Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Transistor(5714)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
JAN2N6989	41.8684	Richiesta di offerta	4835	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/559	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	14 DIP (0,300", 7,62 mm)	2N6989		1,5 W	TO-116	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1													50 V	800 mA	10 µA (ICBO)	4 NPN (quadruplo)	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
APTM120A20DG	309.5600	Richiesta di offerta	9790	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTM120	MOSFET (ossido di metallo)	1250 W	SP6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (mezzo ponte)		1200 V (1,2 kV)	50A		240 mOhm a 25 A, 10 V	5 V a 6 mA	600 nC a 10 V		15200 pF a 25 V	-
JANTXV2N3740U4	-	Richiesta di offerta	8182	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/441	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo			25 W	U4	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1													60 V	10 µA	10μA	PNP	600 mV a 1,25 mA, 1 A	30 a 250 mA, 1 V	-
2N1890S	20.6815	Richiesta di offerta	3203	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			800 mW	TO-39 (TO-205AD)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1													80 V	500 mA	10nA (ICBO)	NPN	5 V a 15 mA, 150 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JANTXV2N3764U4	-	Richiesta di offerta	8259	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/396	Massa	Attivo	-55°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo			500 mW	U4	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1													40 V	1,5 A	10 µA (ICBO)	PNP	900 mV a 100 mA, 1 A	30 a 1 A, 1,5 V	-
2N3810U	38.2700	Richiesta di offerta	100	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-78-6 Lattina di metallo	2N3810		350 mW	TO-78-6	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1													60 V	50mA	10 µA (ICBO)	2 PNP (doppio)	250 mV a 100 µA, 1 mA	150 a 1 mA, 5 V	-
JANTX2N3743	-	Richiesta di offerta	3998	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/397	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N3743		1 W	TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1													300 V	200 mA	250nA (ICBO)	PNP	1,2 V a 3 mA, 30 mA	50 a 30 mA, 10 V	-
2N3743U4	78.4966	Richiesta di offerta	2702	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo			1 W	U4	-			REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1													300 V	200 mA		PNP	1,2 V a 3 mA, 30 mA	50 a 30 mA, 10 V	-
JANS2N3440	-	Richiesta di offerta	1318	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/368	Massa	Interrotto alla SIC	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			800 mW	TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1													250 V	1A	2 µA	NPN	500 mV a 4 mA, 50 mA	40 a 20 mA, 10 V	-
2N6546	49.7154	Richiesta di offerta	1551	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C	Foro passante	TO-204AA, TO-3	2N6546		175 W	TO-204AD (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1													300 V	15A	1mA	NPN	5 V a 3 A, 15 A	15 a 1 A, 2 V	-
JANTX2N1715S	-	Richiesta di offerta	5104	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	175°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo				TO-39 (TO-205AD)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato			0000.00.0000	1													100 V	750 mA	-	NPN	-	-	-
JANS2N5003	-	Richiesta di offerta	6575	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/535	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Telaio, montaggio con perno	TO-210AA, TO-59-4, Prigioniero			2 W	TO-59/I	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1													80 V	50 µA	50μA	PNP	1,5 V a 500 mA, 5 A	30 a 2,5 A, 5 V	-
JANKCCR2N5151	-	Richiesta di offerta	2472	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/545	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			1 W	TO-39 (TO-205AD)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANKCCR2N5151	EAR99	8541.29.0095	1													80 V	2A	50μA	PNP	1,5 V a 500 mA, 5 A	30 a 2,5 A, 5 V	-
JANSL2N2222AUBC	279.1520	Richiesta di offerta	8060	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/255	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo			500 mW	UBC	-			REACH Inalterato	150-JANSL2N2222AUBC			1													50 V	800 mA	50nA	NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JAN2N3485A	8.1662	Richiesta di offerta	9542	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/392	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AB, TO-46-3 Contenitore in metallo	2N3485		400 mW	TO-46 (TO-206AB)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1													60 V	600 mA	10 µA (ICBO)	PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
MSR2N2907AUBC/TR	319.6788	Richiesta di offerta	4312	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/291	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo			500 mW	UBC	-			REACH Inalterato	150-MSR2N2907AUBC/TR			100													60 V	600 mA	50nA	PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
2N6277	110.0176	Richiesta di offerta	3541	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3	2N6277		250 W	TO-3	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1													150 V	50A	50μA	NPN	3 V a 10 A, 50 A	50 a 1 A, 4 V	-
JANTX2N4261UB	-	Richiesta di offerta	7069	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/511	Massa	Interrotto alla SIC	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo			200 mW	UB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1													15 V	30 mA	10 µA (ICBO)	PNP	350 mV a 1 mA, 10 mA	30 a 10 mA, 1 V	-
JANS2N2905	94.6406	Richiesta di offerta	6027	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/290	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			800 mW	TO-39 (TO-205AD)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1													60 V	1μA	1μA	PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JAN2N3500L	12.5818	Richiesta di offerta	9655	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/366	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo	2N3500		1 W	TO-5	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1													150 V	300 mA	10 µA (ICBO)	NPN	400mV a 15mA, 150mA	40 a 150 mA, 10 V	-
JANSD2N2221AUB/TR	150.3406	Richiesta di offerta	5403	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/255	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo			500 mW	UB	-			REACH Inalterato	150-JANSD2N2221AUB/TR			50													50 V	800 mA	50nA	NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
JANTX2N3019S	8.2460	Richiesta di offerta	7101	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/391	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N3019		800 mW	TO-39	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1													80 V	1A	10 µA (ICBO)	NPN	500mV a 50mA, 500mA	50 a 500 mA, 10 V	-
JANTXV2N3507AU4	-	Richiesta di offerta	4977	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/349	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo			1 W	U4	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1													50 V	1μA	1μA	NPN	1,5 V a 250 mA, 2,5 A	35 a 500 mA, 1 V	-
JANTX2N3442	367.9312	Richiesta di offerta	1683	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/307	Massa	Attivo	-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3	2N3442		6 W	TO-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1													140 V	10A	-	NPN	1 V a 300 mA, 3 A	20 a 3 A, 4 V	-
APT47N60BC3G	13,5000	Richiesta di offerta	6492	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT47N60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-247 [B]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN	600 V	47A(Tc)	10 V	70 mOhm a 30 A, 10 V	3,9 V a 2,7 mA	260 nC a 10 V	±20 V	7015 pF a 25 V	-	417 W(Tc)
JAN2N6193	-	Richiesta di offerta	5765	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/561	Massa	Interrotto alla SIC	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			1 W	TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1													100 V	5A	100μA	PNP	1,2 V a 500 mA, 5 A	60 a 2A, 2V	-
JANS2N5339U3/TR	202.3502	Richiesta di offerta	8020	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/560	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	5-SMD			1 W	SMD5	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANS2N5339U3/TR	EAR99	8541.29.0095	1													100 V	5A	100μA	NPN	1,2 V a 500 mA, 5 A	60 a 2A, 2V	-
2N6649	98.3402	Richiesta di offerta	4336	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3	2N6649		5 W	TO-204AA (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1													60 V	10A	1mA	PNP-Darlington	3 V a 100 µA, 10 A	1000 a 5 A, 3 V	-
JANS2N3810U/TR	107.5308	Richiesta di offerta	1809	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/336	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-SMD, senza piombo	2N3810		350 mW	6-SMD	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANS2N3810U/TR	EAR99	8541.21.0095	1													60 V	50mA	10 µA (ICBO)	2 PNP (doppio)	250 mV a 100 µA, 1 mA	150 a 1 mA, 5 V	-
JAN2N4033	11.5577	Richiesta di offerta	4882	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/512	Massa	Attivo	-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N4033		800 mW	TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1													80 V	1A	10 µA (ICBO)	PNP	1 V a 100 mA, 1 A	100 a 100 mA, 5 V	-