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Transistor(5714)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
JAN2N708	-	Richiesta di offerta	3507	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/312	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	2N708			360 mW		TO-18 (TO-206AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1															15 V							25nA (ICBO)			NPN	400 mV a 1 mA, 10 mA	40 a 10 mA, 1 V	-
APT20GT60BRG	-	Richiesta di offerta	7819	Tecnologia del microchip	Thunderbolt IGBT®	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT20GT60	Standard		174 W		TO-247 [B]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1			400 V, 20 A, 5 Ohm, 15 V											TNP	600 V	43A	80A	2,5 V a 15 V, 20 A	215μJ (acceso), 245μJ (spento)	100 nC	8ns/80ns
2N5545	36.4200	Richiesta di offerta	5376	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo										-			REACH Inalterato	150-2N5545			1
APT30F50B	5.3600	Richiesta di offerta	8425	Tecnologia del microchip	POWERMOS8™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT30F50		MOSFET (ossido di metallo)			TO-247 [B]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		500 V	30A (Tc)	10 V	190 mOhm a 14 A, 10 V	5 V a 1 mA	115 nC a 10 V	±30 V	4525 pF a 25 V	-	415 W(Tc)
2N3810A	18.0747	Richiesta di offerta	4540	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo				2N3810						-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2N3810AMS		0000.00.0000	1
JANSF2N2222AL	98.5102	Richiesta di offerta	2501	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/255	Vassoio	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	2N2222			500 mW		TO-18 (TO-206AA)	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1															50 V	800 mA						50nA			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
MSC750SMA170B4	5.6100	Richiesta di offerta	137	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-4			SiCFET (carburo di silicio)			TO-247-4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-MSC750SMA170B4	EAR99	8541.29.0095	90		CanaleN		1700 V	7A(Tc)	20 V	940 mOhm a 2,5 A, 20 V	3,25 V a 100 µA (tip.)	11 nC a 20 V	+23 V, -10 V	184 pF a 1360 V	-	68 W(Tc)
2C5238	11.8769	Richiesta di offerta	8421	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo										-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-2C5238			1
APT50M75JFLL	44.8700	Richiesta di offerta	2107	Tecnologia del microchip	POWERMOS7®	Tubo	Attivo		Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC	APT50M75		MOSFET (ossido di metallo)			ISOTOP®	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		500 V	51A(Tc)		75 mOhm a 25,5 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	125 nC a 10 V		5590 pF a 25 V	-
2C3765-MSCL	8.4600	Richiesta di offerta	8801	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo										-			REACH Inalterato	150-2C3765-MSCL			1
APT25M100J	33.9300	Richiesta di offerta	3255	Tecnologia del microchip	POWERMOS8™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC	APT25M100		MOSFET (ossido di metallo)			ISOTOP®	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		1000 V	25A (Tc)	10 V	330 mOhm a 18 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	305 nC a 10 V	±30 V	9835 pF a 25 V	-	545 W(Tc)
APTGT100DH60TG	102.7500	Richiesta di offerta	8647	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4	APTGT100			340 W	Standard	SP4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Ponte asimmetrico													Sosta sul campo di trincea	600 V	150A		1,9 V a 15 V, 100 A				250 µA	SÌ	6,1 nF a 25 V
JANTV2N6437	848.4735	Richiesta di offerta	6988	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	200°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3						TO-204AD (TO-3)	-			REACH Inalterato	150-JANTV2N6437			1															100 V	25A						-			PNP	-	-	-
APT44F80B2	22.5900	Richiesta di offerta	9224	Tecnologia del microchip	POWERMOS8™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Variante TO-247-3	APT44F80		MOSFET (ossido di metallo)			T-MAX™ [B2]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		800 V	47A(Tc)	10 V	210 mOhm a 24 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	305 nC a 10 V	±30 V	9330 pF a 25 V	-	1.135 W(Tc)
JANSM2N2222AUBC	279.1520	Richiesta di offerta	8932	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/255	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				500 mW		UBC	-			REACH Inalterato	150-JANSM2N2222AUBC			1															50 V	800 mA						50nA			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JAN2N5582	6.6367	Richiesta di offerta	3515	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/423	Massa	Attivo	-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AB, TO-46-3 Contenitore in metallo	2N5582			500 mW		TO-46-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1															50 V	800 mA						10 µA (ICBO)			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JANKCC2N6193	260.6401	Richiesta di offerta	7718	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/561	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo				1 W		TO-205 CC (TO-39)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANKCC2N6193	EAR99	8541.29.0095	1															100 V	5A						100μA			PNP	1,2 V a 500 mA, 5 A	60 a 2A, 2V	-
JAN2N3743U4	-	Richiesta di offerta	3270	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/397	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				1 W		U4	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1															300 V	200 mA									PNP	1,2 V a 3 mA, 30 mA	50 a 30 mA, 10 V	-
2N4029	8.4189	Richiesta di offerta	9046	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	2N4029			500 mW		TO-18	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1															80 V	1A						10 µA (ICBO)			PNP	1 V a 100 mA, 1 A	100 a 100 mA, 5 V	-
JANSD2N3810L	198.9608	Richiesta di offerta	1120	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/336	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-78-6 Lattina di metallo	2N3810			350 mW		TO-78-6	-			REACH Inalterato	150-JANSD2N3810L			1															60 V	50mA						10 µA (ICBO)			2 PNP (doppio)	250 mV a 100 µA, 1 mA	150 a 1 mA, 5 V	-
JANTX2N5415UA	197.5512	Richiesta di offerta	9093	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/485	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo				750 mW		UA	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1															200 V	50 µA						50 µA			PNP	2 V a 5 mA, 50 mA	30 a 50 mA, 10 V	-
JANTX2N4399	169.0512	Richiesta di offerta	6928	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/433	Massa	Attivo	-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3	2N4399			5 W		TO-3 (TO-204AA)	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1															60 V	30A						100μA			PNP	750 mV a 1 A, 10 A	15 a 15 A, 2 V	-
90024-02TX	-	Richiesta di offerta	5052	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-204AA, TO-3						TO-3	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato			0000.00.0000	1																						-			-	-	-	-
2N5678	613.4700	Richiesta di offerta	4921	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-	Montaggio a perno	TO-211MB, TO-63-4, Perno				175 W		TO-63	-			REACH Inalterato	150-2N5678	EAR99	8541.29.0095	1															100 V	10A						-			PNP	-	-	-
TC7920K6-G	1.8800	Richiesta di offerta	4836	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	12-VFDFN Tampone esposto	TC7920		MOSFET (ossido di metallo)	-		12-DFN (4x4)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.300	2 canali N e 2 canali P			200 V	-		10 Ohm a 1 A, 10 V	2,4 V a 1 mA	-		52 pF a 25 V	-
APT100GN120JDQ4	55.6400	Richiesta di offerta	4345	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC	APT100			446 W	Standard	ISOTOP®	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Separare													Sosta sul campo di trincea	1200 V	153A		2,1 V a 15 V, 100 A				200 µA	NO	6,5 nF a 25 V
MSCSM120AM042CD3AG	936.0500	Richiesta di offerta	9	Tecnologia del microchip	-	Scatola	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	MSCSM120		Carburo di silicio (SiC)	2.031 kW(Tc)		D3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-MSCSM120AM042CD3AG	EAR99	8541.29.0095	1	Canale 2 N (fase)			1200 V (1,2 kV)	495A(Tc)		5,2 mOhm a 240 A, 20 V	2,8 V a 6 mA	1392nC a 20 V		18,1 pF a 1000 V	-
JAN2N3501	13.4600	Richiesta di offerta	43	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/366	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N3501			1 W		TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1															150 V	300 mA						10 µA (ICBO)			NPN	400mV a 15mA, 150mA	100 a 150 mA, 10 V	-
APTM10DSKM19T3G	64.0200	Richiesta di offerta	2124	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3	APTM10		MOSFET (ossido di metallo)	208 W		SP3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)			100 V	70A		21 mOhm a 35 A, 10 V	4 V a 1 mA	200 nC a 10 V		5100 pF a 25 V	-
2N3726	17.6550	Richiesta di offerta	7413	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo				2N372						-			REACH Inalterato	150-2N3726			1