Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Transistor(506)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
BC52PASX	-	Richiesta di offerta	7926	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BC52PASX-954			1
PH9130AL115	0,2500	Richiesta di offerta	153	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo					PH9130					scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-PH9130AL115-954			1
MRF6VP3091NR1	-	Richiesta di offerta	6863	Semiconduttori NXP	-	Massa	Obsoleto	115 V		Montaggio superficiale	TO-270AB		470 MHz ~ 1.215 GHz	LDMOS (doppio), sorgente comune		TO-270WB-4	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-MRF6VP3091NR1-954			1	2 canali N		10μA	450 mA	90 W	22dB											-			50 V
PSMN1R8-30PL,127	1.0000	Richiesta di offerta	1915	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PSMN1R8		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento		Non applicabile	REACH Inalterato	2156-PSMN1R8-30PL,127-954			1		CanaleN					30 V	100A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,8 mOhm a 25 A, 10 V	2,15 V a 1 mA	170 nC a 10 V	±20 V	10180 pF a 12 V	-	270 W(Tc)
BCP56-16HX	-	Richiesta di offerta	3505	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA					SOT-223	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BCP56-16HX-954		8541.29.0075	1																		80 V	1A		100nA (ICBO)	NPN	500mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 2 V	100 MHz
PBHV9115Z,115	-	Richiesta di offerta	6084	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PBHV9115Z,115-954			200
PSMN035-150P,127	0,7500	Richiesta di offerta	15	Semiconduttori NXP	TrenchMOS™	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-PSMN035-150P,127-954			1		CanaleN					150 V	50A (Tc)	10 V	35 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	79 nC a 10 V	±20 V	4720 pF a 25 V	-	250 W(Tc)
PDTA114TM315	0,0200	Richiesta di offerta	450	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento					EAR99	8542.21.0095	15.000
BC857AW,115	0,0200	Richiesta di offerta	279	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC857			200 mW	SOT-323	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BC857AW,115-954		0000.00.0000	1																		45 V	100 mA		15nA (ICBO)	PNP	600mV a 5mA, 100mA	125 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PDTC144TM,315	0,0200	Richiesta di offerta	38	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo					PDTC144					scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PDTC144TM,315-954			15.000
BUK6E4R0-75C,127	1.0200	Richiesta di offerta	19	Semiconduttori NXP	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-BUK6E4R0-75C,127-954			1		CanaleN					75 V	120A (Tc)	4,5 V, 10 V	4,2 mOhm a 25 A, 10 V	2,8 V a 1 mA	234 nC a 10 V	±16V	15450 pF a 25 V	-	306 W(Tc)
PHP29N08T,127	0,5400	Richiesta di offerta	24	Semiconduttori NXP	TrenchMOS™	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento		Non applicabile	REACH Inalterato	2156-PHP29N08T,127-954			600		CanaleN					75 V	27A(Tc)	11V	50 mOhm a 14 A, 11 V	5 V a 2 mA	19 nC a 10 V	±30 V	810 pF a 25 V	-	88 W (Tc)
PMCM4401VNE/S500Z	-	Richiesta di offerta	1093	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-PMCM4401VNE/S500Z-954			1
MRFE6VP8600HR5	311.0600	Richiesta di offerta	640	Semiconduttori NXP	-	Massa	Obsoleto	130 V		Montaggio su telaio	NI-1230		470 MHz~860 MHz	LDMOS		NI-1230	scaricamento	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-MRFE6VP8600HR5	EAR99	8541.29.0075	1	Doppia fonte comune		20μA	1,4A	600 W	19,3dB											-			50 V
PMPB23XNEZ	0,1000	Richiesta di offerta	3	Semiconduttori NXP	-	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN			MOSFET (ossido di metallo)		DFN2020MD-6	scaricamento	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-PMPB23XNEZ	EAR99	8541.21.0075	3.600		CanaleN					20 V	7A (Ta)	1,8 V, 4,5 V	22 mOhm a 7 A, 4,5 V	900 mV a 250 µA	17 nC a 4,5 V	±12V	1136 pF a 10 V	-	1,7 W (Ta)
PMN48XP,125	0,1300	Richiesta di offerta	3	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457			MOSFET (ossido di metallo)		6-TSOP	scaricamento						0000.00.0000	1		Canale P					20 V	4.1A (Ta)	2,5 V, 4,5 V	55 mOhm a 2,4 A, 4,5 V	1,25 V a 250 µA	13 nC a 4,5 V	±12V	1000 pF a 10 V	-	530 mW (Ta), 6,25 W (Tc)
PZT4403,115	0,0900	Richiesta di offerta	3	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA				1,15 W	SOT-223	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PZT4403,115-954			1																		40 V	600 mA		50nA (ICBO)	PNP	750mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 1 V	200 MHz
PDTC115EMB,315	0,0300	Richiesta di offerta	189	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo			Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	PDTC115			250 mW	DFN1006B-3	scaricamento					EAR99	8541.21.0075	1																		50 V	20 mA		1μA	NPN - Prepolarizzato	150 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 5 mA, 5 V	230 MHz	100 kOhm	100 kOhm
A3I35D012WNR1	30.4600	Richiesta di offerta	396	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	65 V		Montaggio superficiale	Variante TO-270-17, conduttori piatti		3,2GHz~4GHz	LDMOS (doppio)		TO-270WB-17	-				2156-A3I35D012WNR1			10	2 canali N		10μA	138 mA	1,8 W	27,8dB											-			28 V
BF620.115	-	Richiesta di offerta	7826	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA				1,1 W	SOT-89	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BF620,115-954	EAR99	8541.29.0075	1																		300 V	50 mA		10nA (ICBO)	NPN	600 mV a 5 mA, 30 mA	50 a 25 mA, 20 V	60 MHz
A2V09H400-04NR3	95,5000	Richiesta di offerta	250	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	105 V		Montaggio superficiale	OM-780-4L		720 MHz~960 MHz	LDMOS (doppio)		OM-780-4L	-				2156-A2V09H400-04NR3			4	2 canali N		10μA	688 mA	107 W	17,9dB											-			48 V
PUMF12.115	0,0300	Richiesta di offerta	122	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-PUMF12,115-954			1
BC857BW/ZL115	0,0200	Richiesta di offerta	114	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo					BC857					scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-BC857BW/ZL115-954			1
PMN27XPE115	0,2300	Richiesta di offerta	2	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-PMN27XPE115-954			1
PHPT60410PYX	0,2100	Richiesta di offerta	40	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669				1,3 W	LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PHPT60410PYX-954	EAR99	8541.29.0095	1.550																		40 V	10A		100 nA	PNP	800 mV a 500 mA, 10 A	240 a 500 mA, 2 V	97 MHz
PMXB350UPEZ	0,0600	Richiesta di offerta	675	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-XDFN Tampone esposto			MOSFET (ossido di metallo)		DFN1010D-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PMXB350UPEZ-954	EAR99	8541.21.0095	1		Canale P					20 V	1,2A(Ta)	1,2 V, 4,5 V	447 mOhm a 1,2 A, 4,5 V	950 mV a 250 µA	2,3 nC a 4,5 V	±8 V	116 pF a 10 V	-	360 mW (Ta), 5,68 W (Tc)
PBHV8115T,215	0,0900	Richiesta di offerta	1	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				300 mW	TO-236AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PBHV8115T,215-954			1																		150 V	1A		100 nA	NPN	350 mV a 200 mA, 1 A	50 a 500 mA, 10 V	30 MHz
PHN203.518	0,2500	Richiesta di offerta	2	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-PHN203,518-954			1
PEMB16.115	0,0400	Richiesta di offerta	12	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PEMB16,115-954			1
BCW89.215	0,0200	Richiesta di offerta	142	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCW89			250 mW	TO-236AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BCW89,215-954			1																		60 V	100 mA		100nA (ICBO)	PNP	150 mV a 2,5 mA, 50 mA	120 a 2 mA, 5 V	150 MHz