mA		1μA	NPN - Prepolarizzato	150 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 20 mA, 5 V	230 MHz	2,2 kOhm	2,2 kOhm
BUK6C2R1-55C,118	-	Richiesta di offerta	3198	Semiconduttori NXP	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta)			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK-7	scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-BUK6C2R1-55C,118-954	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					55 V	228A(Tc)	10 V	2,3 mOhm a 90 A, 10 V	2,8 V a 1 mA	253 nC a 10 V	±16V	16.000 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
2PD601BRL,215	0,0200	Richiesta di offerta	9154	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	TO-236AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-2PD601BRL,215-954			1																		50 V	200 mA		100nA (ICBO)	NPN	250mV a 10mA, 100mA	210 a 2 mA, 10 V	250 MHz
BCX55-10.115	0,0700	Richiesta di offerta	52	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA				1,25 W	SOT-89	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BCX55-10,115-954	EAR99	8541.29.0095	1																		60 V	1A		100nA (ICBO)	NPN	500mV a 50mA, 500mA	63 a 150 mA, 2 V	180 MHz
PMDXB600UNEL/S500Z	-	Richiesta di offerta	6059	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo										-				2156-PMDXB600UNEL/S500Z			1
A7101CLTK2/T0BC2WJ	0,9700	Richiesta di offerta	112	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-A7101CLTK2/T0BC2WJ-954			311
BC807-25.215	0,0200	Richiesta di offerta	774	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	TO-236AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BC807-25,215-954			1																		45 V	500 mA		100nA (ICBO)	PNP	700mV a 50mA, 500mA	160 a 100 mA, 1 V	80 MHz
PSMN6R3-120PS	2.0100	Richiesta di offerta	319	Semiconduttori NXP	-	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-PSMN6R3-120PS	EAR99	8541.29.0075	162		CanaleN					120 V	70A (Ta)	10 V	6,7 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	207,1 nC a 10 V	±20 V	11384 pF a 60 V	-	405 W (Ta)
PMXB40UNE/S500Z	-	Richiesta di offerta	2461	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-XDFN Tampone esposto			MOSFET (ossido di metallo)		DFN1010D-3	-				2156-PMXB40UNE/S500Z			1		CanaleN					12 V	3,2A(Ta)	1,2 V, 4,5 V	45 mOhm a 3,2 A, 4,5 V	900 mV a 250 µA	11,6 nC a 4,5 V	±8 V	556 pF a 10 V	-	400 mW (Ta), 8,33 W (Tc)
BCX70K,235	-	Richiesta di offerta	7939	Semiconduttori NXP	BCX70	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	TO-236AB	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-BCX70K,235-954			1																		45 V	100 mA		20nA (ICBO)	NPN	550 mV a 1,25 mA, 50 mA	380 a 2 mA, 5 V	250 MHz
PHP45NQ10T,127	0,9500	Richiesta di offerta	4	Semiconduttori NXP	TrenchMOS™	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento		Non applicabile	REACH Inalterato	2156-PHP45NQ10T,127-954			341		CanaleN					100 V	47A(Tc)	10 V	25 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	61 nC a 10 V	±20 V	2600 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
BC847BM,315	0,0200	Richiesta di offerta	8085	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883				250 mW	DFN1006-3	scaricamento					EAR99	8541.21.0075	447																		45 V	100 mA		15nA (ICBO)	NPN	400 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PBSS304PD,115	0,1100	Richiesta di offerta	21	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457				1,1 W	6-TSOP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PBSS304PD,115-954			1																		80 V	1A		100 nA	PNP	540 mV a 500 mA, 5 A	155 a 500 mA, 2 V	110 MHz
MMBT2222A,215	-	Richiesta di offerta	2521	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT2222			250 mW	TO-236AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-MMBT2222A,215-954			1																		40 V	600 mA		10nA (ICBO)	NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	300 MHz
PDTC124EM,315	0,0300	Richiesta di offerta	1	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PDTC124EM,315-954			15.000
AFV10700HR5178	496.2300	Richiesta di offerta	50	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-AFV10700HR5178-954			1
BUK769R6-80E,118	0,8600	Richiesta di offerta	486	Semiconduttori NXP	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BUK769R6-80E,118-954	EAR99	8541.29.0095	348		CanaleN					80 V	75A (Tc)	10 V	9,6 mOhm a 20 A, 10 V	4 V a 1 mA	59,8 nC a 10 V	±20 V	4682 pF a 25 V	-	182 W(Tc)
BCM847BV,315	-	Richiesta di offerta	2044	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	BCM847			300 mW	SOT-666	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BCM847BV,315-954			1																		45 V	100mA		15nA (ICBO)	2 coppie abbinate NPN (doppie).	400 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V	250 MHz
MRFG35003N6AT1	14.4900	Richiesta di offerta	699	Semiconduttori NXP	-	Massa	Obsoleto	8 V		Montaggio superficiale	PLD-1.5		500 MHz~5 GHz	pHEMT FET		PLD-1.5	-				2156-MRFG35003N6AT1			21	CanaleN		2,9 A	180 mA	450 mW	10 dB a 3,55 GHz											-			6 V