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Transistor(5714)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
JANTXV2N2605	23.3814	Richiesta di offerta	6762	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/354	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AB, TO-46-3 Contenitore in metallo	2N2605			400 mW		TO-46-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1															60 V	30 mA						10nA			PNP	300 mV a 500 µA, 10 mA	100 a 10 mA, 5 V	-
APTGT150SK60T1G	54.7605	Richiesta di offerta	9456	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTGT150			480 W	Standard	SP1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Separare													Sosta sul campo di trincea	600 V	225A		1,9 V a 15 V, 150 A				250 µA	SÌ	9,2 nF a 25 V
MIC94053YC6-TR	0,7800	Richiesta di offerta	72	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MIC94053		MOSFET (ossido di metallo)			SC-70-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canale P		6 V	2A (Ta)	1,8 V, 4,5 V	84 mOhm a 100 mA, 4,5 V	1,2 V a 250 µA		6V		-	270 mW (Ta)
2N3501UB/TR	17.1703	Richiesta di offerta	5312	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/366	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				500 mW		UB	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-2N3501UB/TR	EAR99	8541.21.0095	1															150 V	300 mA						10 µA (ICBO)			NPN	400mV a 15mA, 150mA	100 a 150 mA, 10 V	-
2N4235	-	Richiesta di offerta	2031	Tecnologia del microchip	-	Massa	Interrotto alla SIC	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo				1 W		TO-205 d.C	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	1															60 V	1A						1mA			PNP	600 mV a 100 mA, 1 A	40 a 100 mA, 1 V	-
JANTX2N5666S	-	Richiesta di offerta	7478	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/455	Massa	Interrotto alla SIC	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N5666			1,2 W		TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1															200 V	5A						200nA			NPN	1 V a 1 A, 5 A	40 a 1 A, 5 V	-
APTGT75A60T1G	54.6800	Richiesta di offerta	5312	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTGT75			250 W	Standard	SP1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte													Sosta sul campo di trincea	600 V	100A		1,9 V a 15 V, 75 A				250 µA	SÌ	4,62 nF a 25 V
APT36GA60B	4.8100	Richiesta di offerta	9843	Tecnologia del microchip	POWERMOS8™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT36GA60	Standard		290 W		TO-247 [B]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1			400 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V											P.T	600 V	65A	109A	2,5 V a 15 V, 20 A	307μJ (acceso), 254μJ (spento)	102 nC	16ns/122ns
JANSP2N5154U3	229.9812	Richiesta di offerta	1661	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				1 W		U3 (SMD-0.5)	-			REACH Inalterato	150-JANSP2N5154U3			1															80 V	2A						50μA			NPN	1,5 V a 500 mA, 5 A	70 a 2,5 A, 5 V	-
JANSP2N2906A	99.9500	Richiesta di offerta	3869	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/291	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo				500 mW		TO-18 (TO-206AA)	-			REACH Inalterato	150-JANSP2N2906A			1															60 V	600 mA						50nA			PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
2C3439	9.0307	Richiesta di offerta	6548	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire						Morire	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-2C3439			1															350 V	1A						20μA			NPN	500 mV a 4 mA, 50 mA	40 a 20 mA, 10 V	-
JAN2N3498UB/TR	20.6150	Richiesta di offerta	6292	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/366	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				1 W		UB	-			REACH Inalterato	150-JAN2N3498UB/TR	EAR99	8541.29.0095	100															100 V	500 mA						10 µA (ICBO)			NPN	600mV a 30mA, 300mA	40 a 150 mA, 10 V	-
2C6420	31.7100	Richiesta di offerta	4992	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo										-			REACH Inalterato	150-2C6420			1
APTGLQ75H120T3G	125.0600	Richiesta di offerta	2190	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	SP1	APTGLQ75			385 W	Standard	SP1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Ponte completo													Sosta sul campo di trincea	1200 V	130A		2,4 V a 15 V, 75 A				50 µA	SÌ	4,4 nF a 25 V
JANSR2N2221AUB/TR	135.3410	Richiesta di offerta	1939	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/255	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				500 mW		UB	-			REACH Inalterato	150-JANSR2N2221AUB/TR			50															50 V	800 mA						50nA			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
89100-02TX	-	Richiesta di offerta	3587	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-213AA, TO-66-2						TO-66 (TO-213AA)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato			0000.00.0000	1																						-			-	-	-	-
JANTXV2N5238	22.8893	Richiesta di offerta	5006	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/394	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo	2N5238			1 W		TO-5	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1															170 V	10A						10μA			NPN	2,5 V a 1 A, 10 A	40 a 5 A, 5 V	-
2N5153	14.0847	Richiesta di offerta	2941	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo				1 W		TO-39 (TO-205AD)	-			REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1															80 V	50 µA						50μA			PNP	1,5 V a 500 mA, 5 A	70 a 2,5 A, 5 V	-
APT17F100B	9.9900	Richiesta di offerta	1	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT17F100		MOSFET (ossido di metallo)			TO-247 [B]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		1000 V	17A(Tc)	10 V	800 mOhm a 9 A, 10 V	5 V a 1 mA	150 nC a 10 V	±30 V	4845 pF a 25 V	-	625 W(Tc)
APT25GLQ120JCU2	36.7400	Richiesta di offerta	4521	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Telaio, montaggio con perno	SOT-227-4, miniBLOC	APT25GLQ120			170 W	Standard	SOT-227	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Separare													Sosta sul campo di trincea	1200 V	45A		2,4 V a 15 V, 25 A				250 µA	NO	1,43 nF a 25 V
JANSH2N2222A	104.6206	Richiesta di offerta	7371	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/255	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	2N2222			500 mW		TO-18	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1															50 V	800 mA						50nA			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
APT56M60L	15.8800	Richiesta di offerta	1958	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-264-3, TO-264AA	APT56M60		MOSFET (ossido di metallo)			TO-264	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		600 V	60A (Tc)	10 V	130 mOhm a 28 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	280 nC a 10 V	±30 V	11.300 pF a 25 V	-	1040 W(Tc)
JANSD2N5153	98.9702	Richiesta di offerta	6036	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/545	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo				1 W		TO-39 (TO-205AD)	-			REACH Inalterato	150-JANSD2N5153			1															80 V	2A						50μA			PNP	1,5 V a 500 mA, 5 A	70 a 2,5 A, 5 V	-
APT53F80J	69.9100	Richiesta di offerta	203	Tecnologia del microchip	POWERMOS8™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC	APT53F80		MOSFET (ossido di metallo)			ISOTOP®	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		800 V	57A(Tc)	10 V	110 mOhm a 43 A, 10 V	5 V a 5 mA	570 nC a 10 V	±30 V	17550 pF a 25 V	-	960 W(Tc)
HS2907A	8.1529	Richiesta di offerta	9022	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo				HS2907						-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1
JANTXV2N3634L	14.3906	Richiesta di offerta	6813	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/357	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo	2N3634			1 W		TO-5	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1															140 V	1A						10μA			PNP	600 mV a 5 mA, 50 mA	50 a 50 mA, 10 V	-
JANSF2N3700UB	49.9200	Richiesta di offerta	2662	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/391	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-LCC	2N3700			500 mW		UB	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1															80 V	1A						10nA			NPN	500mV a 50mA, 500mA	50 a 500 mA, 10 V	-
2N7369	324.9000	Richiesta di offerta	4273	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA				115 W		TO-254AA	-			REACH Inalterato	150-2N7369	EAR99	8541.29.0095	1															80 V	10A						5mA			PNP	1 V a 500 mA, 5 A	50 a 1 A, 2 V	-
2N2369AUBC/TR	34.6800	Richiesta di offerta	5735	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				360 mW		UBC	-			REACH Inalterato	150-2N2369AUBC/TR	EAR99	8541.21.0095	100															15 V							400nA			NPN	450mV a 10mA, 100mA	20 a 100 mA, 1 V	-
APT60M60JLL	94.7500	Richiesta di offerta	7758	Tecnologia del microchip	POWERMOS7®	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC	APT60M60		MOSFET (ossido di metallo)			ISOTOP®	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		600 V	70A (Tc)	10 V	60 mOhm a 35 A, 10 V	5 V a 5 mA	289 nC a 10 V	±30 V	12630 pF a 25 V	-	694 W(Tc)