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Transistor(5714)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id	Corrente - Interruzione collettore (max)	Resistenza - RDS(On)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
2N2102	27.3182	Richiesta di offerta	2997	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo				5 W	TO-5	-			REACH Inalterato	2N2102MS	EAR99	8541.29.0095	1															65 V	1A									-		PNP	-	-	-
JANTXV2N2880	191.4402	Richiesta di offerta	8311	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/315	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Telaio, montaggio con perno	TO-210AA, TO-59-4, Prigioniero	2N2880			2 W	TO-59	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1															80 V	5A									20μA		NPN	1,5 V a 500 mA, 5 A	40 a 1 A, 2 V	-
JAN2N3637L	10.5868	Richiesta di offerta	1294	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/357	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo	2N3637			1 W	TO-5	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1															175 V	1A									10 µA		PNP	600 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 50 mA, 10 V	-
JAN2N3867S	24.8843	Richiesta di offerta	7303	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/350	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N3867			1 W	TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1															40 V	3 mA									100μA (ICBO)		PNP	1,5 V a 250 mA, 2,5 A	40 a 1,5 A, 2 V	-
TP0620N3-G	1.9000	Richiesta di offerta	975	Tecnologia del microchip	-	Borsa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TP0620		MOSFET (ossido di metallo)		TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		Canale P		200 V	175mA(Tj)	5 V, 10 V	12 Ohm a 200 mA, 10 V	2,4 V a 1 mA		±20 V	150 pF a 25 V	-	1 W (Ta)
APT50MC120JCU2	-	Richiesta di offerta	1207	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC	APT50MC120		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-227	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		1200 V	71A(Tc)	20 V	34 mOhm a 50 A, 20 V	2,3 V a 1 mA (tip.)	179 nC a 20 V	+25 V, -10 V	2980 pF a 1000 V	-	300 W(Tc)
2C3019	9.5494	Richiesta di offerta	9157	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo									-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-2C3019			1
JANSL2N2907AL	99.0906	Richiesta di offerta	6260	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/291	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo				500 mW	TO-18 (TO-206AA)	-			REACH Inalterato	150-JANSL2N2907AL			1															60 V	600 mA									50nA		PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JANTX2N5339	10.2942	Richiesta di offerta	6572	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-55°C~200°C	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N5339			1 W	TO-39	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	JANTX2N5339MS	EAR99	8541.29.0095	1															100 V	5A									100μA		NPN	1,2 V a 500 mA, 5 A	60 a 2A, 2V	-
APT60GT60BRG	14.6800	Richiesta di offerta	2	Tecnologia del microchip	Thunderbolt IGBT®	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT60GT60	Standard		500 W	TO-247 [B]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1			-											TNP	600 V	100A	360A	2,5 V a 15 V, 60 A	3,4 mJ	275 nC	26ns/395ns
MSCSM170TAM15CTPAG	1.0000	Richiesta di offerta	12	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	MSCSM170		Carburo di silicio (SiC)	843 W(Tc)	-	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-MSCSM170TAM15CTPAG	EAR99	8541.29.0095	1	6 canali N (fase gamba)			1700 V (1,7 kV)	179A(Tc)		15 mOhm a 90 A, 20 V	3,2 V a 7,5 mA	534nC a 20 V		9900 pF a 1000 V	-
JANKCB2N5416	122.3866	Richiesta di offerta	2657	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/485	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo				750 mW	TO-5	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANKCB2N5416	EAR99	8541.21.0095	1															300 V	1A									1mA		PNP	2 V a 5 mA, 50 mA	30 a 50 mA, 10 V	-
2N5339QFN	22.1850	Richiesta di offerta	3894	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-55°C~200°C	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo				1 W	TO-39 (TO-205AD)	-			REACH Inalterato	150-2N5339QFN	EAR99	8541.29.0095	1															100 V	5A									100μA		NPN	1,2 V a 500 mA, 5 A	60 a 2A, 2V	-
JANSM2N3637UB/TR	147.3102	Richiesta di offerta	1762	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/357	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				1 W	UB	-			REACH Inalterato	150-JANSM2N3637UB/TR			50															175 V	1A									10 µA		PNP	600 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 50 mA, 10 V	-
2N4091UB	47.6539	Richiesta di offerta	1416	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo	2N4091			360 mW	3-UB (3,09x2,45)	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1		CanaleN		40 V							16 pF a 20 V											40 V	30 mA a 20 V			30 Ohm
2N3623	30.6450	Richiesta di offerta	9502	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo				7 W	TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-2N3623	EAR99	8541.29.0095	1															40 V	5A									-		PNP	-	-	-
APTMC120HRM40CT3AG	-	Richiesta di offerta	6020	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	APTMC120		Carburo di silicio (SiC)	375 W	SP3	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)			1200 V (1,2 kV)	73A(Tc)		34 mOhm a 50 A, 20 V	3 V a 12,5 mA	161nC a 5 V		2788 pF a 1000 V	-
JANSP2N5152	95.9904	Richiesta di offerta	3181	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/544	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo				1 W	TO-39 (TO-205AD)	-			REACH Inalterato	150-JANSP2N5152			1															80 V	2A									50 µA		NPN	1,5 V a 500 mA, 5 A	30 a 2,5 A, 5 V	-
2N4391	18.6732	Richiesta di offerta	4212	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 125°C (TJ)	Foro passante	-	2N4391			1,8 W	TO-18	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	2N4391MS	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN									14 pF a 20 V											40 V	50 mA a 20 V	4 V a 1 nA		30 Ohm
JANTXV2N3468	-	Richiesta di offerta	9722	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/348	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo				1 W	TO-39 (TO-205AD)	-			REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1															50 V	1A									100nA (ICBO)		PNP	1,2 V a 100 mA, 1 A	25 a 500 mA, 1 V	-
JANSD2N3700UB	40.1900	Richiesta di offerta	3118	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/391	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				500 mW	UB	-			REACH Inalterato	150-JANSD2N3700UB			1															80 V	1A									10nA		NPN	500mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 10 V	-
GEN2N930	9.3898	Richiesta di offerta	9534	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/253	Massa	Attivo	-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	2N930			300 mW	TO-18	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1															45 V	30 mA									2nA		NPN	1 V a 500 µA, 10 mA	100 a 10 µA, 5 V	-
2C5416	18.0747	Richiesta di offerta	4065	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo									-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-2C5416			1
JANTX2N1714	-	Richiesta di offerta	7746	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	175°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo					TO-5	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato			0000.00.0000	1															60 V	750 mA									-		NPN	-	-	-
APTMC120HR11CT3AG	-	Richiesta di offerta	4976	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	APTMC120		Carburo di silicio (SiC)	125 W	SP3	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)			1200 V (1,2 kV)	26A (Tc)		98 mOhm a 20 A, 20 V	3 V a 5 mA	62nC a 20 V		950 pF a 1000 V	-
MV2N4856UB/TR	80.6379	Richiesta di offerta	1056	Tecnologia del microchip	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo									-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-MV2N4856UB/TR			1
JANSP2N3637L	129.5906	Richiesta di offerta	2494	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/357	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo				1 W	TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-JANSP2N3637L			1															175 V	1A									10 µA		PNP	600 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 50 mA, 10 V	-
2N5334	22.2750	Richiesta di offerta	5551	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo				6 W	TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-2N5334	EAR99	8541.29.0095	1															60 V	3A									-		NPN	-	-	-
JAN2N498S	-	Richiesta di offerta	8867	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo									-	RoHS non conforme		REACH Inalterato			0000.00.0000	1
APT34F60B	13.3600	Richiesta di offerta	9	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT34F60		MOSFET (ossido di metallo)		TO-247 [B]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		600 V	36A(Tc)	10 V	210 mOhm a 17 A, 10 V	5 V a 1 mA	165 nC a 10 V	±30 V	6640 pF a 25 V	-	624 W(Tc)