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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Voltaggio: nominale | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Frequenza | Tecnologia | Potenza: max | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Corrente nominale (Amp) | Corrente - Prova | Potenza-Uscita | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Figura di rumore | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Tensione - Prova | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANTXV2N3501L | - |  | 4970 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/366 | Massa | Interrotto alla SIC | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo | 1 W | TO-5 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 V | 300 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 400mV a 15mA, 150mA | 100 a 150 mA, 10 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
|  | JANTX2N5794U | 135.1608 |  | 8529 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/495 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-SMD, senza piombo | 2N5794 | 600 mW | 6-SMD | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 V | 600mA | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (doppio) | 900 mV a 30 mA, 300 mA | 100 a 150 mA, 10 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N5152 | 13.6192 |  | 3268 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/544 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo | 2N5152 | 1 W | TO-39 (TO-205AD) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 2A | 50μA | NPN | 1,5 V a 500 mA, 5 A | 30 a 2,5 A, 5 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | 2N2605 | 15.6142 |  | 8472 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-206AB, TO-46-3 Contenitore in metallo | 2N2605 | 400 mW | TO-46-3 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2266-2N2605 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 30 mA | 10nA | PNP | 300 mV a 500 µA, 10 mA | 100 a 10 mA, 5 V | - | |||||||||||||||||||||||||||
|  | 2N7373 | 324.9000 |  | 9729 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA | 4 W | TO-254AA | - | REACH Inalterato | 150-2N7373 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 5A | 50μA | NPN | 1,5 V a 500 mA, 5 A | 70 a 2,5 A, 5 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 2N1700 | 43.4644 |  | 4741 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | * | Massa | Attivo | 2N1700 | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | APTGL180A120T3AG | 135.8511 |  | 1140 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP3 | APTGL180 | 940 W | Standard | SP3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Mezzo ponte | Sosta sul campo di trincea | 1200 V | 230A | 2,2 V a 15 V, 150 A | 300 µA | SÌ | 9,3 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
|  | JANSR2N5004 | - |  | 7700 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/534 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montaggio a perno | TO-210AA, TO-59-4, Prigioniero | 2 W | TO-59 | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 50 µA | 50μA | NPN | 1,5 V a 500 mA, 5 A | 70 a 2,5 A, 5 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
|  | JANTXV2N3902 | 64.7311 |  | 7954 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/371 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-204AA, TO-3 | 2N3902 | 5 W | TO-204AA (TO-3) | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V | 3,5 A | 250μA | NPN | 2,5 V a 700 mA, 3,5 A | 30 a 1 A, 5 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
|  | VN0550N3-G-P013 | 1.9400 |  | 354 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead | VN0550 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-92-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | CanaleN | 500 V | 50mA(Tj) | 5 V, 10 V | 60 Ohm a 50 mA, 10 V | 4 V a 1 mA | ±20 V | 55 pF a 25 V | - | 1W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
|  | 2N696 | 26.1478 |  | 2212 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo | 2N696 | 600 mW | TO-5AA | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 V | 10 µA (ICBO) | NPN | 1,5 V a 15 mA, 150 mA | 20 a 150 mA, 10 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 2N5675 | 34.3200 |  | 5202 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | * | Massa | Attivo | - | REACH Inalterato | 150-2N5675 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | VN10KN3-G-P002 | 0,7200 |  | 3 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead | VN10KN3 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-92-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | CanaleN | 60 V | 310mA(Tj) | 5 V, 10 V | 5 Ohm a 500 mA, 10 V | 2,5 V a 1 mA | ±30 V | 60 pF a 25 V | - | 1W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
|  | JAN2N6693 | - |  | 4883 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/538 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montaggio a perno | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Perno | 3 W | TO-61 | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V | 15A | 1mA (ICBO) | NPN | 1 V a 3 A, 15 A | 15 a 1 A, 3 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N2946A | - |  | 8072 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/382 | Massa | Interrotto alla SIC | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-206AB, TO-46-3 Contenitore in metallo | 400 mW | TO-46 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 35 V | 100 mA | 10 µA (ICBO) | PNP | - | 50 a 1 mA, 500 mV | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MSCSM120HM083CAG | 847.0700 |  | 6452 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | MSCSM120 | - | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 150-MSCSM120HM083CAG | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | JANTXV2N3501U4 | - |  | 3332 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/366 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-SMD, senza piombo | 1 W | U4 | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 V | 300 mA | 50nA (ICBO) | NPN | 400mV a 15mA, 150mA | 100 a 150 mA, 10 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MSCSM170HRM233AG | 257.3200 |  | 2581 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio su telaio | Modulo | Carburo di silicio (SiC) | 602 W (Tc), 395 W (Tc) | - | - | 150-MSCSM170HRM233AG | 1 | 4 canali N (inverter a tre livelli) | 1700 V (1,7 kV), 1200 V (1,2 kV) | 124A (Tc), 89A (Tc) | 22,5 mOhm a 60 A, 20 V, 31 mOhm a 40 A, 20 V | 3,2 V a 5 mA, 2,8 V a 3 mA | 356nC a 20 V, 232 nC a 20 V | 6600pF a 1000 V, 3020pF a 1000 V | Carburo di silicio (SiC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| JANSM2N2221AL | 91.0606 |  | 6290 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/255 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo | 500 mW | TO-18 (TO-206AA) | - | REACH Inalterato | 150-JANSM2N2221AL | 1 | 50 V | 800 mA | 50nA | NPN | 1 V a 50 mA, 500 mA | 40 a 150 mA, 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | APTC60HM24T3G | 202.0100 |  | 6687 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | CoolMOS™ | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP3 | APTC60 | MOSFET (ossido di metallo) | 462 W | SP3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 canali N (mezzo ponte) | 600 V | 95A | 24 mOhm a 47,5 A, 10 V | 3,9 V a 5 mA | 300 nC a 10 V | 14400 pF a 25 V | Super giunzione | ||||||||||||||||||||||||||
|  | JAN2N498 | - |  | 7229 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo | TO-5 | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 1 | 100 V | 200 mA | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT100GLQ65JU3 | 28.2300 |  | 1224 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | APT100 | 430 W | Standard | ISOTOP® | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | Q10742722 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Chopper singolo | Sosta sul campo di trincea | 650 V | 165A | 2,3 V a 15 V, 1000 A | 50 µA | NO | 6,1 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
|  | ARF469AG | 70.8500 |  | 6963 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Attivo | 500 V | Foro passante | TO-264-3, TO-264AA | ARF469 | 45 MHz | MOSFET | TO-264 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | CanaleN | 30A | 250 µA | 350 W | 16dB | - | 150 V | ||||||||||||||||||||||||||||
|  | APT1001RBVRG | 14.0900 |  | 6639 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | POWER MOS V® | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | APT1001 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-247 [B] | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 1000 V | 11A(Tc) | 1 Ohm a 500 mA, 10 V | 4 V a 1 mA | 225 nC a 10 V | 3660 pF a 25 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3019S | 20.4500 |  | 66 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo | 2N3019 | 800 mW | TO-39 (TO-205AD) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 V | 1A | 10 µA (ICBO) | NPN | 500mV a 50mA, 500mA | 50 a 500 mA, 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | JAN2N1484 | 186.7320 |  | 9985 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Militare, MIL-PRF-19500/180 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-233AA, TO-8-3 Contenitore in metallo | 1,75 W | TO-8 | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 55 V | 3A | 15μA | NPN | 1,20 V a 75 mA, 750 A | 20 a 750 mA, 4 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
|  | APTGT20TL601G | 53.4000 |  | 3689 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP1 | APTGT20 | 62 W | Standard | SP1 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Invertitore a tre livelli | Sosta sul campo di trincea | 600 V | 32A | 1,9 V a 15 V, 20 A | 250 µA | NO | 1,1 pF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
|  | 2N4233A | 27.4645 |  | 9578 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | * | Massa | Attivo | 2N4233 | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 2N5157 | 52.0296 |  | 1733 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-204AA, TO-3 | 5 W | TO-3 | - | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 500 V | 250 µA | 250μA | NPN | 2,5 V a 700 mA, 3,5 A | 30 a 1 A, 5 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 2N1893 | 27.3000 |  | 100 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo | 800 mW | TO-5 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2N1893MS | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 V | 500 mA | 10nA (ICBO) | NPN | 5 V a 15 mA, 150 mA | 40 a 150 mA, 10 V | - | 

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