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Transistor(506)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
PMZ950UPEYL	0,0400	Richiesta di offerta	356	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-883	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PMZ950UPEYL-954	EAR99	8541.29.0095	1		Canale P					20 V	500mA (Ta)	1,2 V, 4,5 V	1,4 Ohm a 500 mA, 4,5 V	950 mV a 250 µA	2,1 nC a 4,5 V	±8 V	43 pF a 10 V	-	360 mW (Ta), 2,7 W (Tc)
PMGD175XNEX	-	Richiesta di offerta	5004	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PMGD175		MOSFET (ossido di metallo)	260 mW (Ta)	SOT-363	scaricamento					EAR99	8541.21.0095	1	2 canali N (doppio)						30 V	870mA (Ta)		252 mOhm a 900 mA, 4,5 V	1,25 V a 250 µA	1,65 nC a 4,5 V		81 pF a 15 V	-
PDTD113ZT,215	0,0300	Richiesta di offerta	39	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo					PDTD113					scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PDTD113ZT,215-954	EAR99	8541.21.0095	10.764
BF824.215	-	Richiesta di offerta	2584	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	SOT-23	scaricamento						0000.00.0000	1																		30 V	25 mA		50nA (ICBO)	PNP	-	25 a 4 mA, 10 V	450 MHz
BC817RA147	0,0400	Richiesta di offerta	10	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo					BC817					scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-BC817RA147-954			1
PSMN070-200B,118	1.0900	Richiesta di offerta	5436	Semiconduttori NXP	TrenchMOS™	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-PSMN070-200B,118-954			1		CanaleN					200 V	35A (Tc)	10 V	70 mOhm a 17 A, 10 V	4 V a 1 mA	77 nC a 10 V	±20 V	4570 pF a 25 V	-	250 W(Tc)
PEMB2.115	-	Richiesta di offerta	2804	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PEMB2,115-954			1
MMBT3906,215	0,0200	Richiesta di offerta	74	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	TO-236AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-MMBT3906,215-954			1																		40 V	200 mA		50nA (ICBO)	PNP	400 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 10 mA, 1 V	250 MHz
PQMD16147	-	Richiesta di offerta	1730	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo					PQMD16					scaricamento		Venditore non definito	Venditore non definito	2156-PQMD16147-954			1
PMCM6501UNE023	0,1800	Richiesta di offerta	90	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		Venditore non definito	Venditore non definito	2156-PMCM6501UNE023-954			1
2PD601BSL,215	0,0200	Richiesta di offerta	16	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	TO-236AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-2PD601BSL,215-954			1																		50 V	200 mA		100nA (ICBO)	NPN	250mV a 10mA, 100mA	290 a 2 mA, 10 V	250 MHz
BCV65.215	0,0800	Richiesta di offerta	4	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BCV65,215-954			1
A3G35H100-04SR3	95.6100	Richiesta di offerta	137	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	125 V		Montaggio superficiale	NI-780S-4L		3,4GHz~3,6GHz	GaN		NI-780S-4L	-				2156-A3G35H100-04SR3			4	2 canali N		-	80 mA	14 W	14 dB a 3,6 GHz											-			48 V
PMV33UPE,215	-	Richiesta di offerta	7551	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento					EAR99	8541.21.0095	1		Canale P					20 V	4,4A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	36 mOhm a 3 A, 4,5 V	950 mV a 250 µA	22,1 nC a 4,5 V	±8 V	1820 pF a 10 V	-	490 mW (Ta)
BC53-16PA,115	-	Richiesta di offerta	6134	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-PowerUDFN				420 mW	3-HUSON (2x2)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BC53-16PA,115-954			1																		80 V	1A		100nA (ICBO)	PNP	500mV a 50mA, 500mA	63 a 150 mA, 2 V	145 MHz
PH4030DLV115	-	Richiesta di offerta	7942	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-PH4030DLV115-954			1
A2T21H450W19SR6	217.4300	Richiesta di offerta	277	Semiconduttori NXP	-	Massa	Obsoleto	65 V		Montaggio su telaio	NI-1230S-4S4S		2,11GHz~2,2GHz	LDMOS		NI-1230S-4S4S	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-A2T21H450W19SR6	EAR99	8541.29.0075	1			10 µA	800 mA	89 W	15,7dB											-			30 V
PMST2222,115	0,0200	Richiesta di offerta	540	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323				200 mW	SOT-323	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PMST2222,115-954			1																		30 V	600 mA		10nA (ICBO)	NPN	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	250 MHz
PSMN7R0-100BS,118	1.0000	Richiesta di offerta	9608	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PSMN7R0-100BS,118-954	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					100 V	100A (Tc)	10 V	6,8 mOhm a 15 A, 10 V	4 V a 1 mA	125 nC a 10 V	±20 V	6686 pF a 50 V	-	269 W(Tc)
BC858B,215	0,0200	Richiesta di offerta	734	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	TO-236AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BC858B,215-954			1																		30 V	100 mA		15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	220 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PDTC143EQAZ	0,0300	Richiesta di offerta	39	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo					PDTC143					scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PDTC143EQAZ-954	EAR99	8541.21.0075	1
BUK7E4R6-60E,127	0,6400	Richiesta di offerta	2	Semiconduttori NXP	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	scaricamento		Non applicabile	REACH Inalterato	2156-BUK7E4R6-60E,127-954			1		CanaleN					60 V	100A (Tc)	10 V	4,6 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	82 nC a 10 V	±20 V	6230 pF a 25 V	-	234 W(Tc)
PMV100XPEA215	0,0400	Richiesta di offerta	48	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-PMV100XPEA215-954			6.693		Canale P					20 V	2,4A(Ta)		128 mOhm a 2,4 A, 4,5 V	1,25 V a 250 µA	6 nC a 4,5 V	±12V	386 pF a 10 V	-	463 mW (Ta), 4,45 W (Tc)
PMZ290UNEYL	-	Richiesta di offerta	1610	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-883	scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-PMZ290UNEYL-954	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					20 V	1A (Ta)	1,8 V, 4,5 V	380 mOhm a 500 mA, 4,5 V	950 mV a 250 µA	0,68 nC a 4,5 V	±8 V	83 pF a 10 V	-	360 mW (Ta), 2,7 W (Tc)
PBSS5112PAP,115	0,1400	Richiesta di offerta	34	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PBSS5112PAP,115-954			2.166
BUK7635-100A,118	0,5700	Richiesta di offerta	2	Semiconduttori NXP	-	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-BUK7635-100A,118	EAR99	8541.29.0075	1		CanaleN					100 V	41A (Ta)	10 V	35 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA		±20 V	2535 pF a 25 V	-	149 W (Ta)
PHP20NQ20T,127	0,9500	Richiesta di offerta	8	Semiconduttori NXP	TrenchMOS™	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento		Non applicabile	REACH Inalterato	2156-PHP20NQ20T,127-954		0000.00.0000	341		CanaleN					200 V	20A (Tc)	10 V	130 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 1 mA	65 nC a 10 V	±20 V	2470 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
PBSS4260PANP,115	1.0000	Richiesta di offerta	2332	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PBSS4260PANP,115-954			1
BFU520XRR	0,1200	Richiesta di offerta	51	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-143R				450 mW	SOT-143R	-				2156-BFU520XRR			2.515						17,5dB												12V	30mA			NPN		60 a 5 mA, 8 V	10GHz	0,65 dB a 900 MHz
NX7002BKS115	-	Richiesta di offerta	7235	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento					EAR99	8541.21.0095	1