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Transistor(5714)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Resistenza - RDS(On)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
MSC025SMA120S	41.0600	Richiesta di offerta	634	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA	MSC025			SiCFET (carburo di silicio)			D3PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	691-MSC025SMA120S	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						1200 V	89A(Tc)	-	-	-	-		-	-
JANKCBF2N2222A	-	Richiesta di offerta	6683	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 200°C	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo					500 mW		TO-18	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANKCBF2N2222A	EAR99	8541.21.0095	1																			50 V	800 mA										50nA				NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
2N5584	613.4700	Richiesta di offerta	8222	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio a perno	TO-211MB, TO-63-4, Perno					175 W		TO-63	-			REACH Inalterato	150-2N5584	EAR99	8541.29.0095	1																			180 V	30A										-				NPN	1,5 V a 2 mA, 10 mA	-	-
MX2N4093	69.2531	Richiesta di offerta	4978	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/431	Massa	Attivo		-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo					360 mW		TO-18 (TO-206AA)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1		CanaleN						40 V						16 pF a 20 V													40 V	8 mA a 20 V					80 Ohm
JANKCAR2N3637	-	Richiesta di offerta	9280	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/357	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo					1 W		TO-39 (TO-205AD)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANKCAR2N3637	EAR99	8541.29.0095	1																			175 V	1A										10 µA				PNP	600 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 50 mA, 10 V	-
2N5793U/TR	71.0700	Richiesta di offerta	1560	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-SMD, senza piombo	2N5793				600 mW		U	-			REACH Inalterato	150-2N5793U/TR	EAR99	8541.21.0095	100																			40 V	600mA										10μA (ICBO)				2 NPN (doppio)	900 mV a 30 mA, 300 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
JANSF2N2222AUB/TR	146.9710	Richiesta di offerta	3677	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/255	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo					500 mW		UB	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANSF2N2222AUB/TR	EAR99	8541.21.0095	1																			50 V	800 mA										50nA				NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
1214GN-120V	-	Richiesta di offerta	1159	Tecnologia del microchip	E	Massa	Attivo	125 V		Montaggio superficiale	55-QQ			1,2GHz~1,4GHz	HEMT			55-QQ	scaricamento			REACH Inalterato	150-1214GN-120V	EAR99	8541.29.0095	1			-		30 mA	130 W	17,16dB										-									50 V
JANTXV2N2907AUBP	14.0847	Richiesta di offerta	7948	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/291	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo					500 mW		UB	-			REACH Inalterato	150-JANTXV2N2907AUBP			1																			60 V	600 mA										50nA				PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 1 mA, 10 V	-
JANSP2N5152L	98.9702	Richiesta di offerta	3886	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/544	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo					1 W		TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-JANSP2N5152L			1																			80 V	2A										50 µA				NPN	1,5 V a 500 mA, 5 A	30 a 2,5 A, 5 V	-
APTGT600DU60G	334.2625	Richiesta di offerta	2514	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTGT600				2300 W	Standard	SP6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Doppia fonte comune																	Sosta sul campo di trincea	600 V	700 A		1,8 V a 15 V, 600 A								750 µA	NO	49 nF a 25 V
2C3725	6.1500	Richiesta di offerta	5889	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo												-			REACH Inalterato	150-2C3725			1
JANTXV2N3421L	16.9575	Richiesta di offerta	9464	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/393	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo					1 W		TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-JANTXV2N3421L			1																			80 V	3A										5μA				NPN	500 mV a 200 mA, 2 A	40 a 1 A, 2 V	-
MX2N5116UB/TR	87.0884	Richiesta di offerta	7004	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo					500 mW		UB	-			REACH Inalterato	150-MX2N5116UB/TR			100		Canale P						30 V						27 pF a 15 V													30 V	5 mA a 15 V	1 V a 1 nA				175 Ohm
JANHCB2N2222A	8.9376	Richiesta di offerta	9513	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 200°C	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo					500 mW		TO-18	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANHCB2N2222A	EAR99	8541.21.0095	1																			50 V	800 mA										50nA				NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
MX2N4858UB	68.7743	Richiesta di offerta	7152	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo					2N4858							-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1
MSCGLQ50DH120CTBL2NG	155.6300	Richiesta di offerta	9305	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	MSCGLQ				375 W	Standard	-	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-MSCGLQ50DH120CTBL2NG	EAR99	8541.29.0095	1	Ponte asimmetrico																	-	1200 V	110A		2,4 V a 15 V, 50 A								25 µA	SÌ	2,77 nF a 25 V
JANSF2N2221AUBC/TR	238.6406	Richiesta di offerta	8291	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/255	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo					500 mW		UBC	-			REACH Inalterato	150-JANSF2N2221AUBC/TR			50																			50 V	800 mA										50nA				NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JANTXV2N6211	-	Richiesta di offerta	3390	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/461	Massa	Attivo		-55°C ~ 200°C (TA)	Foro passante	TO-213AA, TO-66-2					3 W		TO-66 (TO-213AA)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																			225 V	5 mA										5mA				PNP	1,4 V a 125 mA, 1 A	30 a 1 A, 5 V	-
JANSR2N3636UB/TR	-	Richiesta di offerta	9838	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/357	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo					1,5 W		UB	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANSR2N3636UB/TR	EAR99	8541.29.0095	1																			175 V	10 µA										10 µA				PNP	600 mV a 5 mA, 50 mA	50 a 50 mA, 10 V	-
JANSD2N2906AUB	148.2202	Richiesta di offerta	1124	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/291	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo					500 mW		UB	-			REACH Inalterato	150-JANSD2N2906AUB			1																			60 V	600 mA										50nA				PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
MQ2N4859	54.6231	Richiesta di offerta	5386	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/385	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo					360 mW		TO-18 (TO-206AA)	-			REACH Inalterato	150-MQ2N4859			1		CanaleN						30 V						18 pF a 10 V													30 V	50 mA a 15 V	4 V a 500 pA				25 Ohm
2N3302	33,6000	Richiesta di offerta	3379	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo												-			REACH Inalterato	150-2N3302			1
JANSM2N3637L	129.5906	Richiesta di offerta	6483	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/357	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo					1 W		TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-JANSM2N3637L			1																			175 V	1A										10 µA				PNP	600 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 50 mA, 10 V	-
2N4860UB	86.7825	Richiesta di offerta	5573	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo	2N4860				360 mW		-	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN						30 V						18 pF a 10 V													30 V	100 mA a 15 V	6 V a 500 pA				40 Ohm
TP5335K1-G-VAO	-	Richiesta di offerta	5577	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TP5335			MOSFET (ossido di metallo)			SOT-23-3	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-TP5335K1-G-VAOTR	EAR99	8541.21.0095	3.000		Canale P						350 V	85mA(Tj)	4,5 V, 10 V	30 Ohm a 200 mA, 10 V	2,4 V a 1 mA	±20 V	110 pF a 25 V	-	360 mW(Ta)
JANTXV2N5416U4/TR	-	Richiesta di offerta	5956	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/485	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo					1 W		U4	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTXV2N5416U4/TR	EAR99	8541.29.0095	1																			300 V	1A										1mA				PNP	2 V a 5 mA, 50 mA	30 a 50 mA, 10 V	-
MSCSM120AM13CT6AG	-	Richiesta di offerta	1487	Tecnologia del microchip	-	Scatola	Attivo												scaricamento				150-MSCSM120AM13CT6AG			1
APT25GP90BDQ1G	-	Richiesta di offerta	3982	Tecnologia del microchip	POWERMOS7®	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT25GP90	Standard			417 W		TO-247 [B]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1				600 V, 40 A, 4,3 Ohm, 15 V														P.T	900 V	72A	110A	3,9 V a 15 V, 25 A	370μJ (spento)	110 nC	13ns/55ns
MV2N4092	70.7693	Richiesta di offerta	9741	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/431	Massa	Attivo		-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	MV2N4092				360 mW		TO-18 (TO-206AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1		CanaleN						40 V						16 pF a 20 V													40 V	15 mA a 20 V					50 Ohm