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Transistor(5714)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
2N6303	164.2200	Richiesta di offerta	5059	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo					1 W		TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-2N6303	EAR99	8541.29.0095	1																				80 V	3A							1μA			PNP	750 mV a 150 mA, 1,5 A	35 a 500 mA, 1 V	60 MHz
JANS2N2221AUB/TR	65.0804	Richiesta di offerta	4082	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/255	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo					500 mW		UB	-			REACH Inalterato	150-JANS2N2221AUB/TR	EAR99	8541.21.0095	50																				50 V	800 mA							50nA			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
JANSF2N2906AUA	156.0008	Richiesta di offerta	7364	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/291	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo					500 mW		UA	-			REACH Inalterato	150-JANSF2N2906AUA			1																				60 V	600 mA							50nA			PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
2N1724	377.5200	Richiesta di offerta	5359	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		175°C	Montaggio a perno	TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Perno					3 W		TO-61	-			REACH Inalterato	150-2N1724	EAR99	8541.29.0095	1																				80 V	5A							300μA			NPN	600 mV a 200 mA, 2 A	30 a 2 A, 15 V	-
SG2821J-883B	-	Richiesta di offerta	1561	Tecnologia del microchip	-	Vassoio	Attivo		-55°C ~ 125°C (TA)	Foro passante	18 CDIP (0,300", 7,62 mm)	SG2821				-		18-CERDIP	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-SG2821J-883B	EAR99	8541.29.0095	21																				95 V	500mA							-			8 PNP Darlington	1,6 V a 500 µA, 350 mA	1000 a 350 mA, 2 V	-
2C3250A	9.2550	Richiesta di offerta	8464	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo												-			REACH Inalterato	150-2C3250A			1
JANSF2N3637UB	148.5808	Richiesta di offerta	8182	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/357	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo					1 W		UB	-			REACH Inalterato	150-JANSF2N3637UB			1																				175 V	1A							10μA			PNP	600 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 50 mA, 10 V	-
MSCSM120HRM311AG	156.8300	Richiesta di offerta	3496	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo				Carburo di silicio (SiC)	395 W (Tc), 365 W (Tc)		-	-				150-MSCSM120HRM311AG			1	4 canali N (inverter a tre livelli)							1200 V (1,2 kV), 700 V	89A (Tc), 124A (Tc)		31 mOhm a 40 A, 20 V, 19 mOhm a 40 A, 20 V	2,8 V a 3 mA, 2,4 V a 4 mA	232nC a 20 V, 215 nC a 20 V		3020pF a 1000 V, 4500pF a 700 V	Carburo di silicio (SiC)
2N5622	74.1300	Richiesta di offerta	2463	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-	Foro passante	TO-204AA, TO-3					116 W		TO-204AD (TO-3)	-			REACH Inalterato	150-2N5622	EAR99	8541.29.0095	1																				60 V	10A							-			NPN	-	-	-
2N4309	14.6400	Richiesta di offerta	7136	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo					1,5 W		TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-2N4309	EAR99	8541.29.0095	1																				80 V	5A							-			NPN	-	-	-
2C3810-MSCL	22.3650	Richiesta di offerta	7070	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo												-			REACH Inalterato	150-2C3810-MSCL			1
JANSL2N2907AUBC/TR	306.0614	Richiesta di offerta	8066	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/291	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo					500 mW		UBC	-			REACH Inalterato	150-JANSL2N2907AUBC/TR			50																				60 V	600 mA							50nA			PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JANSF2N2906AUB/TR	157.4550	Richiesta di offerta	2630	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo												-				150-JANSF2N2906AUB/TR			50
MSCSM120TLM11CAG	807.5900	Richiesta di offerta	7187	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	MSCSM120			Carburo di silicio (SiC)	1042W(Tc)		SP6C	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-MSCSM120TLM11CAG	EAR99	8541.29.0095	1	4 canali N (inverter a tre livelli)							1200 V (1,2 kV)	251A(Tc)		10,4 mOhm a 120 A, 20 V	2,8 V a 3 mA	696nC @ 20V		9000 pF a 1000 V	-
JANSF2N3810L	206.9304	Richiesta di offerta	5256	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/336	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-78-6 Lattina di metallo	2N3810				350 mW		TO-78-6	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1																				60 V	50mA							10 µA (ICBO)			2 PNP (doppio)	250 mV a 100 µA, 1 mA	150 a 1 mA, 5 V	-
APT50GR120B2	10.8900	Richiesta di offerta	2166	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT50GR120	Standard			694 W		TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1				600 V, 50 A, 4,3 Ohm, 15 V															TNP	1200 V	117A	200A	3,2 V a 15 V, 50 A	2,14 mJ (acceso), 1,48 mJ (spento)	445 nC	28ns/237ns
JAN2N3501UB/TR	17.5560	Richiesta di offerta	3527	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/366	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo					500 mW		UB	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JAN2N3501UB/TR	EAR99	8541.21.0095	1																				150 V	300 mA							10 µA (ICBO)			NPN	400mV a 15mA, 150mA	100 a 150 mA, 10 V	-
APT33GF120LRDQ2G	-	Richiesta di offerta	7682	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-264-3, TO-264AA	APT33GF120	Standard			357 W		TO-264 [L]	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25				800 V, 25 A, 4,3 Ohm, 15 V															TNP	1200 V	64A	75A	3 V a 15 V, 25 A	1.315 mJ (acceso), 1.515 mJ (spento)	170 nC	14ns/185ns
2N6581	110.9100	Richiesta di offerta	5821	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3					125 W		TO-204AD (TO-3)	-			REACH Inalterato	150-2N6581	EAR99	8541.29.0095	1																				450 V	10A							-			PNP	1,5 V a 500 µA, 3 mA	-	-
JANTXV2N3500U4/TR	-	Richiesta di offerta	2639	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo					1 W		U4	-			REACH Inalterato	150-JANTXV2N3500U4/TR			50																				150 V	300 mA							50nA (ICBO)			NPN	400mV a 15mA, 150mA	40 a 150 mA, 10 V	-
ICPB1020-1-110I	-	Richiesta di offerta	7143	Tecnologia del microchip	-	Scatola	Attivo	28 V		Montaggio superficiale	Morire			14GHz	GaN HEMT			Morire	scaricamento	Conformità ROHS3						1	-		8A		1A	100 W	7,4dB											-									28 V
MSCSM120DDUM31CTBL2NG	296.3200	Richiesta di offerta	5418	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	MSCSM120			Carburo di silicio (SiC)	310 W		-	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-MSCSM120DDUM31CTBL2NG	EAR99	8541.29.0095	1	4 canali N, sorgente comune							1200 V	79A		31 mOhm a 40 A, 20 V	2,8 V a 1 mA	232nC a 20 V		3020 pF a 1000 V	-
APTGT300DA170D3G	269.3100	Richiesta di offerta	3890	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo D-3	APTGT300				1470 W	Standard	D3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Separare																		Sosta sul campo di trincea	1700 V	530A		2,4 V a 15 V, 300 A					8 mA	NO	26 nF a 25 V
APT5020BVFRG	10.6100	Richiesta di offerta	6646	Tecnologia del microchip	POWER MOS V®	Tubo	Attivo			Foro passante	TO-247-3	APT5020			MOSFET (ossido di metallo)			TO-247 [B]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN						500 V	26A (Tc)		200 mOhm a 500 mA, 10 V	4 V a 1 mA	225 nC a 10 V		4440 pF a 25 V	-
2C5001	38.7450	Richiesta di offerta	1396	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo												-			REACH Inalterato	150-2C5001			1
2N5729	28.1250	Richiesta di offerta	5471	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo					5 W		TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-2N5729	EAR99	8541.29.0095	1																				80 V	5A							-			PNP	1,5 V a 500 µA, 2 mA	-	-
MSC017SMA120B4	47.9500	Richiesta di offerta	2183	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-4	MSC017SMA			SiCFET (carburo di silicio)			TO-247-4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-MSC017SMA120B4	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						1200 V	113A(Tc)	20 V	22 mOhm a 40 A, 20 V	2,7 V a 4,5 mA (tip.)	249 nC a 20 V	+22 V, -10 V	5280 pF a 1000 V	-	455 W(Tc)
2N5327	22.2750	Richiesta di offerta	3450	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo					7,5 W		TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-2N5327	EAR99	8541.29.0095	1																				80 V	10A							-			PNP	-	-	-
JAN2N6299P	36.8144	Richiesta di offerta	5590	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-213AA, TO-66-2					64 W		TO-66 (TO-213AA)	-			REACH Inalterato	150-JAN2N6299P	EAR99	8541.29.0095	1																				80 V	8A							500 µA			PNP-Darlington	2 V a 80 mA, 8 A	750 a 4 A, 3 V	-
JANSD2N5153U3	229.9812	Richiesta di offerta	9426	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/545	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo					1,16 W		U3	-			REACH Inalterato	150-JANSD2N5153U3			1																				80 V	2A							50μA			PNP	1,5 V a 500 mA, 5 A	70 a 2,5 A, 5 V	-

2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq²
Magazzino in stock

Transistor(5714)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 mq2

15.000 mq²