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Transistor(506)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)	Figura di rumore (dB tipo @ f)
MW7IC2725NR1	56.4600	Richiesta di offerta	950	Semiconduttori NXP	-	Massa	Obsoleto	65 V		Montaggio superficiale	Variante TO-270-16, conduttori piatti		2,5GHz~2,7GHz	LDMOS (doppio)		TO-270WB-16	-				2156-MW7IC2725NR1			6	2 canali N		10 µA	275 mA	4 W	28,5dB											-			28 V
PEMD19.115	0,0400	Richiesta di offerta	12	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PEMD19,115-954			1
NX2301P,215	1.0000	Richiesta di offerta	2299	Semiconduttori NXP	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		Canale P					20 V	2A (Ta)	2,5 V, 4,5 V	120 mOhm a 1 A, 4,5 V	1,1 V a 250 µA	6 nC a 4,5 V	±8 V	380 pF a 6 V	-	400 mW (Ta), 2,8 W (Tc)
PDTD123YT/APGR	-	Richiesta di offerta	5108	Semiconduttori NXP	*	Massa	Obsoleto										-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-PDTD123YT/APGR-954			1
AFT27S010NT1	10.3900	Richiesta di offerta	2	Semiconduttori NXP	-	Massa	Obsoleto	65 V		Montaggio superficiale	PLD-1,5 W		728 MHz ~ 3,6 GHz	LDMOS		PLD-1,5 W	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-AFT27S010NT1	EAR99	8541.29.0075	1			10 µA	90 mA	1,26 W	21,7dB											-			28 V
PDTC143ZMB,315	0,0300	Richiesta di offerta	126	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PDTC143ZMB,315-954			1
PMN40UPE,115	0,1900	Richiesta di offerta	2939	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-PMN40UPE,115-954			1
2PB709BSL,215	0,0300	Richiesta di offerta	416	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	TO-236AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-2PB709BSL,215-954			1																		50 V	200 mA		10nA (ICBO)	PNP	250mV a 10mA, 100mA	210 a 2 mA, 10 V	200 MHz
BC857B,215	0,0200	Richiesta di offerta	7760	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC857			250 mW	TO-236AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BC857B,215-954			900																		45 V	100 mA		15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	220 a 2 mA, 5 V	100 MHz
BC860B,235	0,0200	Richiesta di offerta	100	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	TO-236AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BC860B,235-954			1																		45 V	100 mA		15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	220 a 2 mA, 5 V	100 MHz
BCV61C,215	0,1300	Richiesta di offerta	354	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BCV61C,215-954			1
PDTC114EMB,315	-	Richiesta di offerta	1308	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo			Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	PDTC114			250 mW	DFN1006B-3	scaricamento						0000.00.0000	1																		50 V	100 mA		1μA	NPN - Prepolarizzato	150 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 5 mA, 5 V	230 MHz	10 kOhm	10 kOhm
MRF6VP2600HR5.178	-	Richiesta di offerta	3283	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo					MRF6VP2600		-			scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito				1															-
BF570.215	0,0500	Richiesta di offerta	55	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	TO-236AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BF570,215-954			1																		15 V	100 mA		400nA (ICBO)	NPN	-	40 a 10 mA, 1 V	490 MHz
PQMD2147	0,0300	Richiesta di offerta	13	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo					PQMD2					scaricamento		Venditore non definito	Venditore non definito	2156-PQMD2147-954			1
PBSS5220PAPSX	-	Richiesta di offerta	9176	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN				370 mW	DFN2020D-6	-				2156-PBSS5220PAPSX			1																		20 V	2A		100nA (ICBO)	2PNP	390 mV a 200 mA, 2 A	160 @ 1A, 2V	95 MHz
PMT560ENEAX	-	Richiesta di offerta	1293	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PMT560ENEAX-954	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					100 V	1,1 A (Ta)	4,5 V, 10 V	715 mOhm a 1,1 A, 10 V	2,7 V a 250 µA	4,4 nC a 10 V	±20 V	112 pF a 50 V	-	750 mW(Ta)
PEMH18.115	-	Richiesta di offerta	1354	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PEMH18,115-954			1
PMPB100XPEA,115	1.0000	Richiesta di offerta	9040	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo					PMPB100					scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-PMPB100XPEA,115-954			1
BUK769R6-80E,118	0,8600	Richiesta di offerta	486	Semiconduttori NXP	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BUK769R6-80E,118-954	EAR99	8541.29.0095	348		CanaleN					80 V	75A (Tc)	10 V	9,6 mOhm a 20 A, 10 V	4 V a 1 mA	59,8 nC a 10 V	±20 V	4682 pF a 25 V	-	182 W(Tc)
BFU520XRR	0,1200	Richiesta di offerta	51	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-143R				450 mW	SOT-143R	-				2156-BFU520XRR			2.515						17,5dB												12V	30mA			NPN		60 a 5 mA, 8 V	10GHz			0,65 dB a 900 MHz
PBSS304PZ,135	0,1900	Richiesta di offerta	38	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA				2 W	SOT-223	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PBSS304PZ,135-954	EAR99	8541.21.0095	1																		60 V	4,5 A		100nA (ICBO)	PNP	375 mV a 225 mA, 4,5 A	150 a 2 A, 2 V	130 MHz
PSMN7R0-100PS127	-	Richiesta di offerta	7709	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento						0000.00.0000	1
BUK6212-40C,118	0,3300	Richiesta di offerta	5	Semiconduttori NXP	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-BUK6212-40C,118-954			1		CanaleN					40 V	50A (Ta)		11,2 mOhm a 12 A, 10 V	2,8 V a 1 mA	33,9 nC a 10 V	±16V	1900 pF a 25 V	-	80 W
BCV61A,215	0,0800	Richiesta di offerta	47	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BCV61A,215-954			1
PBSS5320D,115	0,0600	Richiesta di offerta	23	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457				750 mW	6-TSOP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PBSS5320D,115-954			1																		20 V	3A		100nA (ICBO)	PNP	400 mV a 300 mA, 3 A	150 a 2 A, 2 V	100 MHz
BLM7G1822S-20PBY	22.8800	Richiesta di offerta	1	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-BLM7G1822S-20PBY-954			14
2PD2150,115	0,0800	Richiesta di offerta	8	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA				2 W	SOT-89	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-2PD2150,115-954	EAR99	8541.29.0075	1																		20 V	3A		100nA (ICBO)	NPN	500 mV a 100 mA, 2 A	180 a 100 mA, 2 V	220 MHz
PSMN012-80BS,118	-	Richiesta di offerta	4498	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PSMN012-80BS,118-954			1		CanaleN					80 V	74A(Tc)	10 V	11 mOhm a 15 A, 10 V	4 V a 1 mA	43 nC a 10 V	±20 V	2782 pF a 12 V	-	148 W(Tc)
PDTA114EE,115	-	Richiesta di offerta	9293	Semiconduttori NXP	*	Massa	Obsoleto										-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-PDTA114EE,115-954			1