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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Tensione - Rottura (V(BR)GSS) | Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Resistenza - RDS(On) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APT30M40JVR | 35,9000 | ![]() | 5128 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | POWER MOS V® | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | APT30M40 | MOSFET (ossido di metallo) | ISOTOP® | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 300 V | 70A (Tc) | 10 V | 40 mOhm a 500 mA, 10 V | 4 V a 2,5 mA | 425 nC a 10 V | ±30 V | 10200 pF a 25 V | - | 450 W(Tc) | |||||||||||||
![]() | JANTXV2N3498U4 | - | ![]() | 5324 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/366 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-SMD, senza piombo | 1 W | U4 | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 500 mA | 50nA (ICBO) | NPN | 600mV a 30mA, 300mA | 40 a 150 mA, 10 V | - | |||||||||||||||||||
![]() | JAN2N336 | - | ![]() | 3367 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | 175°C (TJ) | Foro passante | TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo | TO-5 | - | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 10 mA | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N1715 | - | ![]() | 4107 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | 175°C (TJ) | Foro passante | TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo | TO-5 | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 1 | 100 V | 750 mA | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||
| JANTX2N3468 | - | ![]() | 2628 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/348 | Massa | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo | 2N3468 | 1 W | TO-39 (TO-205AD) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 V | 1A | 100nA (ICBO) | PNP | 1,2 V a 100 mA, 1 A | 25 a 500 mA, 1 V | - | ||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N3902 | 64.7311 | ![]() | 7954 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/371 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-204AA, TO-3 | 2N3902 | 5 W | TO-204AA (TO-3) | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V | 3,5 A | 250μA | NPN | 2,5 V a 700 mA, 3,5 A | 30 a 1 A, 5 V | - | |||||||||||||||||
| JAN2N3439 | 12.4355 | ![]() | 1375 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/368 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo | 2N3439 | 800 mW | TO-39 (TO-205AD) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 350 V | 1A | 2μA | NPN | 500 mV a 4 mA, 50 mA | 40 a 20 mA, 10 V | - | ||||||||||||||||||
![]() | JAN2N6691 | - | ![]() | 6075 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/538 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montaggio a perno | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Perno | 3 W | TO-61 | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 15A | 1mA (ICBO) | NPN | 1 V a 3 A, 15 A | 15 a 1 A, 3 V | - | |||||||||||||||||||
![]() | 2N6048 | - | ![]() | 6102 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | * | Massa | Obsoleto | - | RoHS non conforme | Non applicabile | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MQ2N4091 | 63.2947 | ![]() | 6085 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo | 360 mW | TO-18 (TO-206AA) | - | REACH Inalterato | 150-MQ2N4091 | 1 | CanaleN | 40 V | 16 pF a 20 V | 40 V | 30 mA a 20 V | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | JANS2N3737UB | 157.2104 | ![]() | 8701 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/395 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montaggio superficiale | 4-SMD, senza piombo | 500 mW | UB | - | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 V | 1,5 A | 10 µA (ICBO) | NPN | 900 mV a 100 mA, 1 A | 20 a 1 A, 1,5 V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | TN0104N3-G | 1.1600 | ![]() | 7069 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Borsa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TN0104 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-92-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 40 V | 450mA(Ta) | 3 V, 10 V | 1,8 Ohm a 1 A, 10 V | 1,6 V a 500 µA | ±20 V | 70 pF a 20 V | - | 1W (Tc) | ||||||||||||||
| 2N1890S | 20.6815 | ![]() | 3203 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo | 800 mW | TO-39 (TO-205AD) | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 V | 500 mA | 10nA (ICBO) | NPN | 5 V a 15 mA, 150 mA | 100 a 150 mA, 10 V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N5157 | 52.0296 | ![]() | 1733 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-204AA, TO-3 | 5 W | TO-3 | - | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 500 V | 250 µA | 250μA | NPN | 2,5 V a 700 mA, 3,5 A | 30 a 1 A, 5 V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N6211 | - | ![]() | 9265 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/461 | Massa | Attivo | -55°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-213AA, TO-66-2 | 3 W | TO-66 (TO-213AA) | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 225 V | 2A | 5mA | PNP | 1,4 V a 125 mA, 1 A | 30 a 1 A, 5 V | - | ||||||||||||||||||
![]() | 2N5406 | 26.8050 | ![]() | 8006 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo | 7 W | TO-5AA | - | REACH Inalterato | 150-2N5406 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 5A | - | PNP | 600 mV a 200 µA, 2 mA | - | - | |||||||||||||||||||
![]() | 2N7373 | 324.9000 | ![]() | 9729 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA | 4 W | TO-254AA | - | REACH Inalterato | 150-2N7373 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 5A | 50 µA | NPN | 1,5 V a 500 mA, 5 A | 70 a 2,5 A, 5 V | - | |||||||||||||||||||
| JANTX2N3763 | - | ![]() | 5109 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/396 | Massa | Attivo | -55°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo | 2N3763 | 1 W | TO-39 (TO-205AD) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 1,5 A | 10 µA (ICBO) | PNP | 900 mV a 100 mA, 1 A | 20 a 1 A, 1,5 V | - | ||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N7368 | - | ![]() | 8124 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/622 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori) | 115 W | TO-254 | - | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 1 mA | 1mA | NPN | 1 V a 500 mA, 5 A | 50 a 1 A, 2 V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N2919L | 30.6432 | ![]() | 1203 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/355 | Massa | Attivo | 200°C (TJ) | Foro passante | TO-78-6 Lattina di metallo | 2N2919 | 350 mW | TO-78-6 | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 30mA | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (doppio) | 300 mV a 100 µA, 1 mA | 150 a 1 mA, 5 V | - | |||||||||||||||||
![]() | JANTX2N5745 | - | ![]() | 1716 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/433 | Massa | Interrotto alla SIC | -55°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-204AA, TO-3 | 5 W | TO-3 (TO-204AA) | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 20A | 100μA | PNP | 1 V a 1 A, 10 A | 15 a 10 A, 2 V | - | ||||||||||||||||||
![]() | JANS2N3868 | 148.2902 | ![]() | 4413 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/350 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo | 1 W | TO-5 | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 3 mA | 100μA (ICBO) | PNP | 1,5 V a 250 mA, 2,5 A | 30 a 1,5 A, 2 V | - | |||||||||||||||||||
| APT50M75B2LLG | 21.0600 | ![]() | 7827 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | POWERMOS7® | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | Variante TO-247-3 | APT50M75 | MOSFET (ossido di metallo) | T-MAX™ [B2] | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 500 V | 57A(Tc) | 10 V | 75 mOhm a 28,5 A, 10 V | 5 V a 2,5 mA | 125 nC a 10 V | ±30 V | 5590 pF a 25 V | - | 570 W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | JAN2N336A | - | ![]() | 4573 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | 175°C (TJ) | Foro passante | TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo | TO-5 | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 10 mA | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||
| JANTX2N1715S | - | ![]() | 5104 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | 175°C (TJ) | Foro passante | TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo | TO-39 (TO-205AD) | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 1 | 100 V | 750 mA | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N3485A | 8.1662 | ![]() | 9542 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/392 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-206AB, TO-46-3 Contenitore in metallo | 2N3485 | 400 mW | TO-46 (TO-206AB) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 600 mA | 10 µA (ICBO) | PNP | 1,6 V a 50 mA, 500 mA | 40 a 150 mA, 10 V | - | |||||||||||||||||
![]() | JANTX2N5004 | - | ![]() | 9479 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/534 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Telaio, montaggio con perno | TO-210AA, TO-59-4, Prigioniero | 2 W | TO-59 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 5A | 50 µA | NPN | 1,5 V a 500 mA, 5 A | 70 a 2,5 A, 5 V | - | ||||||||||||||||||
![]() | APT20M45SVRG | 11.8200 | ![]() | 6982 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | POWER MOS V® | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA | APT20M45 | MOSFET (ossido di metallo) | D3 [S] | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 200 V | 56A(Tc) | 45 mOhm a 500 mA, 10 V | 4 V a 1 mA | 195 nC a 10 V | 4860 pF a 25 V | - | |||||||||||||||||
| JAN2N3762 | - | ![]() | 5632 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/396 | Massa | Attivo | -55°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo | 2N3762 | 1 W | TO-39 (TO-205AD) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 V | 1,5 A | 10 µA (ICBO) | PNP | 900 mV a 100 mA, 1 A | 30 a 1 A, 1,5 V | - | ||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N3765U4 | - | ![]() | 1014 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/396 | Massa | Attivo | -55°C ~ 200°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-SMD, senza piombo | 500 mW | U4 | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 1,5 A | 100μA (ICBO) | PNP | 900 mV a 100 mA, 1 A | 40 a 500 mA, 1 V | - |

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