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Transistor(5714)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Resistenza - RDS(On)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
APT30M30JLL	40.1200	Richiesta di offerta	2490	Tecnologia del microchip	POWERMOS7®	Tubo	Attivo		Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC	APT30M30	MOSFET (ossido di metallo)			ISOTOP®	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN	300 V	88A(Tc)		30 mOhm a 44 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	140 nC a 10 V		7030 pF a 25 V	-
2N3013	31.9050	Richiesta di offerta	9348	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo									-			REACH Inalterato	150-2N3013			1
JANS2N3765	-	Richiesta di offerta	4158	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/396	Massa	Attivo	-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AB, TO-46-3 Contenitore in metallo			500 mW		TO-46 (TO-206AB)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1														60 V	1,5 A					100μA (ICBO)				PNP	900 mV a 100 mA, 1 A	40 a 500 mA, 1 V	-
JANS2N2920L	183.5212	Richiesta di offerta	8946	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/355	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-78-6 Lattina di metallo	2N2920		350 mW		TO-78-6	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1														60 V	30mA					10μA (ICBO)				2 NPN (doppio)	300 mV a 100 µA, 1 mA	300 a 1 mA, 5 V	-
JANTX2N3507AU4	-	Richiesta di offerta	9513	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/349	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo			1 W		U4	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														50 V	1μA					1μA				NPN	1,5 V a 250 mA, 2,5 A	35 a 500 mA, 1 V	-
JANSM2N3499	41.5800	Richiesta di offerta	4529	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/366	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			1 W		TO-39 (TO-205AD)	-			REACH Inalterato	150-JANSM2N3499			1														100 V	500 mA					10μA (ICBO)				NPN	600mV a 30mA, 300mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JANTX2N4033UA/TR	87.8997	Richiesta di offerta	6520	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/512	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo			500 mW		UA	-			REACH Inalterato	150-JANTX2N4033UA/TR			100														80 V	1A					25nA				PNP	1 V a 100 mA, 1 A	100 a 100 mA, 5 V	-
JANS2N2369AUA	76.1504	Richiesta di offerta	2797	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/317	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo	2N2369A		360 mW		UA	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1														15 V						400nA				NPN	450mV a 10mA, 100mA	40 a 10 mA, 1 V	-
JANKCDM2N5154	-	Richiesta di offerta	6656	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/544	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			1 W		TO-39 (TO-205AD)	-			REACH Inalterato	150-JANKCDM2N5154			100														80 V	2A					50 µA				NPN	1,5 V a 500 mA, 5 A	70 a 2,5 A, 5 V	-
JANTX2N6987U	78.5500	Richiesta di offerta	8876	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/558	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-SMD, senza piombo	2N6987		1 W		6-SMD	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														60 V	600mA					10μA (ICBO)				4 PNP (quadruplo)	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
2N4449UB/TR	25.7700	Richiesta di offerta	4626	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo			400 mW		UB	-							100														15 V						400nA				NPN	450mV a 10mA, 100mA	40 a 10 mA, 1 V	-
JANSG2N2221AUB/TR	255.6750	Richiesta di offerta	9063	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo									-				150-JANSG2N2221AUB/TR			50
JANS2N3764U4	-	Richiesta di offerta	6762	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/396	Massa	Attivo	-55°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo			500 mW		U4	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1														40 V	1,5 A					10μA (ICBO)				PNP	900 mV a 100 mA, 1 A	30 a 1 A, 1,5 V	-
2C3762	8.4600	Richiesta di offerta	3657	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo									-			REACH Inalterato	150-2C3762			1
MQ2N4860UB/TR	80.9438	Richiesta di offerta	1555	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/385	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo			360 mW		UB	-			REACH Inalterato	150-MQ2N4860UB/TR			100		CanaleN	30 V							18 pF a 10 V							30 V	20 mA a 15 V	2 V a 500 pA				40 Ohm
APTM120DA30CT1G	82.6908	Richiesta di offerta	5515	Tecnologia del microchip	POWERMOS8™	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTM120	MOSFET (ossido di metallo)			SP1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN	1200 V	31A(Tc)	10 V	360 mOhm a 25 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	560 nC a 10 V	±30 V	14560 pF a 25 V	-	657 W(Tc)
JANSM2N2906A	99.9500	Richiesta di offerta	3321	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/291	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo			500 mW		TO-18 (TO-206AA)	-			REACH Inalterato	150-JANSM2N2906A			1														60 V	600 mA					50nA				PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
2N2994	27.6600	Richiesta di offerta	7538	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo			5 W		TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-2N2994	EAR99	8541.29.0095	1														100 V	1A					-				NPN	3 V a 50 µA, 200 µA	-	-
JANSF2N2221AUB/TR	149.4750	Richiesta di offerta	9875	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo									-				150-JANSF2N2221AUB/TR			50
SG2004J	-	Richiesta di offerta	3013	Tecnologia del microchip	-	Vassoio	Attivo	-55°C ~ 125°C (TA)	Foro passante	16 CDIP (0,300", 7,62 mm)	SG2004		-		16-CERDIP	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-SG2004J	EAR99	8541.29.0095	25														50 V	500mA					-				7 PNP Darlington	1,6 V a 500 µA, 350 mA	1000 a 350 mA, 2 V	-
JANS2N2907AUBC/TR	185.6106	Richiesta di offerta	4458	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/291	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	3-CLCC	2N2907		500 mW		UBC	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANS2N2907AUBC/TR	EAR99	8541.21.0095	1														60 V	600 mA					50nA				PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
2N1490	58.8900	Richiesta di offerta	9306	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			75 W		TO-204AD (TO-3)	-			REACH Inalterato	150-2N1490	EAR99	8541.29.0095	1														55 V	6A					25μA (ICBO)				NPN	3 V a 300 mA, 1,5 A	25 a 1,5 A, 4 V	-
APTGT300SK170G	269.2320	Richiesta di offerta	5107	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTGT300		1660 W	Standard	SP6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Separare												Sosta sul campo di trincea	1700 V	400 A	2,4 V a 15 V, 300 A				750 µA	NO	26,5 nF a 25 V
APTGT400DA60D3G	171.4013	Richiesta di offerta	5701	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo D-3	APTGT400		1250 W	Standard	D3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Separare												Sosta sul campo di trincea	600 V	500 A	1,9 V a 15 V, 400 A				500 µA	NO	24 nF a 25 V
JANSM2N3810U/TR	342.8814	Richiesta di offerta	8965	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/336	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-SMD, senza piombo	2N3810		350 mW		6-SMD	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANSM2N3810U/TR	EAR99	8541.21.0095	1														60 V	50mA					10μA (ICBO)				2 PNP (doppio)	250 mV a 100 µA, 1 mA	150 a 1 mA, 5 V	-
APT10021JFLL	101.2000	Richiesta di offerta	9513	Tecnologia del microchip	POWERMOS7®	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC	APT10021	MOSFET (ossido di metallo)			ISOTOP®	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN	1000 V	37A(Tc)	10 V	210 mOhm a 18,5 A, 10 V	5 V a 5 mA	395 nC a 10 V	±30 V	9750 pF a 25 V	-	694 W(Tc)
2N6582	110.9100	Richiesta di offerta	3424	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-204AA, TO-3			125 W		TO-204AD (TO-3)	-			REACH Inalterato	150-2N6582	EAR99	8541.29.0095	1														350 V	10A					-				NPN	-	-	-
APTM100A18FTG	195.3300	Richiesta di offerta	9603	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4	APTM100	MOSFET (ossido di metallo)	780W		SP4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (mezzo ponte)		1000 V (1 kV)	43A		210 mOhm a 21,5 A, 10 V	5 V a 5 mA	372nC a 10 V		10.400 pF a 25 V	-
MSCSM170HRM11NG	632.5900	Richiesta di offerta	4210	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo		Carburo di silicio (SiC)	1.012 kW (Tc), 662 W (Tc)		-	-				150-MSCSM170HRM11NG			1	4 canali N (inverter a tre livelli)		1700 V (1,7 kV), 1200 V (1,2 kV)	226A (Tc), 163A (Tc)		11,3 mOhm a 120 A, 20 V, 16 mOhm a 80 A, 20 V	3,2 V a 10 mA, 2,8 V a 6 mA	712nC a 20 V, 464nC a 20 V		13.200 pF a 1.000 V, 6.040 pF a 1.000 V	Carburo di silicio (SiC)
JANSL2N2907AL	99.0906	Richiesta di offerta	6260	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/291	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo			500 mW		TO-18 (TO-206AA)	-			REACH Inalterato	150-JANSL2N2907AL			1														60 V	600 mA					50nA				PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-