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Transistor(506)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Figura di rumore (dB tipo @ f)
BCW30.215	-	Richiesta di offerta	2289	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	SOT-23	-						0000.00.0000	1																		32 V	100 mA		100nA (ICBO)	PNP	150 mV a 2,5 mA, 50 mA	215 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PDTD113EQAZ	0,0300	Richiesta di offerta	30	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo					PDTD113					scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PDTD113EQAZ-954	EAR99	8541.21.0075	1
PBR941	0,2500	Richiesta di offerta	175	Semiconduttori NXP	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				360 mW	TO-236AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Informazioni REACH disponibili su richiesta	2832-PBR941TR	EAR99	8541.21.0075	2.000						16dB												10 V	50mA			NPN		100 a 5 mA, 6 V	9GHz		1,5 dB ~ 2,1 dB a 1 GHz ~ 2 GHz
PBSS4220V,115	0,0500	Richiesta di offerta	12	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666				900 mW	SOT-666	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PBSS4220V,115-954	EAR99	8541.21.0075	1																		20 V	2A		100 nA	NPN	350 mV a 200 mA, 2 A	200 a 1 A, 2 V	210 MHz
PSMN6R0-25YLD115	0,2200	Richiesta di offerta	9	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-PSMN6R0-25YLD115-954			1.340
BLF8G27LS-100PJ	-	Richiesta di offerta	4497	Semiconduttori NXP	-	Massa	Obsoleto	65 V		Montaggio superficiale	SOT-1121B		2,5GHz~2,7GHz	LDMOS (doppio), sorgente comune		LDMOST	-				2156-BLF8G27LS-100PJ			1	2 canali N		-	860 mA	25 W	18dB											-			28 V
BUK7506-55A,127	-	Richiesta di offerta	1400	Semiconduttori NXP	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					55 V	75A (Tc)	10 V	6,3 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA		±20 V	6000 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
BC847BV,315	-	Richiesta di offerta	8733	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	BC847			300 mW	SOT-666	scaricamento				2156-BC847BV,315-NEX		0000.00.0000	1																		45 V	100mA		15nA (ICBO)	2 NPN (doppio)	300 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V	100 MHz
BUK764R0-75C,118	-	Richiesta di offerta	1887	Semiconduttori NXP	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-BUK764R0-75C,118-954			1		CanaleN					75 V	100A (Tc)	10 V	4 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	142 nC a 10 V	±20 V	11659 pF a 25 V	-	333 W(Tc)
BCM847DS/DG/B2115	0,0700	Richiesta di offerta	181	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo					BCM847					scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-BCM847DS/DG/B2115-954			1
PDTD123TT,215	0,0300	Richiesta di offerta	66	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PDTD123TT,215-954	EAR99	8541.21.0075	10.764
BC846BMB,315	0,0200	Richiesta di offerta	6853	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BC846BMB,315-954			12.885
PDTC124TU,115	-	Richiesta di offerta	5646	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo			Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	PDTC124			200 mW	SOT-323	-						0000.00.0000	1																		50 V	100 mA		1μA	NPN - Prepolarizzato	150 mV a 500 µA, 10 mA	100 a 1 mA, 5 V		22 kOhm
PDTC143TU,115	0,0200	Richiesta di offerta	121	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PDTC143TU,115-954			1
PMBT3904,215	-	Richiesta di offerta	9255	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	TO-236AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PMBT3904,215-954			1																		40 V	200 mA		50nA (ICBO)	NPN	300 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 10 mA, 1 V	300 MHz
PMPB15XN,115	-	Richiesta di offerta	7468	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-XFDFN Tampone esposto			MOSFET (ossido di metallo)		DFN1010B-6	-						0000.00.0000	1		CanaleN					20 V	7,3A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	21 mOhm a 7,3 A, 4,5 V	900 mV a 250 µA	20,2 nC a 4,5 V	±12V	1240 pF a 10 V	-	1,7 W (Ta), 12,5 W (Tc)
BC848W,135	-	Richiesta di offerta	2141	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323				200 mW	SOT-323	-				2156-BC848W,135			1																		30 V	100 mA		15nA (ICBO)	NPN	600mV a 5mA, 100mA	110 a 2 mA, 5 V	100 MHz
CLF1G0060S-10	1.0000	Richiesta di offerta	7738	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-CLF1G0060S-10-954			1
PBSS8110Y,115	-	Richiesta di offerta	8170	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363				625 mW	6-TSSOP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PBSS8110Y,115-954			1																		100 V	1A		100 nA	NPN	200 mV a 100 mA, 1 A	150 a 250 mA, 10 V	100 MHz
PMSS3906,115	0,0200	Richiesta di offerta	387	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323				200 mW	SOT-323	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PMSS3906,115-954			1																		40 V	100 mA		50nA (ICBO)	PNP	400 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 10 mA, 1 V	150 MHz
PHPT61002PYCX	1.0000	Richiesta di offerta	8712	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PHPT61002PYCX-954	EAR99	8541.29.0075	1
BLF6G22LS-180RN	-	Richiesta di offerta	4998	Semiconduttori NXP	-	Massa	Obsoleto	65 V		Montaggio superficiale	SOT-502B		2,11 GHz ~ 2,17 GHz	LDMOS		SOT502B	-				2156-BLF6G22LS-180RN			1	CanaleN		5μA	1,4A	40 W	16dB											-			30 V
PSMN8R0-40PS,127	-	Richiesta di offerta	2848	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento		Non applicabile	REACH Inalterato	2156-PSMN8R0-40PS,127-954			1		CanaleN					40 V	77A(Tc)	10 V	7,6 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	21 nC a 10 V	±20 V	1262 pF a 12 V	-	86 W (Tc)
PBSS5230QAZ	0,0600	Richiesta di offerta	554	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-XDFN Tampone esposto				325 mW	DFN1010D-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PBSS5230QAZ-954	EAR99	8541.29.0075	1																		30 V	2A		100nA (ICBO)	PNP	210 mV a 50 mA, 1 A	60 a 2A, 2V	170 MHz
PMG85XPH	-	Richiesta di offerta	7317	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-PMG85XPH-954			1
BCW72.235	0,0300	Richiesta di offerta	130	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	TO-236AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BCW72,235-954			1																		45 V	100 mA		100nA (ICBO)	NPN	210 mV a 2,5 mA, 50 mA	200 a 2 mA, 5 V	100 MHz
MD7IC2755NR1	114.3900	Richiesta di offerta	2	Semiconduttori NXP	-	Massa	Obsoleto	65 V		Montaggio superficiale	Variante TO-270-14, conduttori piatti		2,5GHz~2,7GHz	LDMOS (doppio)		TO-270WB-14	-				2156-MD7IC2755NR1			3	2 canali N		10 µA	275 mA	10 W	25dB											-			28 V
PUMH19.115	-	Richiesta di offerta	2418	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo										-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-PUMH19,115-954			1
PBLS1503Y,115	0,0700	Richiesta di offerta	222	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo					PBLS1503					scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PBLS1503Y,115-954			4.873
BC52-10PASX	0,0600	Richiesta di offerta	59	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 3-UDFN				420 mW	DFN2020D-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BC52-10PASX-954	EAR99	8541.21.0075	1																		60 V	1A		100nA (ICBO)	PNP	500mV a 50mA, 500mA	63 a 150 mA, 2 V	145 MHz