Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Transistor(5714)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
JANSP2N2907AUBC	305.9206	Richiesta di offerta	8125	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/291	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo			500 mW		UBC	-			REACH Inalterato	150-JANSP2N2907AUBC			1														60 V	600 mA		50nA			PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
2N6421	27.0655	Richiesta di offerta	2633	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-213AA, TO-66-2			35 W		TO-66 (TO-213AA)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														250 V	2A		-			PNP	-	-	-
JANKCAL2N3636	-	Richiesta di offerta	3356	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/357	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			1 W		TO-39 (TO-205AD)	-			REACH Inalterato	150-JANKCAL2N3636			100														175 V	1A		10 µA			PNP	600 mV a 5 mA, 50 mA	50 a 50 mA, 10 V	-
JANSL2N3810	198.9608	Richiesta di offerta	3899	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500 /336	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-78-6 Lattina di metallo	2N3810		350 mW		TO-78-6	-			REACH Inalterato	150-JANSL2N3810			1														60 V	50mA		10μA (ICBO)			2 PNP (doppio)	250 mV a 100 µA, 1 mA	150 a 1 mA, 5 V	-
JANTXV2N5152	15.4945	Richiesta di offerta	6142	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/544	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N5152		1 W		TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														80 V	2A		50 µA			NPN	1,5 V a 500 mA, 5 A	30 a 2,5 A, 5 V	-
JANS2N3762L	-	Richiesta di offerta	5200	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/396	Massa	Attivo	-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo			1 W		TO-5	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														40 V	1,5 A		100μA (ICBO)			PNP	900 mV a 100 mA, 1 A	40 a 500 mA, 1 V	-
JANTXV2N1613L	365.7500	Richiesta di offerta	14	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/181	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N1613		800 mW		TO-39	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1														30 V	500 mA		10μA (ICBO)			NPN	1,5 V a 15 mA, 150 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
MSC017SMA120J	66.3200	Richiesta di offerta	8076	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)			MSC017	SiCFET (carburo di silicio)				scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-MSC017SMA120J	EAR99	8541.29.0095	10		CanaleN	1200 V	88A(Tc)	20 V	22 mOhm a 40 A, 20 V	2,7 V a 4,5 mA (tip.)	249 nC a 20 V	+23 V, -10 V	5280 pF a 1000 V		278 W(Tc)
JAN2N3725UB/TR	-	Richiesta di offerta	5034	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	200°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo					UB	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JAN2N3725UB/TR	EAR99	8541.21.0095	1														50 V	500 mA		-			NPN	-	-	-
TN0610N3-G-P013	1.0500	Richiesta di offerta	2151	Tecnologia del microchip	-	Nastro e scatola (TB)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TN0610	MOSFET (ossido di metallo)			TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN	100 V	500mA(Tj)	3 V, 10 V	1,5 Ohm a 750 mA, 10 V	2 V a 1 mA		±20 V	150 pF a 25 V	-	1W (Tc)
JANKCAP2N3635	-	Richiesta di offerta	8995	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/357	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			1 W		TO-39 (TO-205AD)	-			REACH Inalterato	150-JANKCAP2N3635			100														140 V	1A		10 µA			PNP	600 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 50 mA, 10 V	-
2N3867S	10.9459	Richiesta di offerta	6908	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante		2N3867		1 W		TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														40 V	3 mA		100μA (ICBO)			PNP	1,5 V a 250 mA, 2,5 A	40 a 1,5 A, 2 V	-
2N333LT2	65.1035	Richiesta di offerta	6993	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo				2N333					-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1
APT20M22JVRU2	31.5900	Richiesta di offerta	6183	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC	APT20M22	MOSFET (ossido di metallo)			SOT-227	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN	200 V	97A(Tc)	10 V	22 mOhm a 48,5 A, 10 V	4 V a 2,5 mA	290 nC a 10 V	±30 V	8500 pF a 25 V	-	450 W(Tc)
JANTX2N2060L	67.9497	Richiesta di offerta	7116	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/270	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-78-6 Lattina di metallo	2N2060		2,12 W		TO-78-6	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														60 V	500mA		10μA (ICBO)			2 NPN (doppio)	300 mV a 5 mA, 50 mA	50 a 10 mA, 5 V	-
NCC1053/TR	-	Richiesta di offerta	8468	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo									-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-NCC1053/TR			1
JAN2N335ALT2	-	Richiesta di offerta	7148	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	175°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo					TO-5	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato			0000.00.0000	1														45 V	10 mA		-			NPN	-	-	-
2N4896	16.3650	Richiesta di offerta	7620	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo			7 W		TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-2N4896	EAR99	8541.29.0095	1														60 V	5A		-			PNP	-	-	-
JANSP2N2221AUB/TR	161.2350	Richiesta di offerta	7616	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo									-				150-JANSP2N2221AUB/TR			50
APT5010LLLG	17.0200	Richiesta di offerta	6384	Tecnologia del microchip	POWERMOS7®	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-264-3, TO-264AA	APT5010	MOSFET (ossido di metallo)			TO-264 [L]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN	500 V	46A(Tc)	10 V	100 mOhm a 23 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	95 nC a 10 V	±30 V	4360 pF a 25 V	-	520 W(Tc)
MSC40SM120JCU3	45.0700	Richiesta di offerta	9124	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC	MSC40SM120	SiCFET (carburo di silicio)			SOT-227 (ISOTOP®)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-MSC40SM120JCU3	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN	1200 V	55A (Tc)	20 V	50 mOhm a 40 A, 20 V	2,7 V a 1 mA	137 nC a 20 V	+25 V, -10 V	1990 pF a 1000 V	-	245 W(Tc)
JANSF2N3439U4	413.4420	Richiesta di offerta	2395	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo			800 mW		U4	-			REACH Inalterato	150-JANSF2N3439U4			1														350 V	1A		2μA			NPN	500 mV a 4 mA, 50 mA	40 a 20 mA, 10 V	-
JANS2N3740	745.4720	Richiesta di offerta	5864	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/441	Massa	Attivo	-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-213AA, TO-66-2			25 W		TO-66 (TO-213AA)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														60 V	10 µA		10 µA			PNP	600 mV a 1,25 mA, 1 A	30 a 250 mA, 1 V	-
2C5339JS	19.2450	Richiesta di offerta	5584	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo									-			REACH Inalterato	150-2C5339JS			1
JANTXV2N2369AU	-	Richiesta di offerta	6871	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/317	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-CLCC	2N2369A		500 mW		6-LCC	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1														15 V			400nA			NPN	450mV a 10mA, 100mA	40 a 10 mA, 1 V	-
JANTX2N720A	10.1612	Richiesta di offerta	2652	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/182	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	2N720		500 mW		TO-18 (TO-206AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1														80 V	500 mA		10μA (ICBO)			NPN	5 V a 15 mA, 150 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
JANTX2N3500	10.6932	Richiesta di offerta	4103	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/366	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N3500		1 W		TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														150 V	300 mA		10μA (ICBO)			NPN	400mV a 15mA, 150mA	40 a 150 mA, 10 V	-
APT70GR120J	29.8400	Richiesta di offerta	7380	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4	APT70GR120		543 W	Standard	SOT-227	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Separare												TNP	1200 V	112A	3,2 V a 15 V, 70 A	1 mA	NO	7,26 nF a 25 V
2N997	30.5700	Richiesta di offerta	5590	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo									-			REACH Inalterato	150-2N997			1
JANS2N6678T1	-	Richiesta di offerta	1527	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	200°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori)					TO-254	-			REACH Inalterato			0000.00.0000	1														400 V	15A		-			NPN	-	-	-