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Transistor(5714)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
JAN2N918UB/TR	22.5435	Richiesta di offerta	7914	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/301	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, non standard				200 mW			-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JAN2N918UB/TR	EAR99	8541.21.0095	1																		15 V	50 mA			1μA (ICBO)			NPN	400 mV a 1 mA, 10 mA	20 a 3 mA, 1 V	-
JANS2N3868	148.2902	Richiesta di offerta	4413	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/350	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo				1 W		TO-5	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																		60 V	3 mA			100μA (ICBO)			PNP	1,5 V a 250 mA, 2,5 A	30 a 1,5 A, 2 V	-
JANS2N5796UC	-	Richiesta di offerta	9302	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/496	Massa	Attivo		-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-SMD, senza piombo	2N5796			600 mW		UC	-			REACH Inalterato	150-JANS2N5796UC			50																		60 V	600mA			10 µA (ICBO)			2 PNP (doppio)	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JANTXV2N6546	-	Richiesta di offerta	8825	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/525	Massa	Interrotto alla SIC		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3				175 W		TO-204AA (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																		300 V	15A			-			NPN	5 V a 3 A, 15 A	12 a 5 A, 2 V	-
TN0106N3-G-P013	0,8900	Richiesta di offerta	4370	Tecnologia del microchip	-	Nastro e scatola (TB)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TN0106		MOSFET (ossido di metallo)			TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN				60 V	350mA(Tj)	4,5 V, 10 V	3 Ohm a 500 mA, 10 V	2 V a 500 µA		±20 V	60 pF a 25 V	-	1W (Tc)
APTGT300DU120G	303.2725	Richiesta di offerta	8798	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTGT300			1380 W	Standard	SP6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Doppia fonte comune																Sosta sul campo di trincea	1200 V	420A	2,1 V a 15 V, 300 A		500 µA	NO	21 nF a 25 V
APTGT75H60T1G	76.3500	Richiesta di offerta	2339	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTGT75			250 W	Standard	SP1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Invertitore a ponte intero																Sosta sul campo di trincea	600 V	100A	1,9 V a 15 V, 75 A		250 µA	SÌ	4,62 nF a 25 V
JANSR2N3439UA/TR	-	Richiesta di offerta	3876	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/368	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo				800 mW		UA	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANSR2N3439UA/TR	EAR99	8541.21.0095	1																		350 V	2 µA			2 µA			NPN	500 mV a 4 mA, 50 mA	40 a 20 mA, 10 V	-
APTGTQ100A65T1G	68.5400	Richiesta di offerta	7415	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	APTGTQ100			250 W	Standard	SP1	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte																-	650 V	100A	2,2 V a 15 V, 100 A		100 µA	SÌ	6 nF a 25 V
APTGT100DU120TG	127.2500	Richiesta di offerta	5587	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4	APTGT100			480 W	Standard	SP4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Doppia fonte comune																Sosta sul campo di trincea	1200 V	140A	2,1 V a 15 V, 100 A		250 µA	SÌ	7,2 nF a 25 V
2N5881	41.7354	Richiesta di offerta	2279	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo					2N5881			160 W			-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																		60 V	15A						NPN
2N744	30.5700	Richiesta di offerta	5238	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo											-			REACH Inalterato	150-2N744			1
2C5884	37.0050	Richiesta di offerta	8350	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo											-			REACH Inalterato	150-2C5884			1
JANTX2N918	10.9193	Richiesta di offerta	2767	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo					2N918						-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	Q10433412	EAR99	8541.21.0095	1
MSCSM120HM16CT3AG	500.5900	Richiesta di offerta	5926	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	MSCSM120		Carburo di silicio (SiC)	745 W(Tc)		SP3F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-MSCSM120HM16CT3AG	EAR99	8541.29.0095	1	4 canali N					1200 V (1,2 kV)	173A(Tc)		16 mOhm a 80 A, 20 V	2,8 V a 2 mA	464nC a 20 V		6040 pF a 1000 V	-
VP2206N2	17.6600	Richiesta di offerta	964	Tecnologia del microchip	-	Borsa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	VP2206		MOSFET (ossido di metallo)			TO-39	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	500		Canale P				60 V	750mA(Tj)	5 V, 10 V	900 mOhm a 3,5 A, 10 V	3,5 V a 10 mA		±20 V	450 pF a 25 V	-	360 mW(Tc)
APTGT100A60T1G	60.9100	Richiesta di offerta	3805	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTGT100			340 W	Standard	SP1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte																Sosta sul campo di trincea	600 V	150A	1,9 V a 15 V, 100 A		250 µA	SÌ	6,1 nF a 25 V
JANSR2N2907A	99.0906	Richiesta di offerta	8793	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/291	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	2N2907			500 mW		TO-18 (TO-206AA)	-			REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1																		60 V	600 mA			50nA			PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
APTGT400DU120G	369.8400	Richiesta di offerta	1121	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTGT400			1785 W	Standard	SP6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Doppia fonte comune																Sosta sul campo di trincea	1200 V	560A	2,1 V a 15 V, 400 A		750 µA	NO	28 nF a 25 V
JANSM2N5154L	98.9702	Richiesta di offerta	4014	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/544	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo				1 W		TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-JANSM2N5154L			1																		80 V	2A			50μA			NPN	1,5 V a 500 mA, 5 A	70 a 2,5 A, 5 V	-
2N6226	36.6681	Richiesta di offerta	6605	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-	Foro passante	TO-204AA, TO-3				125 W		TO-3	-			REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																		100 V	50A			-			PNP	-	-	-
2N5003	287.5460	Richiesta di offerta	1109	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo					2N5003						-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1
APTC60HM45SCTG	210.6100	Richiesta di offerta	2298	Tecnologia del microchip	CoolMOS™	Massa	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4	APTC60		MOSFET (ossido di metallo)	250 W		SP4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	4 canali N (mezzo ponte)					600 V	49A		45 mOhm a 22,5 A, 10 V	3,9 V a 3 mA	150 nC a 10 V		7200 pF a 25 V	Super giunzione
MSCSM120TAM31CT3AG	383.5900	Richiesta di offerta	2975	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	MSCSM120		Carburo di silicio (SiC)	395 W(Tc)		SP3F	scaricamento			REACH Inalterato	150-MSCSM120TAM31CT3AG	EAR99	8541.29.0095	1	6 canali N (ponte trifase)					1200 V (1,2 kV)	89A(Tc)		31 mOhm a 40 A, 20 V	2,8 V a 1 mA	232nC a 20 V		3020 pF a 1000 V	-
JANS2N6988	185.0406	Richiesta di offerta	2158	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/558	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	14 DIP (0,300", 7,62 mm)	2N6988			400 mW		TO-116	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1																		60 V	600mA			10 µA (ICBO)			4 PNP (quadruplo)	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JANTXV2N3764	-	Richiesta di offerta	7726	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/396	Massa	Attivo		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AB, TO-46-3 Contenitore in metallo	2N3764			500 mW		TO-46	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1																		40 V	1,5 A			10 µA (ICBO)			PNP	900 mV a 100 mA, 1 A	30 a 1 A, 1,5 V	-
2N1714	20.3850	Richiesta di offerta	5039	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo						TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-2N1714	EAR99	8541.29.0095	1																		60 V	750 mA			-			NPN	-	-	16 MHz
JANTXV2N4029	-	Richiesta di offerta	7145	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/512	Massa	Interrotto alla SIC		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo				500 mW		TO-18	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1																		80 V	1A			10 µA (ICBO)			PNP	1 V a 100 mA, 1 A	100 a 100 mA, 5 V	-
ARF461CG	-	Richiesta di offerta	3219	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Obsoleto	1000 V			TO-247-3	ARF461	65 MHz	MOSFET			TO-247	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN		25 µA	150 W	15dB											-					50 V
JAN2N4449UB/TR	26.1478	Richiesta di offerta	3801	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/317	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				400 mW		UB	-			REACH Inalterato	150-JAN2N4449UB/TR	EAR99	8541.21.0095	100																		20 V				400nA			NPN	450mV a 10mA, 100mA	40 a 10 mA, 1 V	-