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Transistor(5714)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
SG2821J-DESC	-	Richiesta di offerta	7302	Tecnologia del microchip	-	Vassoio	Attivo	-55°C ~ 125°C (TA)	Foro passante	18 CDIP (0,300", 7,62 mm)	SG2821			-		18-CERDIP	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-SG2821J-DESC	EAR99	8541.29.0095	21												95 V	500mA						-			8 PNP Darlington	1,6 V a 500 µA, 350 mA	1000 a 350 mA, 2 V	-
APTM20HM08FG	347.3625	Richiesta di offerta	6058	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTM20		MOSFET (ossido di metallo)	781W		SP6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	4 canali N (mezzo ponte)		200 V	208A	10 mOhm a 104 A, 10 V	5 V a 5 mA	280nC a 10V	14400 pF a 25 V	-
2N5685	80.5800	Richiesta di offerta	30	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3	2N5685			300 W		TO-204AD (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1												60 V	50A						500 µA			NPN	5 V a 10 A, 50 A	30 a 5 mA, 2 V	-
APTM20DUM04G	300.2300	Richiesta di offerta	3564	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTM20		MOSFET (ossido di metallo)	1250 W		SP6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)		200 V	372A	5 mOhm a 186 A, 10 V	5 V a 10 mA	560nC a 10 V	28900 pF a 25 V	-
APTGF50H60T3G	-	Richiesta di offerta	5377	Tecnologia del microchip	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP3				250 W	Standard	SP3	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	1	Invertitore a ponte intero										TNP	600 V	65A		2,45 V a 15 V, 50 A				250 µA	SÌ	2,2 nF a 25 V
MSCSM120DDUM31TBL2NG	246.6500	Richiesta di offerta	8848	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	MSCSM120		Carburo di silicio (SiC)	310 W		-	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-MSCSM120DDUM31TBL2NG	EAR99	8541.29.0095	1	4 canali N, sorgente comune		1200 V (1,2 kV)	79A	31 mOhm a 40 A, 20 V	2,8 V a 3 mA	232nC a 20 V	3020 pF a 1000 V	-
MSCSM70TLM44C3AG	141.3800	Richiesta di offerta	4397	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	MSCSM70		Carburo di silicio (SiC)	176 W(Tc)		SP3F	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-MSCSM70TLM44C3AG	EAR99	8541.29.0095	1	4 canali N (inverter a tre livelli)		700 V	58A (Tc)	44 mOhm a 30 A, 20 V	2,7 V a 2 mA	99nC @ 20V	2010 pF a 700 V	-
CMAVC60VRM99T3AMG	-	Richiesta di offerta	2479	Tecnologia del microchip	*	Vassoio	Obsoleto										-				150-CMAVC60VRM99T3AMG	OBSOLETO		1
2N6303	164.2200	Richiesta di offerta	5059	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo				1 W		TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-2N6303	EAR99	8541.29.0095	1												80 V	3A						1μA			PNP	750 mV a 150 mA, 1,5 A	35 a 500 mA, 1 V	60 MHz
JANS2N2221AUB/TR	65.0804	Richiesta di offerta	4082	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/255	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				500 mW		UB	-			REACH Inalterato	150-JANS2N2221AUB/TR	EAR99	8541.21.0095	50												50 V	800 mA						50nA			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
JANSF2N2906AUA	156.0008	Richiesta di offerta	7364	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/291	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo				500 mW		UA	-			REACH Inalterato	150-JANSF2N2906AUA			1												60 V	600 mA						50nA			PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
2N1724	377.5200	Richiesta di offerta	5359	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	175°C	Montaggio a perno	TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Perno				3 W		TO-61	-			REACH Inalterato	150-2N1724	EAR99	8541.29.0095	1												80 V	5A						300μA			NPN	600 mV a 200 mA, 2 A	30 a 2 A, 15 V	-
SG2821J-883B	-	Richiesta di offerta	1561	Tecnologia del microchip	-	Vassoio	Attivo	-55°C ~ 125°C (TA)	Foro passante	18 CDIP (0,300", 7,62 mm)	SG2821			-		18-CERDIP	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-SG2821J-883B	EAR99	8541.29.0095	21												95 V	500mA						-			8 PNP Darlington	1,6 V a 500 µA, 350 mA	1000 a 350 mA, 2 V	-
2C3250A	9.2550	Richiesta di offerta	8464	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo										-			REACH Inalterato	150-2C3250A			1
JANSF2N3637UB	148.5808	Richiesta di offerta	8182	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/357	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				1 W		UB	-			REACH Inalterato	150-JANSF2N3637UB			1												175 V	1A						10μA			PNP	600 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 50 mA, 10 V	-
MSCSM120HRM311AG	156.8300	Richiesta di offerta	3496	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo			Carburo di silicio (SiC)	395 W (Tc), 365 W (Tc)		-	-				150-MSCSM120HRM311AG			1	4 canali N (inverter a tre livelli)		1200 V (1,2 kV), 700 V	89A (Tc), 124A (Tc)	31 mOhm a 40 A, 20 V, 19 mOhm a 40 A, 20 V	2,8 V a 3 mA, 2,4 V a 4 mA	232nC a 20 V, 215 nC a 20 V	3020pF a 1000 V, 4500pF a 700 V	Carburo di silicio (SiC)
2N5622	74.1300	Richiesta di offerta	2463	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-204AA, TO-3				116 W		TO-204AD (TO-3)	-			REACH Inalterato	150-2N5622	EAR99	8541.29.0095	1												60 V	10A						-			NPN	-	-	-
2N4309	14.6400	Richiesta di offerta	7136	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo				1,5 W		TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-2N4309	EAR99	8541.29.0095	1												80 V	5A						-			NPN	-	-	-
2C3810-MSCL	22.3650	Richiesta di offerta	7070	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo										-			REACH Inalterato	150-2C3810-MSCL			1
JANSL2N2907AUBC/TR	306.0614	Richiesta di offerta	8066	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/291	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				500 mW		UBC	-			REACH Inalterato	150-JANSL2N2907AUBC/TR			50												60 V	600 mA						50nA			PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
APT50GT60BRDQ2G	11.2700	Richiesta di offerta	172	Tecnologia del microchip	Thunderbolt IGBT®	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT50GT60	Standard		446 W		TO-247 [B]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		400 V, 50 A, 5 Ohm, 15 V								22 ns	TNP	600 V	110A	150A	2,5 V a 15 V, 50 A	995μJ (acceso), 1070μJ (spento)	240 nC	14ns/240ns
MVR2N2222AUB/TR	29.9649	Richiesta di offerta	4535	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				500 mW		UB	-			REACH Inalterato	150-MVR2N2222AUB/TR			100												50 V	800 mA						50nA			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JANSF2N2906AUB/TR	157.4550	Richiesta di offerta	2630	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo										-				150-JANSF2N2906AUB/TR			50
MSCSM120TLM11CAG	807.5900	Richiesta di offerta	7187	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	MSCSM120		Carburo di silicio (SiC)	1042W(Tc)		SP6C	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-MSCSM120TLM11CAG	EAR99	8541.29.0095	1	4 canali N (inverter a tre livelli)		1200 V (1,2 kV)	251A(Tc)	10,4 mOhm a 120 A, 20 V	2,8 V a 3 mA	696nC @ 20V	9000 pF a 1000 V	-
JANSF2N3810L	206.9304	Richiesta di offerta	5256	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/336	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-78-6 Lattina di metallo	2N3810			350 mW		TO-78-6	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1												60 V	50mA						10 µA (ICBO)			2 PNP (doppio)	250 mV a 100 µA, 1 mA	150 a 1 mA, 5 V	-
APT50GR120B2	10.8900	Richiesta di offerta	2166	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT50GR120	Standard		694 W		TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		600 V, 50 A, 4,3 Ohm, 15 V									TNP	1200 V	117A	200A	3,2 V a 15 V, 50 A	2,14 mJ (acceso), 1,48 mJ (spento)	445 nC	28ns/237ns
JAN2N3501UB/TR	17.5560	Richiesta di offerta	3527	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/366	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				500 mW		UB	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JAN2N3501UB/TR	EAR99	8541.21.0095	1												150 V	300 mA						10 µA (ICBO)			NPN	400mV a 15mA, 150mA	100 a 150 mA, 10 V	-
APT33GF120LRDQ2G	-	Richiesta di offerta	7682	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-264-3, TO-264AA	APT33GF120	Standard		357 W		TO-264 [L]	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25		800 V, 25 A, 4,3 Ohm, 15 V									TNP	1200 V	64A	75A	3 V a 15 V, 25 A	1.315 mJ (acceso), 1.515 mJ (spento)	170 nC	14ns/185ns
2N6581	110.9100	Richiesta di offerta	5821	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3				125 W		TO-204AD (TO-3)	-			REACH Inalterato	150-2N6581	EAR99	8541.29.0095	1												450 V	10A						-			PNP	1,5 V a 500 µA, 3 mA	-	-
JANTXV2N3500U4/TR	-	Richiesta di offerta	2639	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				1 W		U4	-			REACH Inalterato	150-JANTXV2N3500U4/TR			50												150 V	300 mA						50nA (ICBO)			NPN	400mV a 15mA, 150mA	40 a 150 mA, 10 V	-